本發(fā)明涉及一種LED封裝
技術(shù)領(lǐng)域：
，尤其涉及一種COB光源。
背景技術(shù)：
：LED作為新一代光源，具有節(jié)能、環(huán)保、安全、壽命長(zhǎng)、低功耗、低熱、高亮度、防水、微型、防震、易調(diào)光、光束集中、維護(hù)簡(jiǎn)便等特點(diǎn)，可以廣泛應(yīng)用于各種指示、顯示、裝飾、背光源、普通照明等領(lǐng)域。COB光源封裝，即板上芯片封裝，是裸芯片貼裝技術(shù)之一，LED芯片貼裝在印刷線(xiàn)路板上，芯片與基板的電氣連接用引線(xiàn)縫合方法實(shí)現(xiàn)，并用樹(shù)脂覆蓋以確保可靠性。隨著COB照明產(chǎn)品的廣泛應(yīng)用，人們對(duì)COB產(chǎn)品的性能和光色質(zhì)量也越來(lái)越重視?，F(xiàn)在市場(chǎng)上大部分COB產(chǎn)品的顯色指數(shù)都不高（一般顯色指數(shù)Ra低于70）,對(duì)物體的色彩還原性較差，我們所見(jiàn)到的物體顏色容易失真或偏色，不適合人眼視覺(jué)偏好；另外普通COB產(chǎn)品電源一般都為DC低電壓，不同功率的COB產(chǎn)品需要配不同規(guī)格的電源，這樣就會(huì)導(dǎo)致電源種類(lèi)多，電源成本增加，同時(shí)由于低壓電源的轉(zhuǎn)換效率比高壓電源低一些。因此，有必要提出一種新型的COB光源，解決以上問(wèn)題。本發(fā)明提出一種COB光源，顯色指數(shù)高，更好地還原物體真實(shí)的顏色，有利于人眼的健康，電源轉(zhuǎn)換效率高。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種COB光源，顯色指數(shù)高，更好地還原物體真實(shí)的顏色，有利于人眼的健康，電源轉(zhuǎn)換效率高。為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提出一種COB光源，包括基板、至少一個(gè)LED芯片、圍壩以及熒光膠，所述LED芯片為高壓藍(lán)光LED芯片設(shè)置于所述基板上，所述圍壩呈閉合環(huán)狀結(jié)構(gòu)并設(shè)置于基板上，所述LED芯片設(shè)置于所述圍壩內(nèi)，所述熒光膠填充于所述圍壩內(nèi)，所述熒光膠由硅膠、黃綠色熒光粉和紅色熒光粉組成，所述黃綠色熒光粉的發(fā)射峰值波長(zhǎng)為530nm-540nm，其總質(zhì)量占所述硅膠總質(zhì)量的8-12%，所述紅色熒光粉的發(fā)射峰值波長(zhǎng)為620nm-640nm，其總質(zhì)量占所述硅膠總質(zhì)量的8-12%。優(yōu)選地，所述黃綠色熒光粉的發(fā)射峰值波長(zhǎng)為530nm-540nm，其總質(zhì)量占所述硅膠總質(zhì)量的10%，所述紅色熒光粉的發(fā)射峰值波長(zhǎng)為620nm-640nm，其總質(zhì)量占所述硅膠總質(zhì)量的10%。優(yōu)選地，所述基板為金屬基板，其正面設(shè)置有固晶區(qū)，所述固晶區(qū)表面設(shè)置有高反射層，所述高反射層的反射率高于98%。優(yōu)選地，所述高反射層為鏡面鋁層。優(yōu)選地，所述高壓藍(lán)光LED芯片的制備過(guò)程是將一個(gè)大尺寸芯片劃分為多個(gè)小發(fā)光單元，發(fā)光單元之間通過(guò)隔離溝槽隔離開(kāi)來(lái)，再將發(fā)光單元通過(guò)電極連接橋串聯(lián)。優(yōu)選地，所述隔離溝槽的寬度為19-21μm。優(yōu)選地，所述隔離溝槽的寬度為20μm。優(yōu)選地，所述高壓藍(lán)光LED芯片的主波長(zhǎng)范圍為450nm-460nm，電壓為9-9.3V，波長(zhǎng)為455-457.5nm，功率為3-5W，且至少有23個(gè)所述高壓藍(lán)光LED芯片相互串聯(lián)。優(yōu)選地，所述圍壩呈閉合環(huán)狀結(jié)構(gòu)，設(shè)置于所述基板的正面并包圍所述固晶區(qū)，所述圍壩由白色圍壩膠制成，所述圍壩的直徑為9~13mm，所述圍壩壩體的寬度為0.9~1.3mm。