技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及金屬柵極及其制備方法，包括：提供半導(dǎo)體襯底，部分半導(dǎo)體襯底的表面具有偽柵極，偽柵極包括依次層疊的介電層、第一高k介質(zhì)層、阻擋層及多晶硅層；回刻蝕阻擋層，在偽柵極的側(cè)壁形成凹槽；沉積第二高k介質(zhì)層，第二高k介質(zhì)層覆蓋剩余的半導(dǎo)體襯底及偽柵極的側(cè)壁和頂壁，并填充凹槽；刻蝕第二高k介質(zhì)層形成緩沖層，緩沖層包圍介電層及部分多晶硅層；形成側(cè)墻，側(cè)墻覆蓋緩沖層及偽柵極的側(cè)壁；沉積層間介質(zhì)層，層間介質(zhì)層覆蓋半導(dǎo)體襯底及側(cè)墻，多晶硅層暴露在層間介質(zhì)層之外；去除多晶硅層，形成溝槽；在溝槽中填充金屬層，形成金屬柵極。本發(fā)明中，能夠提高偽柵極側(cè)壁的平整度，改善器件的性能。

技術(shù)研發(fā)人員：鮑宇
受保護的技術(shù)使用者：上海華力微電子有限公司
文檔號碼：201611085262
技術(shù)研發(fā)日：2016.11.30
技術(shù)公布日：2017.01.25