1.一種復(fù)合襯底，其特征在于，包括：
硅襯底層；
以及藍(lán)寶石襯底層，用于生長外延層；
所述藍(lán)寶石襯底層鍵合在所述硅襯底層上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合襯底，其特征在于，所述復(fù)合襯底還包括生長在所述藍(lán)寶石襯底層上的硅膜；所述藍(lán)寶石襯底層通過所述硅膜與所述硅襯底層鍵合。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合襯底，其特征在于，所述藍(lán)寶石襯底層的厚度為20μm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合襯底，其特征在于，所述硅襯底層的直徑大于等于6英寸。
5.一種復(fù)合襯底的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
將藍(lán)寶石片與硅晶片鍵合，形成鍵合體；
將鍵合體中的藍(lán)寶石片減薄，得到復(fù)合襯底。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的復(fù)合襯底的制備方法，其特征在于，所述藍(lán)寶石片與硅晶片鍵合的步驟包括：
在所述藍(lán)寶石片上生長硅膜，將所述硅膜與硅晶片鍵合。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的復(fù)合襯底的制備方法，其特征在于，所述生長為氣相外延生長。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的復(fù)合襯底的制備方法，其特征在于，所述減薄為研磨拋光減薄。
9.一種外延片，其特征在于：包括權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述復(fù)合襯底以及生長在所述復(fù)合襯底上的外延層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述外延片，其特征在于：所述外延層為氮化鎵層。