技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種槽型柵功率場效應(yīng)晶體管，包括：襯底、外延層、柵極結(jié)構(gòu)、第一阱區(qū)和第二阱區(qū)，其中，柵極結(jié)構(gòu)包括：槽型柵極和包圍槽型柵極的柵氧化層；其中，襯底、外延層和第二阱區(qū)的摻雜類型均為第一摻雜類型；第一阱區(qū)的摻雜類型為第二摻雜類型；第二阱區(qū)與源極導(dǎo)通連接，襯底與漏極導(dǎo)通連接；其中，沿垂直于襯底表面的方向，第二阱區(qū)與外延層之間被柵極結(jié)構(gòu)填充，以減少所述第二阱區(qū)遠(yuǎn)離所述外延層表面一側(cè)的寄生電阻。本發(fā)明提供的器件，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中對槽型柵功率場效應(yīng)晶體管的雪崩耐量能力的優(yōu)化技術(shù)，由于優(yōu)化效果弱，仍然存在器件雪崩可靠性差的技術(shù)問題。實現(xiàn)了大大提高器件的雪崩耐量可靠性水平的技術(shù)效果。

技術(shù)研發(fā)人員：陸江
受保護的技術(shù)使用者：中國科學(xué)院微電子研究所
文檔號碼：201611075878
技術(shù)研發(fā)日：2016.11.30
技術(shù)公布日：2017.03.15