技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種金屬氧化物薄膜晶體管及其制備方法。本發(fā)明的金屬氧化物薄膜晶體管包括柵電極層、柵絕緣層、有源層、源漏極層、保護(hù)層、TiO2薄膜層、平坦化層、陽極層和像素定義區(qū)有機(jī)層。本發(fā)明在IGZO有源層的上方加一層納米TiO2薄膜，起到屏蔽UV光和外界污染物如金屬離子等的作用，防止其對IGZO有源層的穩(wěn)定性產(chǎn)生影響，在不增加光罩的基礎(chǔ)上提高了器件的穩(wěn)定性。

技術(shù)研發(fā)人員：秦芳
受保護(hù)的技術(shù)使用者：武漢華星光電技術(shù)有限公司
文檔號碼：201610769871
技術(shù)研發(fā)日：2016.08.30
技術(shù)公布日：2016.12.07