本發(fā)明涉及電子信息材料技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種新型全透明BZT薄膜變?nèi)莨芗捌渲苽浞椒ā?/p>

背景技術(shù)：

全透明電子設(shè)備是電子技術(shù)未來(lái)發(fā)展的一個(gè)重要方向，其所具有獨(dú)特的光學(xué)投過(guò)性能，將極大地拓展電子設(shè)備的應(yīng)用領(lǐng)域。此外，顯示系統(tǒng)的快速發(fā)展，為了最大可能地提升顯示效果，也需要液晶顯示單元里的電子器件的透明化。可見(jiàn)，開(kāi)發(fā)新型全透明電子器件是當(dāng)務(wù)之急。全透明薄膜變?nèi)莨茉诂F(xiàn)代通信系統(tǒng)中具有巨大的應(yīng)用前景，可在透明電路中實(shí)現(xiàn)對(duì)信號(hào)頻率、相位或幅度的調(diào)控，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)真正意義上的透明移動(dòng)終端顯示和光學(xué)隱身探測(cè)等。

目前對(duì)透明變?nèi)莨艿难芯窟€甚少，主要是因?yàn)榘雽?dǎo)體薄膜變?nèi)莨艿膿p耗因子過(guò)大且不具有透過(guò)性。而介質(zhì)薄膜變?nèi)莨苡捎谄浣饘匐姌O的使用，導(dǎo)致其也不具備光學(xué)透明性。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是提供一種新型全透明BZT薄膜變?nèi)莨艿闹苽浞椒ǎ哂型该餍愿?、調(diào)諧率適中、器件穩(wěn)定性好和成本低廉的特點(diǎn)。

本發(fā)明可以通過(guò)以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)：

本發(fā)明公開(kāi)了一種新型全透明BZT薄膜變?nèi)莨艿闹苽浞椒?，包括以下步驟：

(1)固相燒結(jié)法合成BaZr_0.2Ti_0.8O₃靶材：按BaZr_0.2Ti_0.8O₃對(duì)應(yīng)元素的化學(xué)計(jì)量比稱(chēng)取原料BaCO₃、TiO₂和ZrO₂粉體，充分混合后壓制成型，置于電爐中于1200～1300℃保溫4～10h燒制BaZr_0.2Ti_0.8O₃陶瓷靶材；

(2)襯底送料：將清潔干燥的石英玻璃襯底放入磁控濺射系統(tǒng)的真空室中；

(3)磁控濺射系統(tǒng)調(diào)節(jié)：將磁控濺射系統(tǒng)的本底真空抽至1.0×10^～3Pa以下，然后加熱襯底至600～800℃；

(4)磁控濺射合成BaZr_0.2Ti_0.8O₃薄膜：在步驟(3)系統(tǒng)中，使用O₂/Ar混合氣作為生長(zhǎng)氣體，O₂/Ar比為0.01～0.3，生長(zhǎng)氣壓為0.5～5Pa，濺射功率為50～300W，利用磁控濺射沉積得到BaZr_0.2Ti_0.8O₃薄膜；

(5)降溫取樣：步驟(4)停止后，待襯底溫度降至100℃以下時(shí)，取出樣品；

(6)涂光刻膠：步驟(5)結(jié)束后，在BaZr_0.2Ti_0.8O₃薄膜表面旋涂光刻膠；

(7)烘干處理：對(duì)光刻機(jī)膜進(jìn)行前烘，使令光刻膠中的溶劑揮發(fā)出來(lái)，光刻膠得到固化，溫度110～120℃，時(shí)間3～8min；

(8)曝光、顯影與后烘：利用紫外光，采用接觸式曝光方式，滿足微米級(jí)線條的精度要求；

(9)濺射鍍膜、剝離：使用磁控濺射工藝，在室溫下將透明電極濺射沉積到樣品表面，使用丙酮超聲清洗，將光刻膠剝離掉。襯底表面便留有了具有特定形狀的電極圖形；

(10)退火處理：步驟(9)結(jié)束后，對(duì)樣品進(jìn)行退火處理，退火溫度300～700℃。

在本發(fā)明中，在介質(zhì)變?nèi)莨苤校橘|(zhì)明鋯鈦酸鋇薄膜，由于具有介電常數(shù)高、損耗因子小等特點(diǎn)，因而它是制作薄膜變?nèi)莨艿睦硐氩牧?。制備在Pt電極上的明鋯鈦酸鋇薄膜的調(diào)諧率可達(dá)到70％以上。此外，明鋯鈦酸鋇薄膜具有較寬的帶隙，在可見(jiàn)光區(qū)具有極高的透過(guò)率。

