相關(guān)申請案的交叉參考

本申請案主張2015年10月16日申請的第62/242,806號美國臨時申請案的權(quán)益和優(yōu)先權(quán)，所述臨時申請案的內(nèi)容全文以引用的方式并入本文中。

本發(fā)明涉及一種半導體裝置封裝，且更明確地說涉及一種包含封蓋結(jié)構(gòu)的半導體裝置封裝。

背景技術(shù)：

在封裝半導體裝置的過程中，使用封蓋來保護襯底上的裸片和其它電子裝置免遭損壞。封蓋膠合到襯底從而形成半導體裝置封裝。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

在一或多個實施例中，一種半導體裝置封裝包含載體、封蓋、第一粘合劑層和約束結(jié)構(gòu)。所述載體包含表面和載體的所述表面上的第一導電墊。封蓋包含在載體的所述表面上的第一部分和與所述第一部分分離的第二部分。第一導電墊安置于封蓋的第一部分與載體的表面之間。第一粘合劑層包含在封蓋的第一部分與第一導電墊之間的第一部分。約束結(jié)構(gòu)包圍第一粘合劑層。

在一或多個實施例中，一種用于半導體裝置封裝的封蓋包含底部部分、第一部分和第二部分。第一部分在某一方向上從底部部分延伸。第二部分在所述方向上從底部部分延伸且由第一部分包圍。底部部分、第一部分和第二部分界定在第一部分與第二部分之間且使第一部分與第二部分分離的溝槽。

在一或多個實施例中，一種半導體裝置封裝包含載體、封蓋、電子組件和封蓋與載體之間的導電粘合劑層。封蓋安置于載體上且界定空間和溝槽。電子組件在所述空間中安置于載體上。

附圖說明

當結(jié)合附圖閱讀時，從以下詳細描述最好地理解本發(fā)明的各方面。應注意，各種結(jié)構(gòu)可能未按比例繪制，且各種結(jié)構(gòu)的尺寸可出于論述的清楚起見任意增大或減小。

圖1a為根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的半導體裝置封裝的橫截面圖；

圖1b為根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的半導體裝置封裝的橫截面圖；

圖1c為根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的半導體裝置封裝的橫截面圖；

圖1d為根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的半導體裝置封裝的橫截面圖；

圖1e為根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的封蓋結(jié)構(gòu)的透視圖；

圖2a為根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的半導體裝置封裝的橫截面圖；

圖2b為根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的半導體裝置封裝的橫截面圖；

圖3a為根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的半導體裝置封裝的橫截面圖；

圖3b為根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的半導體裝置封裝的橫截面圖；

圖3c為根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的半導體裝置封裝的橫截面圖；以及

圖3d為根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的半導體裝置封裝的橫截面圖。

具體實施方式

以下揭示內(nèi)容提供用于實施所提供的標的物的不同特征的許多不同實施例或?qū)嵗Ｏ挛拿枋鼋M件及布置的特定實例以簡化本發(fā)明。當然，這些組件以及布置僅為實例且并不希望進行限制。舉例來說，在以下描述中，第一特征形成在第二特征之上或上可包含第一特征與第二特征直接接觸地形成的實施例，并且還可包含額外特征可形成于第一特征與第二特征之間從而使得第一特征與第二特征可以不直接接觸的實施例。此外，本發(fā)明可在各種實例中重復參考數(shù)字和/或字母。此重復是出于簡單和清楚的目的，且本身并不指示所論述的各種實施例和/或配置之間的關(guān)系。

此外，本文可為易于描述而使用例如“下方”、“之下”、“下部”、“上方”、“之上”、“上部”、“上”等等空間相對術(shù)語來描述如圖中所說明的一個組件或特征與另一(或多個)組件或特征的關(guān)系。除圖中所描繪的定向之外，本發(fā)明還希望涵蓋在使用或操作中的裝置的不同定向。裝置可以其它方式定向(旋轉(zhuǎn)90度或呈其它定向)，且本文中所使用的空間相對描述詞同樣地可相應地進行解釋。

在一些傳感器裝置中，裝置的封蓋包含導電材料，使得當觸摸封蓋時，電傳導到在上面安置封蓋的襯底。為在封蓋與襯底之間提供導電路徑，導電粘合劑材料(例如，導電環(huán)氧樹脂)可施加在封蓋與襯底之間，例如施加在結(jié)合墊或襯底的其它導電區(qū)域上。另外，不導電粘合劑材料(例如，不導電環(huán)氧樹脂)可施加在封蓋與襯底之間以將封蓋附接到襯底。不導電粘合劑材料可施加在封蓋與襯底之間在并不存在導電粘合劑材料的任何地方，或可施加在沿著封蓋的各種位置處。

