相關(guān)申請的交叉引用

本申請要求于2015年11月30日提交的韓國專利申請no.10-2015-0168701的優(yōu)先權(quán)，為了所有目的在此援引該專利申請作為參考，如同在這里完全闡述一樣。

本發(fā)明涉及一種顯示裝置及其制造方法。

背景技術(shù)：

隨著信息社會(huì)的發(fā)展，對于顯示圖像的顯示裝置的需求以各種形式增加。近來，已使用各種平板顯示裝置，比如液晶顯示器(lcd)、等離子體顯示面板(pdp)和有機(jī)發(fā)光顯示裝置。

顯示裝置包括顯示面板和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器。顯示面板包括顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域。顯示區(qū)域包括數(shù)據(jù)線、柵極線、以及多個(gè)像素，多個(gè)像素形成在數(shù)據(jù)線與柵極線之間的交叉部分處并且當(dāng)柵極信號(hào)提供至柵極線時(shí)多個(gè)像素被提供數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)電壓。像素根據(jù)數(shù)據(jù)電壓發(fā)射具有預(yù)定亮度的光，并且可在顯示區(qū)域上方形成用于保護(hù)像素免受氧氣和水分影響的封裝層。非顯示區(qū)域形成在顯示區(qū)域的外圍。

數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器可包括多個(gè)源極驅(qū)動(dòng)集成電路(下文中稱為“ic”)。每個(gè)源極驅(qū)動(dòng)ic可由驅(qū)動(dòng)芯片制造。每個(gè)源極驅(qū)動(dòng)ic可封裝在柔性膜中。每個(gè)源極柔性膜可以以載帶封裝或膜上芯片(cof)實(shí)現(xiàn)并且可彎折或彎曲。

每個(gè)柔性膜可通過使用各向異性導(dǎo)電膜(acf)附接至形成在非顯示區(qū)域上的焊盤。由于焊盤與數(shù)據(jù)線電連接，所以源極驅(qū)動(dòng)ic可與數(shù)據(jù)線連接。

同時(shí)，當(dāng)各向異性導(dǎo)電膜附接至焊盤時(shí)，如果在焊盤上形成封裝層，則各向異性導(dǎo)電膜不能附接至焊盤。因此，封裝層使用掩模僅形成在發(fā)光層上，并且被圖案化為不形成在焊盤上。

或者，如果不使用掩模，則在除形成焊盤的區(qū)域以外的區(qū)域上形成蝕刻保護(hù)層(epl)之后，可通過干蝕刻將焊盤敞開，或者可通過對形成焊盤的區(qū)域進(jìn)行激光燒蝕(laserablation)將焊盤敞開。

如果使用掩模，則由于增加了掩模工藝，所以花費(fèi)了額外的成本。即使當(dāng)不使用掩模時(shí)，仍花費(fèi)了用于形成蝕刻保護(hù)層的額外成本。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

因此，本發(fā)明旨在提供一種基本上克服了由于相關(guān)技術(shù)的限制和缺點(diǎn)而導(dǎo)致的一個(gè)或多個(gè)問題的顯示裝置及其制造方法。

本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是提供一種顯示裝置及其制造方法，其中通過使用抗膜層(anti-filmlayer)而不使用掩模將有機(jī)-無機(jī)復(fù)合膜圖案化，由此可降低成本。

在下面的描述中將部分列出本發(fā)明的附加優(yōu)點(diǎn)和特征，這些優(yōu)點(diǎn)和特征的一部分根據(jù)下面的解釋對于所屬領(lǐng)域普通技術(shù)人員將變得顯而易見或者可通過本發(fā)明的實(shí)施領(lǐng)會(huì)到。通過說明書、權(quán)利要求書以及附圖中具體指出的結(jié)構(gòu)可實(shí)現(xiàn)和獲得本發(fā)明的這些目的和其他優(yōu)點(diǎn)。

為了實(shí)現(xiàn)這些和其他優(yōu)點(diǎn)并根據(jù)本發(fā)明的意圖，如在此具體化和概括描述的，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的顯示裝置包括：下基板；布置在所述下基板的顯示區(qū)域上的像素；布置在所述下基板的非顯示區(qū)域上的焊盤；布置在所述像素上的封裝層；和作為單分子層布置在所述焊盤上的抗膜層。