進(jìn)一步地，所述步驟(1)的原料BaCO₃、TiO₂和ZrO₂粉體的純度均在99％以上。

進(jìn)一步地，所述步驟(2)的襯底為商用的石英玻璃襯底。

進(jìn)一步地，所述步驟(4)的Ar和O₂的純度均在99.99％以上。

進(jìn)一步地，沉積得到的BaZr_0.2Ti_0.8O₃薄膜的厚度通過(guò)調(diào)節(jié)工藝參數(shù)或者沉積時(shí)間控制薄膜厚度，其厚度控制在100nm～600nm。

進(jìn)一步地，所述步驟(8)的曝光所得的圖形為插指圖形。

進(jìn)一步地，所述步驟(9)中，所使用的透明電極為銦錫氧化物薄膜電極和鋁鋅氧化物薄膜電極，電極厚度為100～500nm，電極形狀插指圖形，電極的指寬和指間距在5um和20um。

進(jìn)一步地，所述步驟(6)的操作為：利用勻膠機(jī)將光刻膠均勻的涂覆在BaZr_0.2Ti_0.8O₃薄膜表面；選擇轉(zhuǎn)速為3000～6000轉(zhuǎn)/分鐘，保持時(shí)間30～60秒，得到的均勻的光刻機(jī)膜。

一種根據(jù)以上新型全透明BZT薄膜變?nèi)莨苤苽浞椒ǖ玫降腂ZT薄膜變?nèi)莨?，包括襯底、襯底三設(shè)有BZT薄膜，BZT薄膜上設(shè)有插指透明電極。

本發(fā)明一種新型全透明BZT薄膜變?nèi)莨艿闹苽浞椒捌渲苽浞椒?，具有如下的有益效果?/p>

(1)本發(fā)明公開(kāi)的全透明薄膜變?nèi)莨艿耐该餍愿?，調(diào)諧率適中。且器件穩(wěn)定性好，為透明通訊和顯示設(shè)備的開(kāi)發(fā)和應(yīng)用提供了優(yōu)良的元器件基礎(chǔ)；

(2)本發(fā)明提供的透明薄膜變?nèi)莨苤苽涔に?，流程?jiǎn)單、性能優(yōu)良，具有良好的應(yīng)用前景。且成本低廉，適合大規(guī)模生產(chǎn)應(yīng)用。

附圖說(shuō)明

附圖1為本發(fā)明新型全透明BZT薄膜變?nèi)莨艿慕Y(jié)構(gòu)示意圖；

附圖2為實(shí)施例5中制備BZT薄膜變?nèi)莨艿墓鈱W(xué)透過(guò)性能曲線；

附圖3為實(shí)施例5中制備在BZT薄膜變?nèi)莨艿慕殡娦阅芮€。

具體實(shí)施方式

為了使本技術(shù)領(lǐng)域的人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合實(shí)施例及對(duì)本發(fā)明產(chǎn)品作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。

本發(fā)明公開(kāi)了一種新型全透明BZT薄膜變?nèi)莨艿闹苽浞椒?，包括以下步驟：

(1)固相燒結(jié)法合成BaZr_0.2Ti_0.8O₃靶材：按BaZr_0.2Ti_0.8O₃對(duì)應(yīng)元素的化學(xué)計(jì)量比稱(chēng)取原料BaCO₃、TiO₂和ZrO₂粉體，充分混合后壓制成型，置于電爐中于1200～1300℃保溫4～10h燒制BaZr_0.2Ti_0.8O₃陶瓷靶材；原料BaCO₃、TiO₂和ZrO₂粉體的純度均在99％以上。

(2)襯底送料：將清潔干燥的石英玻璃襯底放入磁控濺射系統(tǒng)的真空室中，襯底為商用的石英玻璃襯底。

(3)磁控濺射系統(tǒng)調(diào)節(jié)：將磁控濺射系統(tǒng)的本底真空抽至1.0×10^～3Pa以下，然后加熱襯底至600～800℃。

(4)磁控濺射合成BaZr_0.2Ti_0.8O₃薄膜：在步驟(3)系統(tǒng)中，使用O₂/Ar混合氣作為生長(zhǎng)氣體，O₂/Ar比為0.01～0.3，生長(zhǎng)氣壓為0.5～5Pa，濺射功率為50～300W，利用磁控濺射沉積得到BaZr_0.2Ti_0.8O₃薄膜，Ar和O₂的純度均在99.99％以上，沉積得到的BaZr_0.2Ti_0.8O₃薄膜的厚度通過(guò)調(diào)節(jié)工藝參數(shù)或者沉積時(shí)間控制薄膜厚度，其厚度控制在100nm～600nm。