導電粘合劑材料和不導電粘合劑材料中的一或兩者可滲移超過既定安置區(qū)域。此外，當導電粘合劑材料和不導電粘合劑材料彼此接觸時，導電粘合劑材料和不導電粘合劑材料可擴散在一起，或?qū)щ娬澈蟿┎牧虾筒粚щ娬澈蟿┎牧现械囊徽呖蓾B移到另一者中。滲移和/或擴散可致使(例如)斷路、短路或較差粘合，這些可導致可靠性問題。

圖1a為根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的半導體裝置封裝1a的橫截面圖。如圖1a中所示，半導體裝置封裝1a包含載體10、裸片131和132以及封蓋14。

載體10可為具有頂部表面101的襯底。載體10包含表面101上的結(jié)合墊111、112和113。結(jié)合墊111、112和113為導電的，且也可被稱作導電墊。結(jié)合墊111經(jīng)配置以電連接到裸片131。結(jié)合墊112經(jīng)配置以電連接到封蓋14。結(jié)合墊112用于傳導不同于接地信號的電信號。結(jié)合墊112用于在封蓋14與載體10之間傳導電信號；例如，結(jié)合墊112用于從導電的封蓋14接收電信號。在操作中，初始電信號經(jīng)由結(jié)合墊112從封蓋14傳遞到載體10上的裸片131或132，物件(圖1a中未圖示)可隨后接觸導電封蓋14以改變封蓋14上的電信號，且所改變的電信號可經(jīng)由結(jié)合墊112發(fā)送到裸片131或132。載體10包含互連結(jié)構(gòu)(例如，跡線、通孔等)以將裸片131或132電連接到結(jié)合墊112。結(jié)合墊113經(jīng)配置以電連接到裸片132。載體10可為(例如)印刷電路板、插入件、引線框或任何其它合適的載體。在本發(fā)明的其它實施例中，結(jié)合墊112可接地。

裸片131和132安置于載體10上。裸片131和132中的每一者為導線結(jié)合型芯片或其它電子組件。在本發(fā)明的其它實施例中，裸片131和132中的至少一者為倒裝芯片型芯片或其它電子組件。裸片131和132中的每一者的表面(未表示)直接安置在載體10的表面101上，而不用粘合劑材料。在本發(fā)明的其它實施例中，裸片131和132中的每一者的表面(未表示)用粘合劑材料(未圖示)(例如環(huán)氧樹脂或其它合適的粘合劑材料)附接到載體10的表面101。裸片131和132中的至少一者為用以檢測封蓋14上電力的變化的傳感器裝置。

導電組件w1和w2在圖1a中說明為結(jié)合線，其將裸片131連接到載體10的結(jié)合墊111且將裸片132連接到載體10的結(jié)合墊113。然而，應理解，可作為替代或另外使用其它類型的導電組件w1和w2，例如(但不限于)焊料凸塊、支柱或類似者。舉例來說，接觸件(未圖示)可安置于裸片131和132中的每一者的表面(未表示)上，且導電組件w1和w2可將裸片131和132中的每一者的表面上的接觸件(未圖示)分別電連接到載體10的結(jié)合墊111和113。然而，在其它實施例中，導電組件w1和w2被省略，且裸片131和132中的每一者的表面上的接觸件(未圖示)例如通過超聲波焊接或其它技術(shù)直接結(jié)合到載體10的結(jié)合墊111和113。

封蓋14為導電的，且包含導電材料。封蓋14具有部分141、部分142和基底部分143。部分141在某一方向上從基底部分143延伸(例如，部分141從基底部分143朝下延伸，如圖1a中所展示)。部分142在某一方向上從基底部分143延伸(例如，部分142從基底部分143朝下延伸)。如圖1a中所描繪，部分141和部分142在相同方向上從基底部分143延伸。部分141與部分142分離。封蓋14在載體10的表面101上方界定空間a。封蓋14在載體10的表面101上方界定空間b。封蓋14還在載體10的表面101上方界定溝槽c。溝槽c由部分141、部分142和基底部分143界定。溝槽c使部分141和部分142分離，且安置于部分141與部分142之間。封蓋14的部分141界定空間a?？臻ga容納裸片131、結(jié)合墊111和導電組件w1。封蓋14的部分141還界定空間b?？臻gb容納裸片132、結(jié)合墊113和導電組件w2。部分141具有朝向載體10的表面101的底部表面144。部分142具有朝向載體10的表面101的底部表面145。

