1.一種p型指數(shù)摻雜結構GaN光電陰極材料的生長方法，其特征在于，包括以下步驟：
A、將清洗后雙面拋光的c軸向藍寶石襯底置于原子層沉積系統(tǒng)生長室內(nèi)；
B、向所述原子層沉積系統(tǒng)生長室內(nèi)通入鎵源氣體和載體氣體，所述的鎵源氣體作為第一反應前驅體在藍寶石襯底上進行化學吸附，所述鎵源氣體中的鎵原子吸附在所述的藍寶石襯底上；
C、吸附在藍寶石襯底上的鎵原子與電離后的氮源前驅體發(fā)生反應，直到所述藍寶石襯底表面的鎵原子完全反應；
D、向原子層沉積系統(tǒng)中通入作為摻雜元素的前驅體鎂源氣體和載體氣體，類似鎵原子的吸附過程，鎂原子會吸附在材料的生長表面，形成p型摻雜；
E、按照一定的比例關系重復步驟B、C、D，并且在每個步驟后都通入清洗氣體，即可在所述藍寶石襯底上形成p型指數(shù)摻雜結構的GaN薄膜。
2.如權利要求1所述的p型指數(shù)摻雜結構GaN光電陰極材料的生長方法，其特征在于，所述鎵源氣體是氯化鎵或三甲基鎵。
3.如權利要求1所述的p型指數(shù)摻雜結構GaN光電陰極材料的生長方法，其特征在于，所述的清洗氣體和載體氣體是氬氣。
4.如權利要求1所述的p型指數(shù)摻雜結構GaN光電陰極材料的生長方法，其特征在于，所述的氮源前驅體是氨氣。
5.如權利要求1所述的p型指數(shù)摻雜結構GaN光電陰極材料的生長方法，其特征在于，所述的鎂源前驅體是二茂鎂。