(5)降溫取樣：步驟(4)停止后，待襯底溫度降至100℃以下時(shí)，取出樣品。

(6)涂光刻膠：步驟(5)結(jié)束后，在BaZr_0.2Ti_0.8O₃薄膜表面旋涂光刻膠，利用勻膠機(jī)將光刻膠均勻的涂覆在BaZr_0.2Ti_0.8O₃薄膜表面；選擇轉(zhuǎn)速為3000～6000轉(zhuǎn)/分鐘，保持時(shí)間30～60秒，得到的均勻的光刻機(jī)膜。

(7)烘干處理：對(duì)光刻機(jī)膜進(jìn)行前烘，使令光刻膠中的溶劑揮發(fā)出來(lái)，光刻膠得到固化，溫度110～120℃，時(shí)間3～8min。

(8)曝光、顯影與后烘：利用紫外光，采用接觸式曝光方式，滿足微米級(jí)線條的精度要求，曝光所得的圖形為插指圖形。

(9)濺射鍍膜、剝離：使用磁控濺射工藝，在室溫下將透明電極濺射沉積到樣品表面，使用丙酮超聲清洗，將光刻膠剝離掉。襯底表面便留有了具有特定形狀的電極圖形，所使用的透明電極為銦錫氧化物薄膜電極和鋁鋅氧化物薄膜電極，電極厚度為100～500nm，電極形狀插指圖形，電極的指寬和指間距在5um和20um。

(10)退火處理：步驟(9)結(jié)束后，對(duì)樣品進(jìn)行退火處理，退火溫度300～700℃。

以下結(jié)合具體實(shí)施例進(jìn)一步進(jìn)行說(shuō)明：

實(shí)施例1

本發(fā)明公開(kāi)了一種新型全透明BZT薄膜變?nèi)莨艿闹苽浞椒?，包括以下步驟：

(1)固相燒結(jié)法合成BaZr_0.2Ti_0.8O₃靶材：按BaZr_0.2Ti_0.8O₃對(duì)應(yīng)元素的化學(xué)計(jì)量比稱(chēng)取原料BaCO₃、TiO₂和ZrO₂粉體，充分混合后壓制成型，置于電爐中于1300℃保溫7h燒制BaZr_0.2Ti_0.8O₃陶瓷靶材；原料BaCO₃、TiO₂和ZrO₂粉體的純度均在99％以上。

(2)襯底送料：將清潔干燥的石英玻璃襯底放入磁控濺射系統(tǒng)的真空室中，襯底為商用的石英玻璃襯底。

(3)磁控濺射系統(tǒng)調(diào)節(jié)：將磁控濺射系統(tǒng)的本底真空抽至1.0×10^～3Pa以下，然后加熱襯底至600℃。

(4)磁控濺射合成BaZr_0.2Ti_0.8O₃薄膜：在步驟(3)系統(tǒng)中，使用O₂/Ar混合氣作為生長(zhǎng)氣體，O₂/Ar比為0.2，生長(zhǎng)氣壓為5Pa，濺射功率為175W，利用磁控濺射沉積得到BaZr_0.2Ti_0.8O₃薄膜，Ar和O₂的純度均在99.99％以上，沉積得到的BaZr_0.2Ti_0.8O₃薄膜的厚度通過(guò)調(diào)節(jié)工藝參數(shù)或者沉積時(shí)間控制薄膜厚度，其厚度控制在100nm。

(5)降溫取樣：步驟(4)停止后，待襯底溫度降至100℃以下時(shí)，取出樣品。

(6)涂光刻膠：步驟(5)結(jié)束后，在BaZr_0.2Ti_0.8O₃薄膜表面旋涂光刻膠，利用勻膠機(jī)將光刻膠均勻的涂覆在BaZr_0.2Ti_0.8O₃薄膜表面；選擇轉(zhuǎn)速為6000轉(zhuǎn)/分鐘，保持時(shí)間45秒，得到的均勻的光刻機(jī)膜。

(7)烘干處理：對(duì)光刻機(jī)膜進(jìn)行前烘，使令光刻膠中的溶劑揮發(fā)出來(lái)，光刻膠得到固化，溫度110℃，時(shí)間6min。

