技術(shù)特征：

1.一種氧化鋅-氧化鐠薄膜壓敏電阻器的制備方法，其特征在于，所述方法利用射頻磁控濺射方法，采用燒結(jié)氧化鋅陶瓷或燒結(jié)復(fù)合氧化鋅陶瓷為基質(zhì)靶材，其他金屬或其氧化物為摻雜靶材，在優(yōu)化的磁控濺射工藝下，在導(dǎo)電基片上沉積得到低電阻率的氧化鋅薄膜，然后將其埋入氧化鐠粉末中進(jìn)行熱浸，獲得高性能的氧化鋅-氧化鐠薄膜壓敏電阻，包括以下步驟：

(1)在射頻磁控濺射設(shè)備中，以燒結(jié)氧化鋅陶瓷或燒結(jié)復(fù)合氧化鋅陶瓷為基質(zhì)靶材，金屬Fe、Co、Ni、Mn及其氧化物中的一種或多種為摻雜靶材，將靶材固定在靶位上；將清潔基片固定在樣品臺上；開啟機(jī)械泵抽至低真空，系統(tǒng)真空度達(dá)到0.1Pa時(shí)開啟分子泵，直至系統(tǒng)的真空度達(dá)到3×10^-4Pa以上；

(2)通入工作氣體氬氣，首先進(jìn)行預(yù)濺射1-10min，以此除去靶材表面的污染物；當(dāng)輝光穩(wěn)定下來后，在環(huán)境溫度下，在Ar或Ar/O₂混合氣體中，開始氧化鋅薄膜的濺射沉積；

(3)從磁控濺射設(shè)備中取出所制備的薄膜樣品，在馬弗爐中，把制備好的氧化鋅薄膜埋在市售分析純Pr₆O₁₁粉末中進(jìn)行熱浸；熱浸后，將樣品隨爐冷卻到室溫；

(4)在所得含氧化鋅-氧化鐠復(fù)合薄膜的樣品的上下表面(薄膜和基片)上分別被電極，即得到所述壓敏電阻器。

2.按照權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟(1)中的燒結(jié)氧化鋅陶瓷的化學(xué)組成為ZnO_n，n在0.6-0.99之間；燒結(jié)復(fù)合氧化鋅陶瓷主相為氧化鋅，摻雜Fe、Co、Ni、Mn的氧化物之一種或多種；所述摻雜靶材為金屬Fe、Co、Ni、Mn及其氧化物中的一種或多種；所述基片為高摻雜導(dǎo)電硅片、銅片、鉑片中的一種；所述步驟(2)中的氬氣和氧氣均為高純氣體，純度在99.99vol.％以上；所述步驟(3)中的Pr₆O₁₁粉末為市售分析純；所述步驟(4)中的電極材料為銀、鋁、鈀、鉑、金中的一種。

3.按照權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟(2)中氧化鋅薄膜的濺射沉積條件為：以Ar為濺射氣體，在Ar或O₂/Ar混合氣體中，在環(huán)境溫度下，濺射燒結(jié)氧化鋅陶瓷靶、燒結(jié)復(fù)合氧化鋅陶瓷靶和摻雜金屬或其氧化物靶，濺射功率為20-240W，濺射氣壓為0.3-4.0Pa，沉積時(shí)間為15-100min；且在Ar/O₂混合氣體中進(jìn)行薄膜濺射沉積時(shí)，O₂/Ar混合氣體中二者的體積比為0-3；所獲得的氧化鋅薄膜在未摻雜時(shí)為純的缺氧型氧化鋅薄膜或化學(xué)計(jì)量比ZnO薄膜，在摻雜時(shí)為摻雜氧化鋅薄膜。

4.按照權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟(3)中氧化鋅薄膜的熱浸工藝條件為：熱浸溫度為300-800℃，保溫時(shí)間為30-150min。