在本發(fā)明的另一個(gè)方面中，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的顯示裝置的制造方法包括如下步驟：在下基板的非顯示區(qū)域上形成焊盤并且在顯示區(qū)域上形成像素；和作為單分子層在所述焊盤上形成抗膜層。

應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明前面的大體性描述和下面的詳細(xì)描述都是例示性的和解釋性的，意在對要求保護(hù)的本發(fā)明提供進(jìn)一步的解釋。

附圖說明

給本發(fā)明提供進(jìn)一步理解并且并入本申請構(gòu)成本申請一部分的附圖圖解了本發(fā)明的實(shí)施方式，并與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。在附圖中：

圖1是圖解根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的顯示裝置的顯示面板、柵極驅(qū)動(dòng)器、源極驅(qū)動(dòng)ic、柔性膜、電路板和時(shí)序控制器的平面圖；

圖2是圖解根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的顯示裝置的封裝層、焊盤和抗膜層的平面圖；

圖3是沿圖2的線i-i’截取的剖面圖；

圖4是圖解根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的焊盤、抗膜材料、各向異性導(dǎo)電膜和柔性膜的放大圖；

圖5是圖解圖4的抗膜材料的分子的結(jié)構(gòu)圖；

圖6a和6b是圖解在切割根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的顯示裝置之前，封裝層、焊盤和抗膜層的平面圖；

圖7是圖解根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的顯示裝置的抗膜層的原理和效果的圖表；

圖8到11是圖解根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的顯示裝置的制造方法的、基于變量的效果的圖表；

圖12是圖解根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的顯示裝置的制造方法的流程圖；以及

圖13a到13d是圖解根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的顯示裝置的制造方法的剖面圖。

具體實(shí)施方式

將通過參照附圖描述的下列實(shí)施方式闡明本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征以及其實(shí)現(xiàn)方法。然而，本發(fā)明可以以不同的形式實(shí)施，不應(yīng)解釋為限于在此列出的實(shí)施方式。而是，提供這些實(shí)施方式是為了使本公開內(nèi)容全面和完整，并將本發(fā)明的范圍充分地傳遞給所屬領(lǐng)域技術(shù)人員。此外，本發(fā)明僅由權(quán)利要求書的范圍限定。

為了描述本發(fā)明的實(shí)施方式而在附圖中公開的形狀、尺寸、比例、角度和數(shù)量僅僅是示例，因而本發(fā)明不限于圖示的細(xì)節(jié)。相似的參考標(biāo)記在整個(gè)說明書中表示相似的元件。在下面的描述中，當(dāng)確定對相關(guān)的已知功能或構(gòu)造的詳細(xì)描述會(huì)不必要地使本發(fā)明的重點(diǎn)模糊不清時(shí)，將省略該詳細(xì)描述。

在本說明書中使用“包括”、“具有”和“包含”進(jìn)行描述的情況下，可添加其他部件，除非使用了“僅”。

在解釋一要素時(shí)，盡管沒有明確說明，但該要素應(yīng)解釋為包含誤差范圍。

在描述位置關(guān)系時(shí)，例如，當(dāng)兩個(gè)部分之間的位置關(guān)系描述為“在……上”、“在……上方”、“在……下方”和“在……之后”時(shí)，可在這兩個(gè)部分之間布置一個(gè)或多個(gè)其他部分，除非使用了“正好”或“直接”。

在描述時(shí)間關(guān)系時(shí)，例如當(dāng)時(shí)間順序描述為“在……之后”、“隨后”、“接下來”和“在……之前”時(shí)，可包括不連續(xù)的情況，除非使用了“正好”或“直接”。

將理解到，盡管在此可使用術(shù)語“第一”、“第二”等來描述各種元件，但這些元件不應(yīng)被這些術(shù)語限制。這些術(shù)語僅僅是用來彼此區(qū)分元件。例如，在不背離本發(fā)明的范圍的情況下，第一元件可能被稱為第二元件，相似地，第二元件可能被稱為第一元件。

“x軸方向”、“y軸方向”和“z軸方向”不應(yīng)僅解釋為嚴(yán)格相互垂直關(guān)系的幾何關(guān)系，在本發(fā)明的元件在功能上可操作的范圍內(nèi)，其可表示具有更寬的指向性。