(8)曝光、顯影與后烘：利用紫外光，采用接觸式曝光方式，滿足微米級(jí)線條的精度要求，曝光所得的圖形為插指圖形。

(9)濺射鍍膜、剝離：使用磁控濺射工藝，在室溫下將透明電極濺射沉積到樣品表面，使用丙酮超聲清洗，將光刻膠剝離掉。襯底表面便留有了具有特定形狀的電極圖形，所使用的透明電極為銦錫氧化物薄膜電極和鋁鋅氧化物薄膜電極，電極厚度為500nm，電極形狀插指圖形，電極的指寬和指間距在5um和20um。

(10)退火處理：步驟(9)結(jié)束后，對(duì)樣品進(jìn)行退火處理，退火溫度500℃。

實(shí)施例2

本發(fā)明公開(kāi)了一種新型全透明BZT薄膜變?nèi)莨艿闹苽浞椒?，包括以下步驟：

(1)固相燒結(jié)法合成BaZr_0.2Ti_0.8O₃靶材：按BaZr_0.2Ti_0.8O₃對(duì)應(yīng)元素的化學(xué)計(jì)量比稱(chēng)取原料BaCO₃、TiO₂和ZrO₂粉體，充分混合后壓制成型，置于電爐中于1250℃保溫10h燒制BaZr_0.2Ti_0.8O₃陶瓷靶材；原料BaCO₃、TiO₂和ZrO₂粉體的純度均在99％以上。

(2)襯底送料：將清潔干燥的石英玻璃襯底放入磁控濺射系統(tǒng)的真空室中，襯底為商用的石英玻璃襯底。

(3)磁控濺射系統(tǒng)調(diào)節(jié)：將磁控濺射系統(tǒng)的本底真空抽至1.0×10^～3Pa以下，然后加熱襯底至700℃。

(4)磁控濺射合成BaZr_0.2Ti_0.8O₃薄膜：在步驟(3)系統(tǒng)中，使用O₂/Ar混合氣作為生長(zhǎng)氣體，O₂/Ar比為0.3，生長(zhǎng)氣壓為0.5Pa，濺射功率為300W，利用磁控濺射沉積得到BaZr_0.2Ti_0.8O₃薄膜，Ar和O₂的純度均在99.99％以上，沉積得到的BaZr_0.2Ti_0.8O₃薄膜的厚度通過(guò)調(diào)節(jié)工藝參數(shù)或者沉積時(shí)間控制薄膜厚度，其厚度控制在350nm。

(5)降溫取樣：步驟(4)停止后，待襯底溫度降至100℃以下時(shí)，取出樣品。

(6)涂光刻膠：步驟(5)結(jié)束后，在BaZr_0.2Ti_0.8O₃薄膜表面旋涂光刻膠，利用勻膠機(jī)將光刻膠均勻的涂覆在BaZr_0.2Ti_0.8O₃薄膜表面；選擇轉(zhuǎn)速為3000轉(zhuǎn)/分鐘，保持時(shí)間30～60秒，得到的均勻的光刻機(jī)膜。

(7)烘干處理：對(duì)光刻機(jī)膜進(jìn)行前烘，使令光刻膠中的溶劑揮發(fā)出來(lái)，光刻膠得到固化，溫度120℃，時(shí)間3min。

(8)曝光、顯影與后烘：利用紫外光，采用接觸式曝光方式，滿足微米級(jí)線條的精度要求，曝光所得的圖形為插指圖形。

(9)濺射鍍膜、剝離：使用磁控濺射工藝，在室溫下將透明電極濺射沉積到樣品表面，使用丙酮超聲清洗，將光刻膠剝離掉。襯底表面便留有了具有特定形狀的電極圖形，所使用的透明電極為銦錫氧化物薄膜電極和鋁鋅氧化物薄膜電極，電極厚度為300nm，電極形狀插指圖形，電極的指寬和指間距在5um和20um。

(10)退火處理：步驟(9)結(jié)束后，對(duì)樣品進(jìn)行退火處理，退火溫度300℃。

實(shí)施例3

本發(fā)明公開(kāi)了一種新型全透明BZT薄膜變?nèi)莨艿闹苽浞椒?，包括以下步驟：

(1)固相燒結(jié)法合成BaZr_0.2Ti_0.8O₃靶材：按BaZr_0.2Ti_0.8O₃對(duì)應(yīng)元素的化學(xué)計(jì)量比稱(chēng)取原料BaCO₃、TiO₂和ZrO₂粉體，充分混合后壓制成型，置于電爐中于1200℃保溫10h燒制BaZr_0.2Ti_0.8O₃陶瓷靶材；原料BaCO₃、TiO₂和ZrO₂粉體的純度均在99％以上。

