本發(fā)明涉及非極性LED外延片，特別涉及生長(zhǎng)在r面藍(lán)寶石襯底上的非極性LED外延片的制備方法及應(yīng)用。

背景技術(shù)：

發(fā)光二極管(LED)作為一種新型固體照明光源和綠色光源，具有體積小、耗電量低、環(huán)保、使用壽命長(zhǎng)、高亮度、低熱量以及多彩等突出特點(diǎn)，在室外照明、商業(yè)照明以及裝飾工程等領(lǐng)域都具有廣泛的應(yīng)用。當(dāng)前，在全球氣候變暖和能源枯竭問題日趨嚴(yán)峻的背景下，節(jié)約能源、減少溫室氣體排放成為全球共同面對(duì)的重要問題。以低能耗、低污染、低排放為基礎(chǔ)的低碳經(jīng)濟(jì)，將成為經(jīng)濟(jì)發(fā)展的重要方向。在照明領(lǐng)域，LED發(fā)光產(chǎn)品的應(yīng)用正吸引著世人的目光，LED作為一種新型的綠色光源產(chǎn)品，必然是未來發(fā)展的趨勢(shì)，二十一世紀(jì)將是以LED為代表的新型照明光源的時(shí)代。但是現(xiàn)階段LED的應(yīng)用成本較高，發(fā)光效率較低，這些因素都會(huì)大大限制LED向高效節(jié)能環(huán)保的方向發(fā)展。

LED芯片的發(fā)光效率不夠高是限制LED發(fā)展的一個(gè)關(guān)鍵問題，其主要原因是由于目前廣泛使用的GaN基LED都是沿極性c軸生長(zhǎng)的。c軸方向上，Ga原子集合和N原子集合的質(zhì)心不重合，從而形成電偶極子，產(chǎn)生自發(fā)極化場(chǎng)和壓電極化場(chǎng)，進(jìn)而引起量子束縛斯塔克效應(yīng)(Quantum-confined Starker Effect，QCSE)，使電子和空穴分離，載流子的輻射復(fù)合效率降低，最終影響LED的發(fā)光效率，并造成LED發(fā)光波長(zhǎng)的不穩(wěn)定。解決這一問題最好的辦法是采用非極性GaN材料制作LED，以消除量子束縛斯塔克效應(yīng)的影響。理論研究表明，使用非極性GaN來制造LED，將可使LED發(fā)光效率提高近一倍。

由此可見，要使LED真正實(shí)現(xiàn)大規(guī)模廣泛應(yīng)用，提高LED芯片的發(fā)光效率，并降低其制造成本，最根本的辦法就是在低成本、大尺寸新型襯底上研發(fā)非極性GaN基LED外延芯片。目前，制備非極性GaN薄膜的新型襯底的代表主要有r面藍(lán)寶石、r面藍(lán)寶石、LiAlO₂等。與其它襯底相比，r面藍(lán)寶石襯底具有以下三個(gè)重要優(yōu)勢(shì)。第一，藍(lán)寶石的制備工藝已經(jīng)非常成熟。第二，大尺寸藍(lán)寶石襯底已經(jīng)實(shí)驗(yàn)商業(yè)化生產(chǎn)，而且價(jià)格相對(duì)便宜——這為工業(yè)化生產(chǎn)奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。第三，藍(lán)寶石襯底LED的制備工藝已經(jīng)非常成熟和完善，一旦r面藍(lán)寶石襯底上非極性LED取得突破，它就可以迅速實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)，創(chuàng)造大量的經(jīng)濟(jì)效益和社會(huì)效益。然而，r面藍(lán)寶石襯底與GaN的晶格失配較大(16％)，采用金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積(MOCVD)或者分子束外延(MBE)不但容易生長(zhǎng)出多晶態(tài)GaN，而且需要在較大的厚度下(通常大于3μm)才能獲得高質(zhì)量非極性GaN薄膜。