術(shù)語“至少一個(gè)”應(yīng)當(dāng)理解為包括相關(guān)所列項(xiàng)目中的一個(gè)或多個(gè)項(xiàng)目的任意和所有組合。例如，“第一項(xiàng)目、第二項(xiàng)目和第三項(xiàng)目中的至少一個(gè)”表示選自第一項(xiàng)目、第二項(xiàng)目和第三項(xiàng)目中的兩個(gè)或更多個(gè)項(xiàng)目的所有組合以及第一項(xiàng)目、第二項(xiàng)目或第三項(xiàng)目。

所屬領(lǐng)域普通技術(shù)人員能夠充分理解到，本發(fā)明各實(shí)施方式的特征可彼此部分或整體地結(jié)合或組合，且可在技術(shù)上彼此進(jìn)行各種互操作和驅(qū)動(dòng)。本發(fā)明的實(shí)施方式可彼此獨(dú)立實(shí)施，或者以相互依賴的關(guān)系共同實(shí)施。

下文中，將參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施方式。

下文中，將參照圖1到7詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的顯示裝置。為便于描述，在圖1到7中，x軸方向表示與柵極線平行的方向，y軸方向表示與數(shù)據(jù)線平行的方向，z軸方向表示顯示裝置的厚度方向。

盡管基于有機(jī)發(fā)光顯示裝置描述了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的顯示裝置，但顯示裝置可由液晶顯示裝置或電泳顯示裝置實(shí)現(xiàn)。

參照圖1，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的顯示裝置包括顯示面板10、柵極驅(qū)動(dòng)器20、源極驅(qū)動(dòng)集成電路(下文中稱為“ic”)30、柔性膜40、電路板50和時(shí)序控制器60。

顯示面板10包括下基板100和上基板190。下基板100充當(dāng)支撐基板。上基板190充當(dāng)封裝基板。

顯示面板10傳輸入射光或顯示圖像。可在顯示面板10的顯示區(qū)域da上形成柵極線和數(shù)據(jù)線，并且可在柵極線與數(shù)據(jù)線交叉的交叉區(qū)域上形成像素。顯示區(qū)域da的像素可顯示圖像。

柵極驅(qū)動(dòng)器20根據(jù)從時(shí)序控制器60輸入的柵極控制信號(hào)向柵極線提供柵極信號(hào)。在圖1中，柵極驅(qū)動(dòng)器20以面板內(nèi)柵極驅(qū)動(dòng)器(gip)模式形成在顯示面板10的顯示區(qū)域da的一側(cè)的外部，但并不限于此。就是說，柵極驅(qū)動(dòng)器20可以以gip模式形成在顯示面板10的顯示區(qū)域da的兩側(cè)的外部，或者柵極驅(qū)動(dòng)器20可由驅(qū)動(dòng)芯片制成，被封裝在柔性膜中并以帶式自動(dòng)接合(tab)模式附接至顯示面板10。

源極驅(qū)動(dòng)ic30從時(shí)序控制器60接收數(shù)字視頻數(shù)據(jù)和源極控制信號(hào)。源極驅(qū)動(dòng)ic30根據(jù)源極控制信號(hào)將數(shù)字視頻數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為模擬數(shù)據(jù)電壓并且將模擬數(shù)據(jù)電壓提供至數(shù)據(jù)線。如果源極驅(qū)動(dòng)ic30由驅(qū)動(dòng)芯片制成，則源極驅(qū)動(dòng)ic30可以以膜上芯片(cof)或塑料上芯片(cop)模式封裝在柔性膜40中。

在下基板100的一部分中設(shè)置有諸如數(shù)據(jù)焊盤之類的焊盤?？稍谌嵝阅?0中形成將焊盤與源極驅(qū)動(dòng)ic30連接的線以及將焊盤與電路板50的線連接的線。柔性膜40通過使用各向異性導(dǎo)電膜附接在焊盤上，由此焊盤可與柔性膜40的線連接。

電路板50可附接至柔性膜40。由驅(qū)動(dòng)芯片構(gòu)成的多個(gè)電路可封裝在電路板50中。例如，時(shí)序控制器60可封裝在電路板50中。電路板50可以是印刷電路板或柔性印刷電路板。

時(shí)序控制器60從外部系統(tǒng)板(未示出)接收數(shù)字視頻數(shù)據(jù)和時(shí)序信號(hào)。時(shí)序控制器60基于時(shí)序信號(hào)產(chǎn)生用于控制柵極驅(qū)動(dòng)器20的操作時(shí)序的柵極控制信號(hào)和用于控制源極驅(qū)動(dòng)ic30的源極控制信號(hào)。時(shí)序控制器60將柵極控制信號(hào)提供至柵極驅(qū)動(dòng)器20，并將源極控制信號(hào)提供至源極驅(qū)動(dòng)ic30。