導電粘合劑層16安置于封蓋14的部分142與載體10的結(jié)合墊112之間。導電粘合劑層16安置于封蓋14的部分142的底部表面145上。導電粘合劑層16包含導電粘合劑材料或由導電粘合劑材料形成。導電粘合劑層16將封蓋14的部分142電連接到載體10的結(jié)合墊112使得封蓋14上的電信號的改變可由裸片131或132經(jīng)由由封蓋14、導電粘合劑層16、結(jié)合墊112和載體10的互連結(jié)構(gòu)(圖1a中未圖示)形成的導電路徑檢測到。不導電粘合劑層15安置于封蓋14的部分141與載體10的表面101之間。不導電粘合劑層15安置于封蓋14的部分141的底部表面144上以將封蓋14牢固地附接到載體10。不導電粘合劑層15安置于封蓋14與載體10之間在并不存在導電粘合劑層16的任何地方。不導電粘合劑層16包含不導電或絕緣粘合劑材料或由不導電或絕緣粘合劑材料形成。

圖1e為根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的封蓋14的結(jié)構(gòu)的透視圖。部分141通過溝槽c與部分142分離。溝槽c包圍(例如，完全包圍)部分142。部分141包圍(例如，完全包圍)部分142。溝槽c由部分141、部分142和基底部分143界定。溝槽c在部分141與部分142之間。封蓋14的部分141界定空間a。封蓋14的部分141還界定空間b。部分141具有底部表面144。部分142具有底部表面145。在將封蓋14附接到載體10的操作中(如參看圖1a所說明和描述)，導電粘合劑層16的導電粘合劑材料施加在封蓋14的部分142的底部表面145上，不導電粘合劑層15的不導電粘合劑材料施加在封蓋14的部分141的底部表面144上，且接著封蓋14倒置并安置于載體10的表面101上從而形成半導體裝置封裝1a。導電粘合劑層16的材料可首先施加，不導電粘合劑層15的材料在后續(xù)階段中施加。不導電粘合劑層15的材料可首先施加，導電粘合劑層16的材料在后續(xù)階段中施加?；蛘撸瑢щ娬澈蟿?6和不導電粘合劑層15兩者的材料可在相同階段中施加。

返回參看圖1a，導電粘合劑層16的材料具有相對高粘性，或以相對較小量施加，或這兩者。由此，導電粘合劑層16并不滲移或延伸超過既定安置區(qū)域(例如，結(jié)合墊112)。并且，導電粘合劑層16并不滲移或延伸到溝槽c中。導電粘合劑層16以溝槽c為界。導電粘合劑層16的任何超出量由溝槽c接納。

不導電粘合劑層15的材料具有相對高粘性，或以相對較小量施加，或這兩者。由此，不導電粘合劑層15并不滲移或延伸超過既定安置區(qū)域。并且，不導電粘合劑層15并不滲移或延伸到溝槽c中。不導電粘合劑層15并不滲移或延伸到空間a中。不導電粘合劑層15也不滲移或延伸到空間b中。不導電粘合劑層15以溝槽c為界。不導電粘合劑層15的任何超出量由溝槽c接納。

圖1b為根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的半導體裝置封裝1b的橫截面圖。如圖1b中所示，半導體裝置封裝1b類似于如參看圖1a所說明和描述的半導體裝置封裝1a，只是導電粘合劑層16的材料具有相對較低粘性或以相對較大量施加，且不導電粘合劑層15的材料具有相對較低粘性或以相對較大量施加。

導電粘合劑層16滲移或延伸超過既定安置區(qū)域(例如，結(jié)合墊112)。導電粘合劑層16滲移或延伸到溝槽c中。導電粘合劑層16的超出量由溝槽c接納。導電粘合劑層16的超出量以溝槽c為界。導電粘合劑層16包含封蓋14的部分142與結(jié)合墊112之間的部分161。導電粘合劑層16還包含滲移或延伸到溝槽c中的部分162。部分162包圍封蓋14的部分142，且包圍部分161。溝槽c可充當約束結(jié)構(gòu)以約束導電粘合劑層16。溝槽c可充當約束結(jié)構(gòu)以約束導電粘合劑層16的部分162。溝槽c接納導電粘合劑層16的部分162。

