1.一種發(fā)光二極管封裝件，包括：
封裝體；
安裝在所述封裝體上的發(fā)光二極管芯片；
第一波長轉(zhuǎn)換層，其包含第一波長轉(zhuǎn)換材料，并且包括覆蓋所述發(fā)光二極管芯片的上表面的一部分的上表面部分和覆蓋所述發(fā)光二極管芯片的側(cè)表面的側(cè)向部分；以及
第二波長轉(zhuǎn)換層，其包含不同于所述第一波長轉(zhuǎn)換材料的第二波長轉(zhuǎn)換材料，并且覆蓋所述第一波長轉(zhuǎn)換層和所述發(fā)光二極管芯片的上表面的剩余部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝件，其中，所述第一波長轉(zhuǎn)換層的側(cè)向部分具有從所述發(fā)光二極管芯片的上部邊緣向外延伸至所述封裝體的一部分的凹形傾斜表面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝件，其中，所述第一波長轉(zhuǎn)換層的上表面部分僅覆蓋所述發(fā)光二極管芯片的多個上部頂點中的在對角線方向上彼此相對的兩個上部頂點。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝件，其中，所述第一波長轉(zhuǎn)換層的上表面部分僅覆蓋所述發(fā)光二極管芯片的多個上部邊緣中的彼此相對的兩個上部邊緣。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝件，其中，所述第一波長轉(zhuǎn)換層的上表面部分具有不同的厚度，所述不同的厚度的最大厚度在10μm至40μm的范圍內(nèi)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝件，其中，所述第一波長轉(zhuǎn)換層的上表面部分的面積在所述發(fā)光二極管芯片的上表面的面積的85％至95％的范圍內(nèi)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝件，其中，所述第一波長轉(zhuǎn)換層還包括透明樹脂，并且所述第一波長轉(zhuǎn)換層的側(cè)向部分的邊緣部分包括僅包含所述透明樹脂的區(qū)域。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝件，其中，所述發(fā)光二極管芯片以倒裝芯片的形式安裝于所述封裝體之上，并且所述第一波長轉(zhuǎn)換層填充所述發(fā)光二極管芯片的下表面和所述封裝體之間的空間。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝件，還包括設置于所述封裝體之上的反射結(jié)構(gòu)，
其中，所述反射結(jié)構(gòu)傾斜以在向上的方向上反射從所述第二波長轉(zhuǎn)換層發(fā)射的光，并且
其中，所述第一波長轉(zhuǎn)換層的側(cè)向部分具有凹形傾斜表面，其從所述發(fā)光二極管芯片的上部邊緣向外延伸至所述封裝體的一部分而不接觸所述反射結(jié)構(gòu)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝件，其中，所述發(fā)光二極管芯片構(gòu)造為發(fā)射藍光，并且
其中，所述第一波長轉(zhuǎn)換材料包含紅色磷光體，并且所述第二波長轉(zhuǎn)換材料包含綠色磷光體。
11.一種發(fā)光二極管封裝件，包括：
封裝體；
安裝在所述封裝體上的發(fā)光二極管芯片；
第一波長轉(zhuǎn)換層，其包含第一波長轉(zhuǎn)換材料，至少覆蓋所述發(fā)光二極管芯片的側(cè)表面，并且具有凹形傾斜表面，所述凹形傾斜表面從所述發(fā)光二極管芯片的側(cè)表面的上部邊緣向外延伸至所述封裝體的一部分以覆蓋所述發(fā)光二極管芯片的側(cè)表面；以及
第二波長轉(zhuǎn)換層，其包含不同于所述第一波長轉(zhuǎn)換材料的第二波長轉(zhuǎn)換材料，并且覆蓋所述第一波長轉(zhuǎn)換層，
其中，所述第二波長轉(zhuǎn)換層與所述發(fā)光二極管芯片的上表面的至少一部分接觸。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光二極管封裝件，
其中，所述第一波長轉(zhuǎn)換層不覆蓋所述發(fā)光二極管芯片的上表面，并且
其中，所述第二波長轉(zhuǎn)換層通過接觸所述發(fā)光二極管芯片的上表面的整個部分來覆蓋所述的發(fā)光二極管芯片的上表面。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光二極管封裝件，其中，所述第一波長轉(zhuǎn)換層覆蓋所述發(fā)光二極管芯片的整個上表面。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光二極管封裝件，
其中，所述第一波長轉(zhuǎn)換層僅覆蓋所述發(fā)光二極管芯片的上表面的一部分，并且
其中，所述第二波長轉(zhuǎn)換層覆蓋所述發(fā)光二極管芯片的上表面的剩余部分。
15.一種發(fā)光二極管封裝件，包括：
封裝體；
安裝在所述封裝體上的發(fā)光二極管芯片；
第一波長轉(zhuǎn)換層，其通過以下方式形成：在所述發(fā)光二極管芯片的上表面的至少一部分之上分配包含第一波長轉(zhuǎn)換材料的第一樹脂，以使得所述第一樹脂僅覆蓋所述發(fā)光二極管芯片的上表面的一部分和所述發(fā)光二極管芯片的整個側(cè)表面；以及
第二波長轉(zhuǎn)換層，其包含不同于所述第一波長轉(zhuǎn)換材料的第二波長轉(zhuǎn)換材料，并且覆蓋所述第一波長轉(zhuǎn)換層和所述發(fā)光二極管芯片的上表面的剩余部分。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的發(fā)光二極管封裝件，其中，通過以下方式形成所述第二波長轉(zhuǎn)換層：在所述發(fā)光二極管芯片的上表面的剩余部分和所述第一波長轉(zhuǎn)換層之上分配包含所述第二波長轉(zhuǎn)換材料的第二樹脂。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的發(fā)光二極管封裝件，其中，通過以下方式形成所述第二波長轉(zhuǎn)換層：利用包含所述第二波長轉(zhuǎn)換材料的第二樹脂對所述發(fā)光二極管芯片的上表面的剩余部分和所述第一波長轉(zhuǎn)換層進行模塑。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的發(fā)光二極管封裝件，其中，通過以下方式形成所述第一波長轉(zhuǎn)換層：在所述發(fā)光二極管芯片的上表面的在對角線方向上彼此相對的兩點之上分配所述第一樹脂。
19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的發(fā)光二極管封裝件，其中，所述第一波長轉(zhuǎn)換層包括側(cè)向部分，其具有從所述發(fā)光二極管芯片的上部邊緣向外延伸至所述封裝體的一部分的凹形傾斜表面。
20.根據(jù)權(quán)利要求15所述的發(fā)光二極管封裝件，其中，所述第一樹脂填充所述發(fā)光二極管芯片的下表面和所述封裝體之間的空間。