[實(shí)施方式1]

下文中，將參照圖2到5描述根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的顯示裝置。

圖2是圖解根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的顯示裝置的正視圖。在圖2中，顯示了顯示區(qū)域da、非顯示區(qū)域nda、焊盤區(qū)域pad、焊盤200和抗膜層(anti-filmlayer)300。

顯示區(qū)域da表示顯示圖像的區(qū)域。在顯示區(qū)域da上形成有像素。稍后將參照圖3給出像素的詳細(xì)描述。

非顯示區(qū)域nda形成在顯示區(qū)域da外部。非顯示區(qū)域nda可包括焊盤200，焊盤200用于給布置在顯示區(qū)域da內(nèi)的像素提供柵極電壓和數(shù)據(jù)電壓。

形成焊盤200的焊盤區(qū)域pad形成在非顯示區(qū)域nda的一部分上。在圖2中，焊盤區(qū)域pad形成在非顯示區(qū)域nda的下部。焊盤200形成在下基板100的焊盤區(qū)域pad上。圖2中所示的焊盤200給顯示區(qū)域da提供數(shù)據(jù)電壓。

抗膜層300形成在焊盤200上。在根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的顯示裝置中，抗膜層300可形成在焊盤200上方以及焊盤區(qū)域pad上?？鼓?00可布置在所有焊盤200上方?？鼓?00可防止無機(jī)保護(hù)膜或無機(jī)-有機(jī)復(fù)合膜形成在焊盤200上。

無機(jī)保護(hù)膜或無機(jī)-有機(jī)復(fù)合膜是被形成用來保護(hù)裝置免受外部環(huán)境尤其是水分和氧氣的影響。然而，應(yīng)與外部電路電連接的焊盤200應(yīng)當(dāng)保持在不形成無機(jī)保護(hù)膜或無機(jī)-有機(jī)復(fù)合膜的狀態(tài)，即應(yīng)當(dāng)是敞開的。

常規(guī)上使用掩模來敞開無機(jī)保護(hù)膜或無機(jī)-有機(jī)復(fù)合膜，但在本發(fā)明中代替掩?？墒褂每鼓?00，使得可在焊盤200上方不形成無機(jī)保護(hù)膜或無機(jī)-有機(jī)復(fù)合膜。

因此，即使在無機(jī)膜裝置之中的、不使用掩模的裝置中，焊盤200也可被制造成彼此電連接，并且即使在可使用掩模的裝置中，在不使用掩模的情況下焊盤200也可被制造成彼此電連接，由此可降低掩模成本和管理成本。

圖3是圖解根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的顯示裝置的剖面圖。圖3圖解了沿圖2的線i-i’的剖面圖。盡管基于在圖3中的有機(jī)發(fā)光顯示裝置描述了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的顯示裝置，但顯示裝置可由液晶顯示裝置或電泳顯示裝置實(shí)現(xiàn)。圖3中顯示了顯示區(qū)域da的一部分和焊盤區(qū)域pad。

顯示區(qū)域da上形成有像素p。圖3中顯示了一個(gè)像素p的剖面。如圖3中所示，像素p表示一區(qū)域，所述區(qū)域包括：暴露在堤部154之間的陽極電極151、設(shè)置在陽極電極151上的有機(jī)發(fā)光層153、以及薄膜晶體管(或tft層)110，薄膜晶體管110的漏極電極114與陽極電極151連接。每個(gè)薄膜晶體管110都包括半導(dǎo)體層111、柵極電極112、源極電極113和漏極電極114。

半導(dǎo)體層111設(shè)置在下基板100上?？稍谙禄?00與半導(dǎo)體層111之間設(shè)置緩沖膜(未示出)?？稍诎雽?dǎo)體層111上設(shè)置層間電介質(zhì)120?？稍趯娱g電介質(zhì)120上設(shè)置柵極電極112?？稍跂艠O電極112上設(shè)置柵極絕緣膜130。源極電極113和漏極電極114可設(shè)置在柵極絕緣膜130上。源極電極113和漏極電極114的每一個(gè)可通過穿過層間電介質(zhì)120和柵極絕緣膜130的接觸孔連接至半導(dǎo)體層111。