不導電粘合劑層15滲移或延伸超過既定安置區(qū)域。不導電粘合劑層15滲移或延伸到溝槽c中。不導電粘合劑層15包含封蓋14的部分141與既定安置區(qū)域(未表示)之間的部分151。不導電粘合劑層15包圍導電粘合劑層16。不導電粘合劑層15還包含滲移或延伸到溝槽c中、滲移或延伸到空間a中，且滲移或延伸到空間b中的部分152。不導電粘合劑層15包含滲移或延伸以包圍封蓋14的部分141的若干部分的部分152。部分152包圍部分151的若干部分。部分152包圍部分162。溝槽c可充當約束結(jié)構(gòu)以約束不導電粘合劑層15的部分152。不導電粘合劑層15可充當約束結(jié)構(gòu)以約束導電粘合劑層16。部分152可充當約束結(jié)構(gòu)以約束導電粘合劑層16。部分152可充當約束結(jié)構(gòu)以約束導電粘合劑層16的部分162。溝槽c接納不導電粘合劑層15的部分152。

圖1c為根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的半導體裝置封裝1c的橫截面圖。如圖1c中所示，半導體裝置封裝1c類似于如參看圖1a所說明和描述的半導體裝置封裝1a，只是導電粘合劑層16的材料具有相對較低粘性或以相對較大量施加，且不導電粘合劑層15的材料具有相對較高粘性或以相對較小量施加。

導電粘合劑層16滲移或延伸超過既定安置區(qū)域(例如，結(jié)合墊112)。導電粘合劑層16滲移或延伸到溝槽c中。導電粘合劑層16的超出量由溝槽c接納。導電粘合劑層16的超出量以溝槽c為界。導電粘合劑層16包含封蓋14的部分142與結(jié)合墊112之間的部分161。導電粘合劑層16還包含滲移或延伸到溝槽c中的部分162。部分162包圍封蓋14的部分142，且包圍部分161。溝槽c可充當約束結(jié)構(gòu)以約束導電粘合劑層16。溝槽c可充當約束結(jié)構(gòu)以約束導電粘合劑層16的部分162。溝槽c接納導電粘合劑層16的部分162。

不導電粘合劑層15滲移或延伸超過既定安置區(qū)域。不導電粘合劑層15包含封蓋14的部分141與既定安置區(qū)域(未表示)之間的部分151。不導電粘合劑層15還包含滲移或延伸到空間a以及滲移或延伸到空間b中的部分152。不導電粘合劑層15包含滲移或延伸以包圍封蓋14的部分141的若干部分的部分152。部分152包圍部分151的若干部分。部分151包圍導電粘合劑層16。溝槽c可充當約束結(jié)構(gòu)以約束不導電粘合劑層15的部分151。不導電粘合劑層15可充當約束結(jié)構(gòu)以約束導電粘合劑層16。部分151可充當約束結(jié)構(gòu)以約束導電粘合劑層16。部分151可充當約束結(jié)構(gòu)以約束導電粘合劑層16的部分162。

圖1d為根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的半導體裝置封裝1d的橫截面圖。如圖1d中所示，半導體裝置封裝1d類似于如參看圖1a所說明和描述的半導體裝置封裝1a，只是導電粘合劑層16的材料具有相對較高粘性或以相對較小量施加，且不導電粘合劑層15的材料具有相對較低粘性或以相對較大量施加。

導電粘合劑層16并不滲移或延伸超過既定安置區(qū)域(例如，結(jié)合墊112)。并且，導電粘合劑層16并不滲移或延伸到溝槽c中。導電粘合劑層16以溝槽c為界。導電粘合劑層16的任何超出量由溝槽c接納。

不導電粘合劑層15滲移或延伸超過既定安置區(qū)域。不導電粘合劑層15滲移或延伸到溝槽c中。不導電粘合劑層15包含封蓋14的部分141與既定安置區(qū)域(未表示)之間的部分151。不導電粘合劑層15包圍導電粘合劑層16。不導電粘合劑層15還包含滲移或延伸到溝槽c、滲移或延伸到空間a中，且滲移或延伸到空間b中的部分152。不導電粘合劑層15包含滲移或延伸以包圍封蓋14的部分141的若干部分的部分152。部分152包圍部分151的若干部分。部分152包圍導電粘合劑層16。溝槽c可充當約束結(jié)構(gòu)以約束不導電粘合劑層15的部分152。不導電粘合劑層15可充當約束結(jié)構(gòu)以約束導電粘合劑層16。部分152可充當約束結(jié)構(gòu)以約束導電粘合劑層16。溝槽c接納不導電粘合劑層15的部分152。