脈沖激光沉積(PLD)克服了MOCVD、MBE的不足和存在的問題。它的主要優(yōu)點(diǎn)有以下幾個(gè)方面：(1)激光能量密度高，可以蒸鍍各種難以熔化的靶材，實(shí)現(xiàn)薄膜的低溫外延生長(zhǎng)，有效抑制界面反應(yīng)；(2)工藝參數(shù)調(diào)節(jié)方便，且沉積速率高，實(shí)驗(yàn)周期短；(3)發(fā)展?jié)摿Υ?，具有良好的兼容性?4)薄膜成分穩(wěn)定，易于獲得期望的化學(xué)計(jì)量比；(5)可以同時(shí)放置多個(gè)靶材(4-6個(gè))，有利于制備成分復(fù)雜的多層薄膜；(6)清潔處理十分方便，可以制備不同類型的薄膜。總的來說，PLD可以在較小的厚度下(小于1μm)制備出高質(zhì)量單晶薄膜。然而，任何事物都存在兩面性。PLD的主要缺點(diǎn)就是沉積速率高，難以制備高品質(zhì)的量子阱。事實(shí)上，量子阱結(jié)構(gòu)LED已經(jīng)成為未來LED的主要發(fā)展趨勢(shì)之一。PLD的這一缺點(diǎn)，嚴(yán)重限制了它的推廣和應(yīng)用范圍。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了克服現(xiàn)有技術(shù)的上述缺點(diǎn)與不足，本發(fā)明的目的在于提供一種生長(zhǎng)在r面藍(lán)寶石襯底上的非極性LED外延片的制備方法，制備得到的生長(zhǎng)在r面藍(lán)寶石襯底上的非極性LED外延片具有缺陷密度低、結(jié)晶質(zhì)量好等特點(diǎn)。

本發(fā)明的另一目的在于提供上述長(zhǎng)在r面藍(lán)寶石襯底上的非極性LED外延片的應(yīng)用。

本發(fā)明的目的通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)：

生長(zhǎng)在r面藍(lán)寶石襯底上的非極性LED外延片的制備方法，包括以下步驟：

(1)采用r面藍(lán)寶石襯底，選取晶體取向；

(2)對(duì)r面藍(lán)寶石襯底進(jìn)行表面清潔處理；

(3)將步驟(2)處理后的r面藍(lán)寶石襯底轉(zhuǎn)移到脈沖激光沉積設(shè)備的超高真空生長(zhǎng)室，生長(zhǎng)非極性GaN緩沖層，形成橫向外延區(qū)，工藝條件為：襯底溫度升至250～550℃，采用脈沖激光轟擊GaN靶材，同時(shí)通入N₂等離子體，反應(yīng)室壓力為1-20mTorr、激光能量為150～400mJ，激光頻率為2～30Hz；

(4)采用MOCVD工藝橫向外延過生長(zhǎng)非極性非摻雜u-GaN層，工藝條件為：襯底溫度為950～1100℃，通入TMGa，反應(yīng)室壓力為80～200Torr，Ⅴ/Ⅲ比為80～150；

(5)采用MOCVD工藝生長(zhǎng)非極性n型摻雜GaN薄膜，工藝條件為：襯底溫度為1000～1100℃，通入TGGa和SiH₄，保持SiH₄的流量為60～90sccm，反應(yīng)室壓力為80～200Torr，Ⅴ/Ⅲ比為80～150；摻雜電子濃度1.0×10¹⁷～6.0×10¹⁹cm^-3；

(6)采用MOCVD工藝生長(zhǎng)非極性InGaN/GaN量子阱，工藝條件為：壘層，襯底溫度為750～850℃，關(guān)閉H₂，通入TEGa與氨氣，反應(yīng)室壓力為200Torr，Ⅴ/Ⅲ比為500～1500，厚度為10～13nm；阱層，襯底溫度為750～850℃，關(guān)閉H₂，通入TEGa、TMIn與氨氣，反應(yīng)室壓力為80～200Torr，Ⅴ/Ⅲ比為500～1500，厚度為2～3nm；

(7)采用MOCVD工藝生長(zhǎng)非極性p型摻雜GaN薄膜，工藝條件為：襯底溫度為900～1050℃，通入TMGa、CP₂Mg與氨氣，保持CP₂Mg的流量為250～450sccm，反應(yīng)室壓力為80～200Torr，Ⅴ/Ⅲ比為950～1150；摻雜空穴濃度1.0×10¹⁶～4.0×10¹⁸cm^-3。