在薄膜晶體管110上設(shè)置有平坦化膜140，以平坦地布置由堤部154分隔開的像素p。

在平坦化膜140上設(shè)置陽極電極151、有機(jī)發(fā)光層153、陰極電極152和堤部154。陽極電極151和有機(jī)發(fā)光層153可設(shè)置在顯示區(qū)域da上，陰極電極152和堤部154可設(shè)置在顯示區(qū)域da和非顯示區(qū)域nda上。

每個(gè)陽極電極151通過穿過平坦化膜140的接觸孔連接至漏極電極114。

有機(jī)發(fā)光層153設(shè)置在顯示區(qū)域da上的、暴露在堤部154之間的陽極電極151上。由于每個(gè)堤部154比每個(gè)有機(jī)發(fā)光層153高，所以有機(jī)發(fā)光層153被堤部154分隔開。就是說，每個(gè)有機(jī)發(fā)光層153布置在堤部154之間。

陰極電極152設(shè)置在顯示區(qū)域da中的有機(jī)發(fā)光層153和堤部154上，以覆蓋有機(jī)發(fā)光層153和堤部154。

在陰極電極152上設(shè)置有封裝層170。封裝層170用于防止氧氣或水分滲透到有機(jī)發(fā)光層153和陰極電極152中。封裝層170包括第一無機(jī)膜171、有機(jī)膜172和第二無機(jī)膜173。

第一無機(jī)膜171設(shè)置在陰極電極152上以覆蓋陰極電極152。有機(jī)膜172設(shè)置在第一無機(jī)膜171上，以防止水分和氧氣通過穿過第一無機(jī)膜171滲透到有機(jī)發(fā)光層153和陰極電極152中。第二無機(jī)膜173設(shè)置在有機(jī)膜172上以覆蓋有機(jī)膜172。

第一無機(jī)膜171和第二無機(jī)膜173的每一個(gè)可由硅氮化物、鋁氮化物、鈦氮化物、硅氧化物、鋁氧化物或鈦氧化物形成。例如，第一無機(jī)膜171和第二無機(jī)膜173的每一個(gè)可由sinx、sio2、al2o3或tio2形成。

圖4是圖解根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的焊盤200、抗膜材料310、各向異性導(dǎo)電膜400和柔性膜40的放大圖。

焊盤200設(shè)置在下基板100的一部分上。焊盤200可以是給柵極驅(qū)動(dòng)器提供柵極控制信號(hào)的柵極焊盤、給數(shù)據(jù)線提供數(shù)據(jù)電壓的數(shù)據(jù)焊盤、或給電源線提供電源電壓的電源焊盤。如圖3和4中所示，焊盤200布置在下基板100的焊盤區(qū)域pad上。焊盤200可布置在形成于下基板100上的柵極絕緣膜130上。焊盤200可布置成通過穿過柵極絕緣膜130與形成在下基板100上的導(dǎo)線連接。

抗膜材料310是用于形成抗膜層300的材料。抗膜材料310布置在焊盤200和焊盤區(qū)域pad上方?？鼓げ牧?10可以是自組裝單層(self-assembledmonolayer，sam)，自組裝單層的分子根據(jù)其相鄰材料的吸引力(affinity)而自排列。在這種情形中，抗膜層300可具有與抗膜材料310的一個(gè)分子的長度相同的厚度。

各向異性導(dǎo)電膜acf400可使柔性膜40與焊盤200連接。各向異性導(dǎo)電膜acf400可包括具有較大導(dǎo)電性的多個(gè)導(dǎo)電球401。導(dǎo)電球401可形成在抗膜材料310之間或者形成為穿過抗膜層300。因此，即使在形成抗膜層300的情形中焊盤200也可通過導(dǎo)電球401與柔性膜40電連接。

柔性膜40通過使用各向異性導(dǎo)電膜400附接到焊盤200上?？稍谌嵝阅?0中形成將焊盤200與源極驅(qū)動(dòng)ic連接的線以及將焊盤200與電路板的線連接的線。焊盤200可通過形成在柔性膜40中的線與源極驅(qū)動(dòng)ic或電路板連接?；蛘撸嵝阅?0可以以膜上芯片(cof)模式封裝有源極驅(qū)動(dòng)ic。

圖5是圖解根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的抗膜材料310的結(jié)構(gòu)圖?？鼓げ牧?10包括頭部311、鏈部312和尾部313。