圖2a為根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的半導體裝置封裝2a的橫截面圖。如圖2a中所示，半導體裝置封裝2a類似于如參看圖1a所說明和描述的半導體裝置封裝1a，只是封蓋14'包含不同于封蓋14的結(jié)構(gòu)，其中如圖1a中所展示的封蓋14的在溝槽c與空間a之間的部分141和封蓋14的在溝槽c與空間b之間的部分141被省略從而形成如圖2a中所展示的封蓋14'的部分141'，且相應地省略溝槽c。導電粘合劑層16可與不導電粘合劑層15相比提供封蓋14'與載體10之間相對減少的粘合。

圖2b為根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的半導體裝置封裝2b的橫截面圖。如圖2b中所示，半導體裝置封裝2b類似于如參看圖2a所說明和描述的半導體裝置封裝2a，只是導電粘合劑層16的材料具有相對較低粘性或以相對較大量施加，且不導電粘合劑層15的材料具有相對較低粘性或以相對較大量施加。

導電粘合劑層16滲移或延伸超過既定安置區(qū)域(例如，結(jié)合墊112)。導電粘合劑層16滲移或延伸到空間a中。導電粘合劑層16還滲移或延伸到空間b中。導電粘合劑層16包含封蓋14'的部分142與結(jié)合墊112之間的部分161。導電粘合劑層16還包含滲移或延伸到空間a中以及滲移或延伸到空間b中的部分162。部分162包圍封蓋14'的部分142。部分162包圍部分161?？臻ga接納導電粘合劑層16的部分162，且空間b接納導電粘合劑層16的部分162。

不導電粘合劑層15滲移或延伸超過既定安置區(qū)域。不導電粘合劑層15滲移或延伸到空間a中。不導電粘合劑層15還滲移或延伸到空間b中。不導電粘合劑層15包含封蓋14'的部分141'與既定安置區(qū)域(未表示)之間的部分151。不導電粘合劑層15還包含滲移到空間a中以及滲移到空間b中的部分152。不導電粘合劑層15包含滲移或延伸以包圍封蓋14'的部分141'的若干部分的部分152。部分152包圍部分151的若干部分。

圖3a為根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的半導體裝置封裝3a的橫截面圖。如圖3a中所示，導電封蓋14"借助于施加在封蓋14"與載體10之間的不導電粘合劑層15(例如，環(huán)氧樹脂)和施加在封蓋14"與載體10上的結(jié)合墊112之間的導電粘合劑層16(例如，導電環(huán)氧樹脂)附接到載體10。

圖3b為根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的半導體裝置封裝3b的橫截面圖。如圖3b中所示，半導體裝置封裝3b類似于如參看圖3a所說明和描述的半導體裝置封裝3a，只是不導電粘合劑層15在結(jié)合墊112上方的導電粘合劑層16上方滲移或延伸(和/或與其一起擴散)，從而導致封蓋14"與結(jié)合墊112之間的導電路徑中的完全斷路狀況。在其它情形中，部分斷路由不導電粘合劑層15的滲移和/或不導電粘合劑層15與導電粘合劑層16的擴散產(chǎn)生。

圖3c為根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的半導體裝置封裝3c的橫截面圖。如圖3c中所示，半導體裝置封裝3c類似于如參看圖3a所說明和描述的半導體裝置封裝3a，只是導電粘合劑層16滲移或延伸到不導電粘合劑層15中(和/或與其一起擴散)超出用于結(jié)合墊112上的導電粘合劑層16的既定安置區(qū)域，這可導致封蓋14"與載體10之間的相應減少的粘合。