所述非極性低溫GaN緩沖層的厚度為150～500nm。

所述非極性非摻雜u-GaN層的厚度為2850～3500nm。

所述非極性n型摻雜GaN薄膜的厚度為300～700nm。

所述非極性InGaN/GaN量子阱為5～10個(gè)周期的InGaN阱層/GaN壘層，其中InGaN阱層的厚度為2～3nm；GaN壘層的厚度為10～13nm。

所述非極性p型摻雜GaN薄膜的厚度為350～500nm。

步驟(2)所述對(duì)r面藍(lán)寶石襯底進(jìn)行表面清潔處理，具體為：

將r面藍(lán)寶石襯底放入去離子水中室溫下超聲清洗5～10分鐘，去除r面藍(lán)寶石襯底表面粘污顆粒，再依次經(jīng)過乙醇洗滌，去除表面有機(jī)物；清洗后的r面藍(lán)寶石襯底用高純干燥氮?dú)獯蹈?；之后將r面藍(lán)寶石襯底放入PLD生長(zhǎng)室，在真空條件下，將襯底溫度升至850～900℃，烘烤20～30分鐘，除去r面藍(lán)寶石襯底表面殘余的雜質(zhì)，然后通入N2等離子體，保溫30～60分鐘，使襯底表面形成AlN籽晶層，為GaN生長(zhǎng)提供模板。

步驟(1)所述選取晶體取向，具體為：以(10-12)面偏(1-100)方向0.2°為外延面，晶體外延取向關(guān)系為：GaN的(0001)面平行于r面藍(lán)寶石的(-1011)面。

所述的生長(zhǎng)在r面藍(lán)寶石襯底上的非極性LED外延片的制備方法制備得到的生長(zhǎng)在r面藍(lán)寶石襯底上的非極性LED外延片的應(yīng)用，其特征在于，用于制備LED、LD、光電探測(cè)器和太陽(yáng)能電池。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)和有益效果：

(1)本發(fā)明首先使用PLD在襯底上低溫外延一層高質(zhì)量的GaN緩沖層，形成圖形化生長(zhǎng)區(qū)(模板)，為后續(xù)MOCVD的橫向外延過生長(zhǎng)提供條件；然后使用MOCVD橫向外延過生長(zhǎng)u-GaN，接著外延n-GaN、量子阱、p-GaN等。本發(fā)明有利于制備高質(zhì)量的非極性GaN薄膜，具有缺陷密度低、結(jié)晶質(zhì)量好等特點(diǎn)，可廣泛應(yīng)用于LED、LD、太陽(yáng)能電池等領(lǐng)域。

(2)本發(fā)明提出的制備方法具有工藝簡(jiǎn)單、省時(shí)高效的優(yōu)點(diǎn)。

附圖說明

圖1為實(shí)施例1制備的非極性LED的外延結(jié)構(gòu)剖面示意圖。

圖2為實(shí)施例1制備的非極性GaN緩沖層的XRD掃描圖譜。

圖3制備的非極性GaN緩沖層的X-ray Rocking Curve(XRC)圖譜。

圖4為實(shí)施例1制備的非極性GaN緩沖層的AFM圖片。

圖5為實(shí)施例1制備的非極性LED的光致發(fā)光(PL)圖譜。

圖6為實(shí)施例1制備的非極性LED的電致發(fā)光(EL)圖譜。

圖7為實(shí)施例1制備的非極性LED的光功率-電流圖譜。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步地詳細(xì)說明，但本發(fā)明的實(shí)施方式不限于此。

實(shí)施例1

生長(zhǎng)在r面藍(lán)寶石襯底上的非極性LED的制備方法，包括以下步驟：

1)襯底以及其晶向的選?。翰捎胷面藍(lán)寶石襯底，以(10-12)面偏(1-100)方向0.2°為外延面，晶體外延取向關(guān)系為：GaN的(0001)面平行于r面藍(lán)寶石的(-1011)面。

2)襯底清洗以及退火處理，所述清洗，具體為：將r面藍(lán)寶石襯底放入去離子水中室溫下超聲清洗3分鐘，去除r面藍(lán)寶石襯底表面粘污顆粒，再經(jīng)過乙醇洗滌，去除表面有機(jī)物，用高純干燥氮?dú)獯蹈伞?/p>

所述退火處理，具體為：將r面藍(lán)寶石襯底放入PLD生長(zhǎng)室，在真空條件下，將襯底溫度升至900℃，高溫烘烤20分鐘，除去r面藍(lán)寶石襯底表面殘余的雜質(zhì)，然后通入N₂等離子體，保溫60分鐘，使襯底表面形成AlN籽晶層，為GaN生長(zhǎng)提供模板。

3)將進(jìn)行過處理的r面藍(lán)寶石襯底轉(zhuǎn)移到脈沖激光沉積設(shè)備的超高真空生長(zhǎng)室，生長(zhǎng)300nm非極性GaN緩沖層，形成橫向外延區(qū)，工藝條件為：襯底溫度升至350℃，采用脈沖激光轟擊高純GaN(99.99％)靶材，同時(shí)通入N₂等離子體，反應(yīng)室壓力為8mTorr、激光能量為220mJ，激光頻率為20Hz；