頭部311接合至焊盤200的上表面。頭部311由易于與形成在焊盤200的上表面上的導(dǎo)電金屬鍵合的硫醇、硅烷或膦酸形成。

鏈部312自頭部311的一側(cè)延伸。鏈部312由烴作為主材料形成。當(dāng)形成鏈部312的烴的反應(yīng)被控制，以調(diào)節(jié)鏈部312的長度時(shí)，可調(diào)節(jié)抗膜材料310的長度。由于抗膜層300使用抗膜材料310的一個(gè)分子形成層，所以可調(diào)節(jié)鏈部312的長度，以調(diào)節(jié)抗膜層300的厚度。

尾部313連接至鏈部312的一側(cè)處的端部。尾部313形成在頭部311的相對側(cè)處，以防止在焊盤200上形成第一無機(jī)膜171、有機(jī)膜172和第二無機(jī)膜173。為此，尾部313由不與第一無機(jī)膜171、有機(jī)膜172和第二無機(jī)膜173反應(yīng)的甲基形成。

在根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的顯示裝置中，抗膜層300形成在焊盤200上，由此不形成封裝層170。由于此原因，可不使用用于去除形成在焊盤200上的封裝層170的單獨(dú)掩模。因此，可降低掩模成本以及使用掩模執(zhí)行圖案化工藝的成本。

此外，在根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的顯示裝置中，抗膜層300保留在焊盤200上。由于此原因，可防止水分和氧氣在工藝過程中滲透到焊盤200中。

[實(shí)施方式2]

下文中，將參照圖6a和6b描述根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的顯示裝置。圖6a和6b中顯示了顯示區(qū)域da、非顯示區(qū)域nda、焊盤區(qū)域pad、焊盤200和抗膜層300。在根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的顯示裝置的顯示區(qū)域da上形成有像素。由于根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的顯示裝置的顯示區(qū)域da、像素、非顯示區(qū)域nda、焊盤區(qū)域pad和焊盤200與根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的顯示裝置的那些基本相同，所以將省略對它們的詳細(xì)描述。

根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的抗膜層300可布置成覆蓋非顯示區(qū)域nda的全部，而不是形成為限于焊盤200的焊盤區(qū)域pad?？鼓?00可布置為覆蓋整個(gè)非顯示區(qū)域nda。在這種情形中，第一無機(jī)膜171、有機(jī)膜172和第二無機(jī)膜173僅形成在顯示區(qū)域da中。因此，封裝層170按照每一顯示面板10分離地形成。

不同于圖6a(其中抗膜層300覆蓋焊盤區(qū)pad)，由于在常規(guī)顯示裝置中的非顯示區(qū)域nda上未形成抗膜層300，所以封裝層170均勻地布置在多個(gè)顯示面板10上。因此，在布置了封裝層170之后，在用于切割每一顯示面板10的劃線(s)工藝過程中切割封裝層170。在這種情形中，形成在每個(gè)顯示面板10的邊緣處并組成封裝層170的第一無機(jī)膜171、有機(jī)膜172和第二無機(jī)膜173的沉積結(jié)構(gòu)可能變形，或者封裝層170可能被剝離。氧氣和水分可能通過顯示面板10的邊緣滲透到其中封裝層170的沉積結(jié)構(gòu)變形或被剝離的顯示面板10中。

相反，在根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的顯示裝置中，由于抗膜層300形成在整個(gè)非顯示區(qū)域nda上，所以在非顯示區(qū)域nda上不形成封裝層170。就是說，封裝層170按照每一顯示面板10分離地形成，并且如圖6b中所示封裝層170不形成在執(zhí)行劃線(s)的剖面上。因此，形成在顯示面板10上的封裝層170內(nèi)布置的第一無機(jī)膜171、有機(jī)膜172和第二無機(jī)膜173的沉積結(jié)構(gòu)既不會(huì)變形也不會(huì)被剝離，由此氧氣和水分不會(huì)滲透到顯示面板10的邊緣。

由于根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的抗膜層300的要素和作用與根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的抗膜層300相同，所以將省略對它們的詳細(xì)描述。

可通過圖7的結(jié)果圖表表明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的抗膜層300的原理和效果。