圖3d為根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的半導體裝置封裝3d的橫截面圖。如圖3d中所示，半導體裝置封裝3d類似于如參看圖3a所說明和描述的半導體裝置封裝3a，只是導電粘合劑層16在不導電粘合劑層15上方滲移或延伸(和/或與其一起擴散)超出用于結(jié)合墊112上的導電粘合劑層16的既定安置區(qū)域，這可導致封蓋14"與載體10之間的相應減少的粘合。導電粘合劑層16進一步滲移和/或擴散到載體10上的附近導電區(qū)域(例如，結(jié)合墊113)，從而導致結(jié)合墊112與附近導電區(qū)域(例如，結(jié)合墊113)之間的短路。

如本文所用，除非上下文另外明確規(guī)定，否則單數(shù)術(shù)語“一”和“所述”可包含復數(shù)指代物。

如本文所使用，術(shù)語“導電(conductive)”、“導電(electricallyconductive)”和“電導率”指代傳遞電流的能力。導電材料通常指示展現(xiàn)對于電流流動的極少或零對抗的那些材料。電導率的一個量度為西門子/米(s/m)。通常，導電材料為具有大于約10⁴s/m(例如至少10⁵s/m或至少10⁶s/m)的導電性的一種材料。通常，不導電或絕緣材料為具有低于上述范圍(例如不超過10^-6s/m、不超過10^-7s/m，或不超過10^-8s/m)的導電性的一種材料。材料的電導率有時可隨溫度而變化。除非另外規(guī)定，否則材料的電導率在室溫下測量。

如本文中所使用，術(shù)語“大致”、“大體上”、“實質(zhì)”及“約”用以描述及考慮小的變化。當與事件或情形結(jié)合使用時，所述術(shù)語可以指其中事件或情形精確發(fā)生的情況以及其中事件或情形極接近地發(fā)生的情況。舉例來說，當結(jié)合數(shù)值使用時，術(shù)語可指代小于或等于所述數(shù)值的±10％的變化范圍，例如小于或等于±5％、小于或等于±4％、小于或等于±3％、小于或等于±2％、小于或等于±1％、小于或等于±0.5％、小于或等于±0.1％，或小于或等于±0.05％。對于另一實例，如果兩個數(shù)值之間的差值小于或等于所述值的平均值的±10％(例如小于或等于±5％、小于或等于±4％、小于或等于±3％、小于或等于±2％、小于或等于±1％、小于或等于±0.5％、小于或等于±0.1％，或小于或等于±0.05％)，那么可認為所述兩個數(shù)值“大體上”相同。舉例來說，“大體上”平行可指代相對于0°的小于或等于±10°的角變化范圍，例如小于或等于±5°、小于或等于±4°、小于或等于±3°、小于或等于±2°、小于或等于±1°、小于或等于±0.5°、小于或等于±0.1°，或小于或等于±0.05°。舉例來說，“大體上”垂直可指代相對于90°的小于或等于±10°的角變化范圍，例如小于或等于±5°、小于或等于±4°、小于或等于±3°、小于或等于±2°、小于或等于±1°、小于或等于±0.5°、小于或等于±0.1°，或小于或等于±0.05°。

另外，有時在本文中按范圍格式呈現(xiàn)量、比率及其它數(shù)值。應理解，此類范圍格式是用于便利和簡潔起見，且應靈活地理解，不僅包含明確地指定為范圍限制的數(shù)值，而且包含涵蓋于所述范圍內(nèi)的所有個別數(shù)值或子范圍，如同明確地指定每一數(shù)值和子范圍一般。

雖然已參考本發(fā)明的特定實施例描述及說明本發(fā)明，但這些描述及說明并不限制本發(fā)明。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應理解，可在不脫離如由所附權(quán)利要求書界定的本發(fā)明的真實精神和范圍的情況下，作出各種改變且可用等效物替代。所述圖解可能未必按比例繪制。歸因于制造工藝和容差，本發(fā)明中的藝術(shù)再現(xiàn)與實際設備之間可存在區(qū)別?？纱嬖诓⑽刺囟ㄕf明的本發(fā)明的其它實施例。應將本說明書及圖式視為說明性的而非限制性的?？勺龀鲂薷?，以使具體情況、材料、物質(zhì)組成、方法或工藝適應于本發(fā)明的目標、精神和范圍。所有此類修改都既定在所附權(quán)利要求書的范圍內(nèi)。雖然本文中所揭示的方法已參考按特定次序執(zhí)行的特定操作加以描述，但應理解，可在不脫離本發(fā)明的教示的情況下組合、細分或重新排序這些操作以形成等效方法。因此，除非本文中特別指示，否則操作的次序和分組并非對本發(fā)明的限制。