(2)襯底送料：將清潔干燥的石英玻璃襯底放入磁控濺射系統(tǒng)的真空室中，襯底為商用的石英玻璃襯底。

(3)磁控濺射系統(tǒng)調(diào)節(jié)：將磁控濺射系統(tǒng)的本底真空抽至1.0×10^～3Pa以下，然后加熱襯底至800℃。

(4)磁控濺射合成BaZr_0.2Ti_0.8O₃薄膜：在步驟(3)系統(tǒng)中，使用O₂/Ar混合氣作為生長(zhǎng)氣體，O₂/Ar比為0.01，生長(zhǎng)氣壓為2.75Pa，濺射功率為50W，利用磁控濺射沉積得到BaZr_0.2Ti_0.8O₃薄膜，Ar和O₂的純度均在99.99％以上，沉積得到的BaZr_0.2Ti_0.8O₃薄膜的厚度通過(guò)調(diào)節(jié)工藝參數(shù)或者沉積時(shí)間控制薄膜厚度，其厚度控制在600nm。

(5)降溫取樣：步驟(4)停止后，待襯底溫度降至100℃以下時(shí)，取出樣品。

(6)涂光刻膠：步驟(5)結(jié)束后，在BaZr_0.2Ti_0.8O₃薄膜表面旋涂光刻膠，利用勻膠機(jī)將光刻膠均勻的涂覆在BaZr_0.2Ti_0.8O₃薄膜表面；選擇轉(zhuǎn)速為4500轉(zhuǎn)/分鐘，保持時(shí)間30秒，得到的均勻的光刻機(jī)膜。

(7)烘干處理：對(duì)光刻機(jī)膜進(jìn)行前烘，使令光刻膠中的溶劑揮發(fā)出來(lái)，光刻膠得到固化，溫度120℃，時(shí)間8min。

(8)曝光、顯影與后烘：利用紫外光，采用接觸式曝光方式，滿足微米級(jí)線條的精度要求，曝光所得的圖形為插指圖形。

(9)濺射鍍膜、剝離：使用磁控濺射工藝，在室溫下將透明電極濺射沉積到樣品表面，使用丙酮超聲清洗，將光刻膠剝離掉。襯底表面便留有了具有特定形狀的電極圖形，所使用的透明電極為銦錫氧化物薄膜電極和鋁鋅氧化物薄膜電極，電極厚度為500nm，電極形狀插指圖形，電極的指寬和指間距在5um和20um。

(10)退火處理：步驟(9)結(jié)束后，對(duì)樣品進(jìn)行退火處理，退火溫度300℃。

實(shí)施例4

本發(fā)明公開(kāi)了一種新型全透明BZT薄膜變?nèi)莨艿闹苽浞椒?，包括以下步驟：

(1)固相燒結(jié)法合成BaZr_0.2Ti_0.8O₃靶材：按BaZr_0.2Ti_0.8O₃對(duì)應(yīng)元素的化學(xué)計(jì)量比稱(chēng)取原料BaCO₃、TiO₂和ZrO₂粉體，充分混合后壓制成型，置于電爐中于1280℃保溫6h燒制BaZr_0.2Ti_0.8O₃陶瓷靶材；原料BaCO₃、TiO₂和ZrO₂粉體的純度均在99％以上。

(2)襯底送料：將清潔干燥的石英玻璃襯底放入磁控濺射系統(tǒng)的真空室中，襯底為商用的石英玻璃襯底。

(3)磁控濺射系統(tǒng)調(diào)節(jié)：將磁控濺射系統(tǒng)的本底真空抽至1.0×10^～3Pa以下，然后加熱襯底至650℃。

(4)磁控濺射合成BaZr_0.2Ti_0.8O₃薄膜：在步驟(3)系統(tǒng)中，使用O₂/Ar混合氣作為生長(zhǎng)氣體，O₂/Ar比為0.13，生長(zhǎng)氣壓為3.5Pa，濺射功率為200W，利用磁控濺射沉積得到BaZr_0.2Ti_0.8O₃薄膜，Ar和O₂的純度均在99.99％以上，沉積得到的BaZr_0.2Ti_0.8O₃薄膜的厚度通過(guò)調(diào)節(jié)工藝參數(shù)或者沉積時(shí)間控制薄膜厚度，其厚度控制在500nm。