圖7是測量接觸角以測量氧化鋁(al2o3)的抗膜特性的實(shí)驗(yàn)結(jié)果圖表。注意，如果接觸角變小，則氧化鋁沉積在抗膜層300的表面上。如果工藝周期持續(xù)，則接觸角變小。相反，如果接觸角變大，則抗膜防止效果持續(xù)。根據(jù)實(shí)驗(yàn)的結(jié)果，頭部311為膦酸的odpa具有比頭部為硅烷的odts更加出色的抗膜防止效果。此外，鏈部312由18個(gè)碳原子形成的odpa具有比鏈部312由12個(gè)碳原子形成的ddpa更出色的抗膜防止效果。

[制造方法]

下文中，將參照圖12和13a到13d描述根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的顯示裝置的制造方法。

首先，在下基板100的非顯示區(qū)域nda上形成焊盤200。如圖13a中所示，在非顯示區(qū)域nda上形成焊盤200之前，可在下基板100上形成薄膜晶體管110、層間電介質(zhì)120和柵極絕緣膜130。可在形成焊盤200之前、之后或者與之同時(shí)在薄膜晶體管110上形成陽極電極151和堤部154。(圖12的s101)

第二，如圖13b中所示，作為單分子層在焊盤200上形成抗膜層300。為了形成抗膜層300，可在焊盤區(qū)域pad上浸潤(dip)或者在焊盤200上壓印(stamp)抗膜材料310。之后，可將抗膜材料310干燥。

為了制造根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的顯示裝置，可在焊盤區(qū)域pad上浸潤或者在焊盤200上壓印抗膜材料310，使得抗膜層300可僅形成在焊盤上方和焊盤區(qū)域pad上。

為了制造根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的顯示裝置，可在整個(gè)非顯示區(qū)域nda上噴射抗膜材料310，由此抗膜層300可形成為覆蓋非顯示區(qū)域nda。就是說，由于可在不使用掩模的情況下在期望的區(qū)域上形成抗膜層300，所以可降低需要使用掩模的工藝成本。(圖12的s102)

第三，如圖13c中所示，形成有機(jī)發(fā)光層153和陰極電極152。有機(jī)發(fā)光層153形成在顯示區(qū)域da上的暴露在堤部154之間的陽極電極151上。陰極電極152形成在顯示區(qū)域da上的有機(jī)發(fā)光層153和堤部154上，以覆蓋有機(jī)發(fā)光層153和堤部154。(圖12的s103)

第四，如圖13c中所示，沉積第一無機(jī)膜171、有機(jī)膜172和第二無機(jī)膜173。首先，在顯示區(qū)域da的陰極電極152以及顯示區(qū)域da的堤部154上形成第一無機(jī)膜171。之后，在顯示區(qū)域da的第一無機(jī)膜171上形成有機(jī)膜172，以防止水分和氧氣通過穿過第一無機(jī)膜171滲透到有機(jī)發(fā)光層153和陰極電極152中。在有機(jī)膜172上形成第二無機(jī)膜173。第二無機(jī)膜173可覆蓋第一無機(jī)膜171和有機(jī)膜172。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的顯示裝置的制造方法，形成封裝層170的工藝方法是原子層沉積(ald)。原子層沉積包括：噴射要以原子為單位沉積在顯示面板100上的前驅(qū)體(precursor)，前驅(qū)體可通過化學(xué)反應(yīng)進(jìn)行沉積；以及通過凈化工藝清除未通過化學(xué)反應(yīng)以原子為單位沉積的其他前驅(qū)體，即物理附著到顯示面板上的前驅(qū)體。之后，可通過噴射反應(yīng)物以原子為單位在顯示面板100上形成封裝層170。再次通過凈化工藝清除未以原子為單位沉積的殘留材料。

即使在不使用掩模的情況下在抗膜層300上也不形成無機(jī)保護(hù)膜或無機(jī)-有機(jī)復(fù)合膜的因素的例子可包括：抗膜層300的材料類型和厚度、可使前驅(qū)體實(shí)現(xiàn)化學(xué)沉積的壓力、以及用于在與反應(yīng)物反應(yīng)之后去除物理沉積的材料的凈化工藝的壓力。

在常規(guī)的無機(jī)工藝中，通過將應(yīng)用的壓力與應(yīng)用的時(shí)間相乘所獲得的曝光成為工藝的參考條件。然而，從實(shí)驗(yàn)過程注意到，應(yīng)用的壓力的因素對于根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的顯示裝置的抗膜層300來說更加重要。