4)采用MOCVD工藝橫向外延過生長(zhǎng)非極性非摻雜u-GaN層，工藝條件為：襯底溫度為1000℃，通入TMGa，反應(yīng)室壓力為200Torr，Ⅴ/Ⅲ比為120；

5)采用MOCVD工藝生長(zhǎng)非極性n型摻雜GaN薄膜，工藝條件為：襯底溫度為1050℃，通入TGGa和SiH₄，保持SiH₄的流量為60～90sccm，反應(yīng)室壓力為200Torr，Ⅴ/Ⅲ比為150。

6)采用MOCVD工藝生長(zhǎng)非極性InGaN/GaN量子阱，工藝條件為：壘層，襯底溫度為750℃，關(guān)閉H₂，通入TEGa與氨氣，反應(yīng)室壓力為200Torr，Ⅴ/Ⅲ比為966；阱層，襯底溫度為750℃，關(guān)閉H₂，通入TEGa、TMIn與氨氣，反應(yīng)室壓力為200Torr，Ⅴ/Ⅲ比為1439；

7)采用MOCVD工藝生長(zhǎng)非極性p型摻雜GaN薄膜，工藝條件為：襯底溫度為950℃，通入TMGa、CP₂Mg與氨氣，保持CP2Mg的流量為300sccm，反應(yīng)室壓力為200Torr，Ⅴ/Ⅲ比為1050。

如圖1所示，本實(shí)施例的生長(zhǎng)在r面藍(lán)寶石襯底上的非極性LED，它包括r面藍(lán)寶石襯底11,依次生長(zhǎng)在r面藍(lán)寶石襯底上的非極性GaN緩沖層12、非極性非摻雜u-GaN層13、非極性n型摻雜GaN薄膜14、非極性InGaN/GaN量子阱15、非極性p型摻雜GaN薄膜16。

圖2為非極性GaN緩沖層的XRD掃描圖譜。如圖2所示，薄膜中只出現(xiàn)了藍(lán)寶石襯底峰和單一的GaN(11-20)薄膜衍射峰。這說明，我們?cè)趓面藍(lán)寶石襯底上制備出了非極性GaN單晶薄膜。進(jìn)一步的測(cè)試表明，非極性GaN緩沖層的GaN(11-20)Rocking Curve半峰寬為0.8°。這說明，非極性GaN緩沖層具有良好的晶體質(zhì)量，有利于后續(xù)高質(zhì)量非極性GaN薄膜的生長(zhǎng)。

圖3為本實(shí)施例制備的非極性GaN緩沖層的XRC圖譜。XRC的半峰寬為0.3°，這說明，非極性GaN緩沖層具有良好的晶體質(zhì)量，有利于后續(xù)非極性GaN薄膜和器件的制備。

圖4為本實(shí)施例制備的非極性GaN緩沖層的AFM圖片。如圖3所示，非極性GaN緩沖層具有規(guī)則的長(zhǎng)條狀圖案，它可以作為圖形化模板，促進(jìn)MOCVD的二維橫向外延過生長(zhǎng)，有利于提高薄膜的質(zhì)量，為高質(zhì)量非極性LED的制備奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。

圖5為本實(shí)施例制備的非極性LED的PL圖譜。如圖4所示，非極性LED在446nm處出現(xiàn)強(qiáng)烈的激發(fā)峰，其半峰寬為22nm。這一數(shù)值要遠(yuǎn)優(yōu)于商業(yè)化LED的相應(yīng)數(shù)值。這表明，非極性LED具有良好的光電性能。

圖6為本實(shí)施例制備的非極性LED的EL圖譜。如圖5所示，非極性LED在444nm處出現(xiàn)強(qiáng)烈的激發(fā)峰，其半峰寬為20.4nm。這一數(shù)值要遠(yuǎn)優(yōu)于商業(yè)化LED的相應(yīng)數(shù)值。這表明，非極性LED具有優(yōu)異的光電性能。

圖7為本實(shí)施例制備的非極性LED的光功率-電流圖譜。從圖中可以看到，光功率隨著電流的增到而迅速增大。100mA下的光輸出功率為22.5mW。由此表明，非極性LED具有優(yōu)異的電學(xué)性能。