(5)降溫取樣：步驟(4)停止后，待襯底溫度降至100℃以下時(shí)，取出樣品。

(6)涂光刻膠：步驟(5)結(jié)束后，在BaZr_0.2Ti_0.8O₃薄膜表面旋涂光刻膠，利用勻膠機(jī)將光刻膠均勻的涂覆在BaZr_0.2Ti_0.8O₃薄膜表面；選擇轉(zhuǎn)速為5000轉(zhuǎn)/分鐘，保持時(shí)間38秒，得到的均勻的光刻機(jī)膜。

(7)烘干處理：對(duì)光刻機(jī)膜進(jìn)行前烘，使令光刻膠中的溶劑揮發(fā)出來(lái)，光刻膠得到固化，溫度117℃，時(shí)間6min。

(8)曝光、顯影與后烘：利用紫外光，采用接觸式曝光方式，滿足微米級(jí)線條的精度要求，曝光所得的圖形為插指圖形。

(9)濺射鍍膜、剝離：使用磁控濺射工藝，在室溫下將透明電極濺射沉積到樣品表面，使用丙酮超聲清洗，將光刻膠剝離掉。襯底表面便留有了具有特定形狀的電極圖形，所使用的透明電極為銦錫氧化物薄膜電極和鋁鋅氧化物薄膜電極，電極厚度為230nm，電極形狀插指圖形，電極的指寬和指間距在5um和20um。

(10)退火處理：步驟(9)結(jié)束后，對(duì)樣品進(jìn)行退火處理，退火溫度450℃。

實(shí)施例4制備所得的變?nèi)莨芫唧w結(jié)構(gòu)如圖1所示：變?nèi)莨馨ㄒr底1，襯底1上面設(shè)有BZT薄膜2，BZT薄膜2上面設(shè)有透明插指電極3。

實(shí)施例5

本發(fā)明公開(kāi)了一種新型全透明BZT薄膜變?nèi)莨艿闹苽浞椒?，包括以下步驟：

(1)采用固相燒結(jié)法制備BaZr_0.2Ti_0.8O₃靶材

按BaZr_0.2Ti_0.8O₃對(duì)應(yīng)元素的化學(xué)計(jì)量比稱(chēng)取原料BaCO₃、TiO₂和ZrO₂粉體，純度均為99.9％。經(jīng)充分混合后，在30Mpa的壓力下壓制成型，最后置于箱式電爐中逐步升溫至1200℃，并保溫10小時(shí)，燒制BaZr_0.2Ti_0.8O₃陶瓷靶材；

(2)將清潔干燥的石英玻璃襯底放入磁控濺射系統(tǒng)的真空室中；

(3)將磁控濺射系統(tǒng)的本底真空抽至5.0×10^-4Pa，然后加熱襯底至700℃；

(4)在步驟(3)系統(tǒng)中，使用O₂/Ar混合氣作為生長(zhǎng)氣體，O₂/Ar比為0.2，生長(zhǎng)氣壓為1.0Pa，濺射功率為100W，利用磁控濺射沉積得到厚度為300nm的BaZr_0.2Ti_0.8O₃薄膜；

(5)步驟(4)停止后，待襯底溫度降至100℃以下時(shí)，取出樣品；

(6)步驟(5)結(jié)束后，在BaZr_0.2Ti_0.8O₃薄膜表面旋涂光刻膠。

利用勻膠機(jī)將光刻膠均勻的涂覆在BaZr_0.2Ti_0.8O₃薄膜表面；選擇轉(zhuǎn)速為5000轉(zhuǎn)/分鐘，保持時(shí)間60秒，得到的均勻的光刻機(jī)膜，厚度為4um；

(7)對(duì)光刻機(jī)膜進(jìn)行前烘，溫度110℃，時(shí)間5min；

(8)曝光、顯影與后烘：利用紫外光，采用接觸式曝光方式，滿足微米級(jí)線條的精度要求；

(9)濺射鍍膜、剝離：使用磁控濺射工藝，在室溫下將AZO透明電極濺射沉積到樣品表面，厚度為300nm，使用丙酮超聲清洗，將光刻膠剝離掉。襯底表面便留有了具有特定形狀的電極圖形；

(10)步驟(9)結(jié)束后，對(duì)樣品進(jìn)行退火處理，退火溫度400℃。

對(duì)本實(shí)施例所得的樣品進(jìn)行光學(xué)透過(guò)性能和介電性能測(cè)試，具體測(cè)試曲線如圖2和圖3所示，經(jīng)檢測(cè)所得的制備全透明BZT薄膜變?nèi)莨茉诳梢?jiàn)光區(qū)的平均光學(xué)透過(guò)率為85％，所檢測(cè)的介電調(diào)諧率為70％(10V電場(chǎng)下)。