圖8是圖解按前軀體的壓力測量的抗膜效果的結(jié)果圖表。圖8中所示的tma壓力是將前驅(qū)體噴射到顯示面板100上以形成氧化鋁無機(jī)層的壓力。盡管形成在焊盤200上的抗膜層300可防止前驅(qū)體沉積，但如果以較高壓力沉積前驅(qū)體，則甚至在抗膜層300上也形成前驅(qū)體，并且在前驅(qū)體上形成反應(yīng)物，由此發(fā)生了在不應(yīng)形成封裝層170的區(qū)域上形成封裝層170的問題。因此，優(yōu)選以不使前驅(qū)體形成在抗膜層300上的壓力形成前驅(qū)體。

圖9是圖解按凈化工藝的壓力測量的抗膜效果的結(jié)果圖表，凈化工藝用于去除發(fā)生沉積的材料。使用諸如氬氣(ar)之類的惰性氣體執(zhí)行凈化工藝?？捎行コ龤埩舻那膀?qū)體和反應(yīng)物，從而可以以較高壓力執(zhí)行凈化工藝。圖10和11是圖解形成前驅(qū)體時(shí)的壓力以及凈化工藝過程中基于壓力的抗膜效率的圖表。(圖12的s104)圖中的ai表示鋁金屬。

第五，如圖13d中所示，將每個(gè)焊盤200與柔性膜40連接。柔性膜40可以是膜上芯片(cof)。在焊盤200上方布置有抗膜層300的狀態(tài)下每個(gè)焊盤200與柔性膜40連接。使用各向異性導(dǎo)電膜400將柔性膜40與每個(gè)焊盤200電連接。抗膜層300在100nm或更小的厚度范圍內(nèi)保留在焊盤200上。由于各向異性導(dǎo)電膜400內(nèi)的導(dǎo)電球401布置成部分穿過抗膜層300，所以焊盤200可在焊盤200之間布置有抗膜層300的狀態(tài)下與柔性膜40電連接。(圖12的s105)

如上所述，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的顯示裝置及其制造方法可獲得如下的優(yōu)點(diǎn)。

在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的顯示裝置中，由于在焊盤上形成抗膜層，所以不會(huì)形成封裝層。由于此原因，可不使用用于去除形成在焊盤上的封裝層的單獨(dú)掩模。因此，可降低掩模成本以及使用掩模執(zhí)行圖案化工藝的成本。

此外，在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的顯示裝置中，抗膜層保留在焊盤上。由于此原因，可防止水分和氧氣在工藝過程中滲透到焊盤中。

在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的顯示裝置中，即使執(zhí)行劃線工藝，形成在顯示面板的邊緣的第一無機(jī)膜、有機(jī)膜和第二無機(jī)膜的沉積結(jié)構(gòu)既不會(huì)變形也不會(huì)被剝離，由此可防止氧氣和水分滲透到顯示面板的邊緣。

在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的顯示裝置的制造方法中，由于在焊盤上形成抗膜層，使得可以為了焊盤的電連接而不形成保護(hù)層，所以可防止形成由鋁氧化物(alox)制成的無機(jī)膜。因此，在半導(dǎo)體設(shè)備和顯示裝置的制造方法中，可使用鋁氧化物執(zhí)行原子層沉積，以防止形成由鋁氧化物制成的無機(jī)膜。

在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的顯示裝置的制造方法中，對壓力進(jìn)行調(diào)節(jié)，使得在基于原子層沉積的集成電路和半導(dǎo)體工藝過程中在抗膜層上不形成前驅(qū)體。以比當(dāng)形成前驅(qū)體時(shí)應(yīng)用的壓力強(qiáng)的壓力執(zhí)行用于去除前驅(qū)體或反應(yīng)物的凈化工藝，以去除沉積的材料。因此，當(dāng)執(zhí)行基于原子層沉積的集成電路和半導(dǎo)體工藝時(shí)，由于不需要掩模(所述掩模用于為了電路上的電連接而防止形成保護(hù)層)，所以可降低工藝成本。

在不背離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，能夠在本發(fā)明中進(jìn)行各種修改和變化，這對于所屬領(lǐng)域技術(shù)人員來說是顯而易見的。因而，本發(fā)明旨在覆蓋落入所附權(quán)利要求書范圍及其等同范圍內(nèi)的對本發(fā)明的修改和變化。