1.一種光敏電阻，由下至上依次由基底、圖案化的金屬電極層和疊層薄膜組成；
所述疊層薄膜由下至上依次為氮，氮-二(2,6-異丙基苯基)-1,6,7,12,-四苯氧基-3,4,9,10-苝酰亞胺薄膜和酞菁氧釩薄膜。
2.根據(jù)權利要求1所述的光敏電阻，其特征在于：構成所述基底的材料選自玻璃、聚對苯二甲酸乙二醇酯和聚對萘二甲酸乙二醇酯中的至少一種；
構成所述金屬電極層的材料為金；
所述金屬電極層的厚度為20納米-100納米；
所述氮，氮-二(2,6-異丙基苯基)-1,6,7,12,-四苯氧基-3,4,9,10-苝酰亞胺薄膜的厚度為5納米-10納米；
所述酞菁氧釩薄膜的厚度為25納米-45納米或30納米。
3.一種光敏分壓器，由下至上依次由權利要求1或2所述基底、權利要求1或2所述圖案化的金屬電極層和薄膜電阻層組成；
其中，所述薄膜電阻層由權利要求1或2所述疊層薄膜和單薄膜層組成，且所述疊層薄膜和單薄膜層共平面，連接方式為串聯(lián)；
所述單薄膜層為氮，氮-二(七氟丁基)-1,6-二氰基-3,4,9,10-苝酰亞胺薄膜；
所述疊層薄膜與所述單薄膜層共用一段金屬電極作為電壓輸出端。
4.根據(jù)權利要求3所述的光敏分壓器，其特征在于：所述單薄膜層的厚度為30納米-40納米；
所述疊層薄膜和單薄膜層中，溝道長度均為10微米-40微米或30微米，溝道寬度均為1200微米-3600微米或1800微米。
5.一種記憶像素，由上至下依次為權利要求3或4所述光敏分壓器中的薄膜電阻層、所述光敏分壓器中的所述金屬電極層、隔離層和權利要求7或8所述有機場效應晶體管存儲器；
其中，所述光敏分壓器中的金屬電極層位于所述有機場效應晶體管存儲器中的金屬電極層之上；
所述隔離層填充所述光敏分壓器中的薄膜電阻層和所述有機場效應晶體管存儲器中的介電層之間未被所述光敏分壓器中的金屬電極層覆蓋的區(qū)域。
6.根據(jù)權利要求5所述的記憶像素，其特征在于：構成所述隔離層的材料為聚甲基丙烯酸甲酯；
所述隔離層的厚度為30納米-50納米。
7.一種有機場效應晶體管存儲器，由下至上依次由基底、源漏電極層、半導體有源層、隧穿層、浮柵層、介電層和金屬電極層組成；
構成所述半導體有源層的材料為對紅外無感光能力的聚合物；
所述隧穿層由下至上依次為聚甲基丙烯酸甲酯薄膜和氧化石墨烯薄膜；
構成所述浮柵層的材料為氧化鋅納米顆粒。
8.根據(jù)權利要求7所述的有機場效應晶體管存儲器，其特征在于：所述對紅外無感光能力的聚合物為聚異靛藍-聯(lián)二噻吩、聚異靛藍-并二噻吩或聚異靛藍-聯(lián)二噻吩-異靛藍-并二噻吩；
構成所述基底的材料選自平板玻璃、聚對苯二甲酸乙二醇酯和聚對萘二甲酸乙二醇酯中的至少一種；
構成所述源漏電極層的材料為金；
構成所述介電層的材料為聚偏二氟乙烯-三氟乙烯-氟氯乙烯；
構成所述金屬電極層的材料為金或鋁；
所述半導體有源層的厚度為10納米-20納米；
所述隧穿層中，聚甲基丙烯酸甲酯薄膜的厚度為10納米-20納米，氧化石墨烯薄膜的厚度為5納米-20納米或10納米；
所述浮柵層的厚度為10納米-20納米；
所述介電層的厚度為600納米-750納米；
所述金屬電極層的厚度為20納米-100納米。
9.權利要求1或2任一所述光敏電阻或權利要求3或4任一所述光敏分壓器在制備光探測器、圖像傳感器、有機場效應晶體管存儲器和記憶像素中至少一種中的應用；或者，
權利要求5或6所述記憶像素在制備光探測器中的應用；或者，
含有權利要求1或2任一所光敏電阻或權利要求3或4任一所述光敏分壓器的光探測器、圖像傳感器、有機場效應晶體管存儲器或記憶像素；或者，
含有權利要求5或6所述記憶像素的光探測器。
10.根據(jù)權利要求9所述的應用、光探測器、圖像傳感器、有機場效應晶體管存儲器或記憶像素，其特征在于：所述光探測器為近紅外光探測器；
所述記憶像素為近紅外記憶像素。