實(shí)施例6

本發(fā)明公開(kāi)了一種新型全透明BZT薄膜變?nèi)莨艿闹苽浞椒?，包括以下步驟：

(1)采用固相燒結(jié)法制備BaZr_0.2Ti_0.8O₃靶材

按BaZr_0.2Ti_0.8O₃對(duì)應(yīng)元素的化學(xué)計(jì)量比稱(chēng)取原料BaCO₃、TiO₂和ZrO₂粉體，純度均為99.9％。經(jīng)充分混合后，在30Mpa的壓力下壓制成型，最后置于箱式電爐中逐步升溫至1250℃，并保溫10小時(shí)，燒制BaZr_0.2Ti_0.8O₃陶瓷靶材；

(2)將清潔干燥的石英玻璃襯底放入磁控濺射系統(tǒng)的真空室中；

(3)將磁控濺射系統(tǒng)的本底真空抽至3.0×10^-4Pa，然后加熱襯底至700℃；

(4)在步驟(3)系統(tǒng)中，使用O₂/Ar混合氣作為生長(zhǎng)氣體，O₂/Ar比為0.2，生長(zhǎng)氣壓為1.0Pa，濺射功率為100W，利用磁控濺射沉積得到厚度為500nm的BaZr_0.2Ti_0.8O₃薄膜；

(5)步驟(4)停止后，待襯底溫度降至100℃以下時(shí)，取出樣品；

(6)步驟(5)結(jié)束后，在BaZr_0.2Ti_0.8O₃薄膜表面旋涂光刻膠。

利用勻膠機(jī)將光刻膠均勻的涂覆在BaZr_0.2Ti_0.8O₃薄膜表面；選擇轉(zhuǎn)速為3000轉(zhuǎn)/分鐘，保持時(shí)間60秒，得到的均勻的光刻機(jī)膜，厚度為6um；

(7)對(duì)光刻機(jī)膜進(jìn)行前烘，溫度120℃，時(shí)間5min；

(8)曝光、顯影與后烘：利用紫外光，采用接觸式曝光方式，滿足微米級(jí)線條的精度要求；

(9)濺射鍍膜、剝離：使用磁控濺射工藝，在室溫下將ITO透明電極濺射沉積到樣品表面，厚度為200nm，使用丙酮超聲清洗，將光刻膠剝離掉。襯底表面便留有了具有特定形狀的電極圖形；

(10)步驟(9)結(jié)束后，對(duì)樣品進(jìn)行退火處理，退火溫度300℃。

經(jīng)檢測(cè)所得的制備全透明BZT薄膜變?nèi)莨茉诳梢?jiàn)光區(qū)的平均光學(xué)透過(guò)率為82％，所檢測(cè)的介電調(diào)諧率為61％。

實(shí)施例7

本發(fā)明公開(kāi)了一種新型全透明BZT薄膜變?nèi)莨艿闹苽浞椒?，包括以下步驟：

(1)采用固相燒結(jié)法制備BaZr_0.2Ti_0.8O₃靶材

按BaZr_0.2Ti_0.8O₃對(duì)應(yīng)元素的化學(xué)計(jì)量比稱(chēng)取原料BaCO₃、TiO₂和ZrO₂粉體，純度均為99.9％。經(jīng)充分混合后，在30Mpa的壓力下壓制成型，最后置于箱式電爐中逐步升溫至1300℃，并保溫5小時(shí)，燒制BaZr_0.2Ti_0.8O₃陶瓷靶材；

(2)將清潔干燥的石英玻璃襯底放入磁控濺射系統(tǒng)的真空室中；

(3)將磁控濺射系統(tǒng)的本底真空抽至8.0×10^-4Pa以下，然后加熱襯底至600℃；

(4)在步驟(3)系統(tǒng)中，使用O₂/Ar混合氣作為生長(zhǎng)氣體，O₂/Ar比為0.2，生長(zhǎng)氣壓為3.0Pa，濺射功率為200W，利用磁控濺射沉積得到厚度為200nm的BaZr_0.2Ti_0.8O₃薄膜；

(5)步驟(4)停止后，待襯底溫度降至100℃以下時(shí)，取出樣品；

(6)步驟(5)結(jié)束后，在BaZr_0.2Ti_0.8O₃薄膜表面旋涂光刻膠。

利用勻膠機(jī)將光刻膠均勻的涂覆在BaZr_0.2Ti_0.8O₃薄膜表面；選擇轉(zhuǎn)速為6000轉(zhuǎn)/分鐘，保持時(shí)間40秒，得到的均勻的光刻機(jī)膜，厚度為4um；