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果在于：1、本發(fā)明提供的COB光源，采用高壓藍(lán)光LED芯片激發(fā)黃綠色熒光粉和紅色熒光粉，其顯色指數(shù)Ra大于80，色域更高，突破了傳統(tǒng)COB光源光譜色域低、顯色指數(shù)低的問(wèn)題，能夠更好地還原物體真實(shí)的顏色和更有利于人眼的健康。2、本發(fā)明提供的COB光源，所述固晶區(qū)表面設(shè)置有高反射層，所述高反射層的反射率高于98%，本實(shí)施例中，所述高反射層為鏡面鋁層，用于提高COB光源的反射率，提高所述COB光源的出光效率。3、本發(fā)明提供的COB光源，高壓藍(lán)光LED芯片的隔離溝槽寬度設(shè)置為19-21μm，優(yōu)化了LED芯片的電性能及光性能。4、本發(fā)明提供的COB光源，采用的硅膠為耐高溫材料，其可耐溫250℃以上。COB光源與普通的LED光源相比，發(fā)熱更高，此處采用耐高溫的硅膠，防止高溫導(dǎo)致熒光膠老化，提高了COB光源的可靠性。5、本發(fā)明提供的COB光源，COB光源的電壓接近220V，電源轉(zhuǎn)換效率更高，另一方面，統(tǒng)一了電源規(guī)格，降低了電源成本。附圖說(shuō)明圖1為本發(fā)明COB光源的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為傳統(tǒng)COB光源的光譜分析曲線(xiàn)圖；圖3為本發(fā)明COB光源的光譜分析曲線(xiàn)圖。具體實(shí)施方式為了使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和優(yōu)選實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明。如圖1所示，一種COB光源，包括基板1、至少一個(gè)LED芯片2、圍壩3以及熒光膠(圖中未示出)，所述LED芯片2為高壓藍(lán)光LED芯片設(shè)置于所述基板1上，所述圍壩3呈閉合環(huán)狀結(jié)構(gòu)并設(shè)置于基板1上，所述LED芯片2設(shè)置于所述圍壩3內(nèi)，所述熒光膠填充于所述圍壩3內(nèi)，所述熒光膠由硅膠、黃綠色熒光粉和紅色熒光粉組成。所述基板1為金屬基板，其正面設(shè)置有固晶區(qū)11，所述固晶區(qū)用于安裝LED芯片2，更優(yōu)地，所述固晶區(qū)11的表面設(shè)置有高反射層，所述高反射層的反射率高于98%，本實(shí)施例中，所述高反射層為鏡面鋁層，用于提高COB光源的反射率，提高所述COB光源的出光效率。所述LED芯片2為高壓藍(lán)光LED芯片，所述高壓藍(lán)光LED芯片，其制備過(guò)程是將一個(gè)大尺寸芯片劃分為多個(gè)小發(fā)光單元，發(fā)光單元之間通過(guò)隔離溝槽隔離開(kāi)來(lái)，再將發(fā)光單元通過(guò)電極連接橋串聯(lián)，從而實(shí)現(xiàn)的一種小電流、大電壓的高功率LED芯片。本發(fā)明為了優(yōu)化LED芯片的電性能及光性能，將LED芯片的隔離溝槽寬度設(shè)置為19-21μm,具體地，所述LED芯片的隔離溝槽寬度為19μm，20μm，21μm。當(dāng)隔離溝槽寬度小于19μm時(shí)，金屬蒸鍍質(zhì)量較差，電阻率較高，使得電極連接橋的電阻較高，所以芯片的電壓較大；當(dāng)隔離溝槽寬度為19-21μm時(shí)，金屬蒸鍍質(zhì)量較好，電阻率較低，使得電極連接橋的電阻減小，所以芯片的電壓下降；當(dāng)隔離溝槽寬度大于21μm時(shí)，電極連接橋的電阻開(kāi)始增加增大，所以芯片的電壓升高。輸出光功率呈現(xiàn)先升后降的趨勢(shì)，是由于相鄰發(fā)光單元的光耦合能力不同。更佳地，LED芯片的隔離溝槽寬度設(shè)置為20μm，LED芯片的電性能及光性能最優(yōu)。本發(fā)明提供的所述LED芯片2為高壓藍(lán)光LED芯片，主波長(zhǎng)范圍為450nm-460nm，電壓為9-9.3V，波長(zhǎng)為455-457.5nm,功率為3-5W，為了使COB光源的電壓接近市電電壓，超過(guò)200V，且至少有23個(gè)所述LED芯片相互串聯(lián)，本實(shí)施例中，所述LED芯片的數(shù)量為27個(gè)LED相互串聯(lián)并與一個(gè)LED芯片并聯(lián)，COB光源的電壓接近220V，電源轉(zhuǎn)換效率更高，另一方面，統(tǒng)一了電源規(guī)格，降低了電源成本。