1.一種槽型柵功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，包括：
襯底、外延層、柵極結(jié)構(gòu)、位于所述外延層表面的第一阱區(qū)和位于所述第一阱區(qū)表面的第二阱區(qū)，其中，所述柵極結(jié)構(gòu)包括：槽型柵極和包圍所述槽型柵極的柵氧化層；其中，所述襯底、所述外延層和所述第二阱區(qū)的摻雜類(lèi)型均為第一摻雜類(lèi)型；所述第一阱區(qū)的摻雜類(lèi)型為第二摻雜類(lèi)型；所述第二阱區(qū)與源極導(dǎo)通連接，所述襯底與漏極導(dǎo)通連接；
其中，沿垂直于所述襯底表面的方向，所述第二阱區(qū)與所述外延層之間被所述柵極結(jié)構(gòu)填充，以減少所述第二阱區(qū)遠(yuǎn)離所述外延層表面一側(cè)的寄生電阻。
2.如權(quán)利要求1所述的槽型柵功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，沿所述外延層表面至所述襯底的方向，所述柵極結(jié)構(gòu)的寬度增加，以填充所述第二阱區(qū)與所述外延層之間的區(qū)域。
3.如權(quán)利要求2所述的槽型柵功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，沿所述外延層表面至所述襯底的方向，所述柵極結(jié)構(gòu)中的槽型柵極的寬度增加。
4.如權(quán)利要求2所述的槽型柵功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，沿所述外延層表面至所述襯底的方向，在距所述外延層表面第一深度的位置，所述柵極結(jié)構(gòu)的寬度增加。
5.如權(quán)利要求4所述的槽型柵功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述第一深度為所述第二阱區(qū)的深度。
6.如權(quán)利要求5所述的槽型柵功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，沿所述外延層表面至所述襯底的方向，在與所述外延層表面距離所述第一深度的位置，所述柵極結(jié)構(gòu)的寬度增加量大于等于所述第二阱區(qū)寬度的兩倍，以完全填充所述第二阱區(qū)與所述外延層之間的區(qū)域。
7.如權(quán)利要求1-6任一所述的槽型柵功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于：
所述第一摻雜類(lèi)型為N型，所述第二摻雜類(lèi)型為P型；或
所述第一摻雜類(lèi)型為P型，所述第二摻雜類(lèi)型為N型。