(7)對(duì)光刻機(jī)膜進(jìn)行前烘，溫度110℃，時(shí)間5min；

(8)曝光、顯影與后烘：利用紫外光，采用接觸式曝光方式，滿足微米級(jí)線條的精度要求；

(9)濺射鍍膜、剝離：使用磁控濺射工藝，在室溫下將AZO透明電極濺射沉積到樣品表面,厚度為200nm，使用丙酮超聲清洗，將光刻膠剝離掉。襯底表面便留有了具有特定形狀的電極圖形；

(10)步驟(9)結(jié)束后，對(duì)樣品進(jìn)行退火處理，退火溫度500℃。

經(jīng)檢測(cè)所得的制備的全透明BZT薄膜變?nèi)莨茉诳梢?jiàn)光區(qū)的平均光學(xué)透過(guò)率為88％，所檢測(cè)的介電調(diào)諧率為67％。

實(shí)施例8

本發(fā)明公開(kāi)了一種新型全透明BZT薄膜變?nèi)莨艿闹苽浞椒?，包括以下步驟：

(1)采用固相燒結(jié)法制備BaZr_0.2Ti_0.8O₃靶材

按BaZr_0.2Ti_0.8O₃對(duì)應(yīng)元素的化學(xué)計(jì)量比稱(chēng)取原料BaCO₃、TiO₂和ZrO₂粉體，純度均為99.9％。經(jīng)充分混合后，在30Mpa的壓力下壓制成型，最后置于箱式電爐中逐步升溫至1300℃，并保溫50小時(shí)，燒制BaZr_0.2Ti_0.8O₃陶瓷靶材；

(2)將清潔干燥的石英玻璃襯底放入磁控濺射系統(tǒng)的真空室中；

(3)將磁控濺射系統(tǒng)的本底真空抽至8.0×10^-4Pa以下，然后加熱襯底至800℃；

(4)在步驟(3)系統(tǒng)中，使用O₂/Ar混合氣作為生長(zhǎng)氣體，O₂/Ar比為0.5，生長(zhǎng)氣壓為5.0Pa，濺射功率為50W，利用磁控濺射沉積得到厚度為400nm的BaZr_0.2Ti_0.8O₃薄膜；

(5)步驟(4)停止后，待襯底溫度降至100℃以下時(shí)，取出樣品；

(6)步驟(5)結(jié)束后，在BaZr_0.2Ti_0.8O₃薄膜表面旋涂光刻膠。

利用勻膠機(jī)將光刻膠均勻的涂覆在BaZr_0.2Ti_0.8O₃薄膜表面；選擇轉(zhuǎn)速為6000轉(zhuǎn)/分鐘，保持時(shí)間30秒，得到的均勻的光刻機(jī)膜，厚度為4um；

(7)對(duì)光刻機(jī)膜進(jìn)行前烘，溫度110℃，時(shí)間5min；

(8)曝光、顯影與后烘：利用紫外光，采用接觸式曝光方式，滿足微米級(jí)線條的精度要求；

(9)濺射鍍膜、剝離：使用磁控濺射工藝，在室溫下將AZO透明電極濺射沉積到樣品表面，厚度為500nm，使用丙酮超聲清洗，將光刻膠剝離掉。襯底表面便留有了具有特定形狀的電極圖形；

(10)步驟(9)結(jié)束后，對(duì)樣品進(jìn)行退火處理，退火溫度600℃。

經(jīng)檢測(cè)所得的制備的全透明BZT薄膜變?nèi)莨茉诳梢?jiàn)光區(qū)的平均光學(xué)透過(guò)率為83％，所檢測(cè)的介電調(diào)諧率為63％。

以上所述，僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明作任何形式上的限制；凡本行業(yè)的普通技術(shù)人員均可按說(shuō)明書(shū)所示和以上所述而順暢地實(shí)施本發(fā)明；但是，凡熟悉本專(zhuān)業(yè)的技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，可利用以上所揭示的技術(shù)內(nèi)容而作出的些許更動(dòng)、修飾與演變的等同變化，均為本發(fā)明的等效實(shí)施例；同時(shí)，凡依據(jù)本發(fā)明的實(shí)質(zhì)技術(shù)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何等同變化的更動(dòng)、修飾與演變等，均仍屬于本發(fā)明的技術(shù)方案的保護(hù)范圍之內(nèi)。