技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種p型指數(shù)摻雜結(jié)構(gòu)GaN光電陰極材料的生長方法，通過在藍(lán)寶石襯底上吸附鎵、氮和鎂原子，形成p型指數(shù)摻雜結(jié)構(gòu)的GaN薄膜，生長出的GaN光電陰極材料具有連續(xù)的內(nèi)建電場，且該方法制備思路清晰、方法簡單，生長出的GaN光電陰極性能顯著提高。

技術(shù)研發(fā)人員：王曉暉;張益軍;楊明珠
受保護(hù)的技術(shù)使用者：電子科技大學(xué)
文檔號碼：201611024168
技術(shù)研發(fā)日：2016.11.18
技術(shù)公布日：2017.02.22