所述圍壩3呈閉合環(huán)狀結(jié)構(gòu)，設(shè)置于所述基板的正面并包圍所述固晶區(qū)11。所述圍壩3由白色圍壩膠制成，所述圍壩的直徑為9~13mm，所述圍壩壩體的寬度為0.9~1.3mm，具體地，所述圍壩壩體的寬度為0.9mm，1.0mm，1.1mm，1.3mm。本發(fā)明采用白色圍壩膠制作所述圍壩，用于提高COB光源的反射率，所述圍壩壩體的寬度設(shè)置為0.9~1.3mm，若所述圍壩壩體的寬度小于0.9mm，則圍壩與所述基板的結(jié)合力過(guò)小，容易脫落，COB光源的可靠性差，若所述圍壩壩體的寬度大于1.3mm，則占用所述基板過(guò)多的面積，不利于COB光源的小型化設(shè)計(jì)。所以熒光膠由硅膠，黃綠色熒光粉和紅色熒光粉組成。本發(fā)明提供的硅膠為耐高溫材料，其可耐溫250℃以上。COB光源與普通的LED光源相比，發(fā)熱更高，此處采用耐高溫的硅膠，防止高溫導(dǎo)致熒光膠老化，提高了COB光源的可靠性。所述黃綠色熒光粉的發(fā)射峰值波長(zhǎng)為530nm-540nm，其總質(zhì)量占所述硅膠總質(zhì)量的8-12%，更佳地，所述黃綠色熒光粉的總質(zhì)量占所述硅膠的10%。所述紅色熒光粉的發(fā)射峰值波長(zhǎng)為620nm-640nm，其總質(zhì)量占所述硅膠總質(zhì)量的8-12%，更佳地，所述紅色熒光粉的總質(zhì)量占所述硅膠的10%。將本發(fā)明的COB光源采用中為3900T測(cè)試機(jī)進(jìn)行光電參數(shù)測(cè)試,結(jié)果表1：表1COB光源光電測(cè)試參數(shù)色溫(K)CIE-XCIE-Y光通量(lm)光效率(lm/w)電壓VF(V)電流(mA)顯色指數(shù)30280.43820.4094464.9831312351581如圖2和3所示，圖2為傳統(tǒng)COB光源的光譜分析曲線(xiàn)圖，圖3為本發(fā)明提供的COB光源的光譜分析曲線(xiàn)圖，由圖2、圖3以及表1可知，本發(fā)明采用高壓藍(lán)光LED芯片激發(fā)以上成分、配比及波長(zhǎng)的熒光粉，其顯色指數(shù)Ra大于80，色域更高，突破了傳統(tǒng)COB光源光譜色域低、顯色指數(shù)低的問(wèn)題，能夠更好地還原物體真實(shí)的顏色和更有利于人眼的健康。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果在于：1、本發(fā)明提供的COB光源，采用高壓藍(lán)光LED芯片激發(fā)黃綠色熒光粉和紅色熒光粉，其顯色指數(shù)Ra大于80，色域更高，突破了傳統(tǒng)COB光源光譜色域低、顯色指數(shù)低的問(wèn)題，能夠更好地還原物體真實(shí)的顏色和更有利于人眼的健康。2、本發(fā)明提供的COB光源，所述固晶區(qū)表面設(shè)置有高反射層，所述高反射層的反射率高于98%，本實(shí)施例中，所述高反射層為鏡面鋁層，用于提高COB光源的反射率，提高所述COB光源的出光效率。3、本發(fā)明提供的COB光源，高壓藍(lán)光LED芯片的隔離溝槽寬度設(shè)置為19-21μm，優(yōu)化了LED芯片的電性能及光性能。4、本發(fā)明提供的COB光源，采用的硅膠為耐高溫材料，其可耐溫250℃以上。COB光源與普通的LED光源相比，發(fā)熱更高，此處采用耐高溫的硅膠，防止高溫導(dǎo)致熒光膠老化，提高了COB光源的可靠性。5、本發(fā)明提供的COB光源，COB光源的電壓接近220V，電源轉(zhuǎn)換效率更高，另一方面，統(tǒng)一了電源規(guī)格，降低了電源成本。以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本
技術(shù)領(lǐng)域：
的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。當(dāng)前第1頁(yè)1 2 3