本實(shí)施例制備的生長(zhǎng)在r面藍(lán)寶石襯底上的非極性LED，依次包括非極性GaN緩沖層、非摻雜u-GaN薄膜、Si摻雜的n型摻硅GaN、In_xGa_1-xN多量子阱層、Mg摻雜的p型摻鎂的GaN層。在r面藍(lán)寶石襯底上制備得到的GaN基LED器件，其n型GaN的厚度約為450nm，其載流子的濃度為2.7×10¹⁹cm^-3；In_xGa_1-xN/GaN多量子阱層的厚度約為150nm,周期數(shù)為8，其中In_xGa_1-xN阱層為2nm，GaN壘層為12nm，p型摻鎂的GaN層厚度約為300nm，其載流子的濃度為5.5×10¹⁷cm^-3。在20mA的工作電流下，LED器件的光輸出功率為7.3mW，開啟電壓值為3.00V。

將本實(shí)施例制備的生長(zhǎng)在r面藍(lán)寶石襯底上的非極性GaN薄膜用于制備光電探測(cè)器：在本實(shí)施例制備的生長(zhǎng)在r面藍(lán)寶石襯底上的GaN薄膜上依次外延生長(zhǎng)n型摻硅GaN、非摻雜GaN、p型摻鎂的GaN，最后電子束蒸發(fā)形成歐姆接觸和肖特基結(jié)。其中n型摻硅GaN厚度約為3μm,其載流子的濃度為2.9×10¹⁹cm^-3；非摻雜GaN厚度約為300nm,其載流子濃度為3.4×10¹⁶cm^-3；p型摻鎂的GaN度約為1.8μm。本實(shí)施例所制備的光電探測(cè)器在1V偏壓下,暗電流僅為40pA，并且器件在1V偏壓下，在356nm處響應(yīng)度的最大值達(dá)到了1.7A/W。

將本實(shí)施例制備的生長(zhǎng)在r面藍(lán)寶石襯底上的GaN薄膜用于制備InGaN太陽(yáng)能電池：在本實(shí)施例制備的生長(zhǎng)在r面藍(lán)寶石襯底上的GaN薄膜上依次生長(zhǎng)具有成分梯度的In_xGa_1-xN緩沖層，n型摻硅In_xGa_1-xN,In_xGa_1-xN多量子阱層，p型摻鎂的In_xGa_1-xN層，最后電子束蒸發(fā)形成歐姆接觸，其中0＜x≤0.2。其中，n型摻硅In_xGa_1-xN厚度約為5.5μm，其載流子的濃度為2.4×10¹⁹cm^-3；In_xGa_1-xN多量子阱層，厚度約為400nm，周期數(shù)為20，其中In_0.2Ga_0.8N阱層為3nm，In_0.08Ga_0.92N壘層為12nm。本工藝制備得到的太陽(yáng)能電池室溫下的光電轉(zhuǎn)化效率為10.2％，短路光電流密度為32mA/cm²。

實(shí)施例2

生長(zhǎng)在r面藍(lán)寶石襯底上的非極性LED的制備方法，包括以下步驟：

1)襯底以及其晶向的選?。翰捎胷面藍(lán)寶石襯底，以(10-12)面偏(1-100)方向0.2°為外延面，晶體外延取向關(guān)系為：GaN的(0001)面平行于r面藍(lán)寶石的(-1011)面。

2)襯底清洗以及退火處理，所述清洗，具體為：將r面藍(lán)寶石襯底放入去離子水中室溫下超聲清洗3分鐘，去除r面藍(lán)寶石襯底表面粘污顆粒，再經(jīng)過乙醇洗滌，去除表面有機(jī)物，用高純干燥氮?dú)獯蹈伞?/p>

所述退火處理，具體為：將r面藍(lán)寶石襯底放入PLD生長(zhǎng)室，在真空條件下，將襯底溫度升至850℃，高溫烘烤30分鐘，除去r面藍(lán)寶石襯底表面殘余的雜質(zhì)，然后通入N₂等離子體，保溫30分鐘，使襯底表面形成AlN籽晶層，為GaN生長(zhǎng)提供模板。

3)將進(jìn)行過處理的r面藍(lán)寶石襯底轉(zhuǎn)移到脈沖激光沉積設(shè)備的超高真空生長(zhǎng)室，生長(zhǎng)400nm非極性GaN緩沖層，形成橫向外延區(qū)，工藝條件為：襯底溫度升至400℃，采用脈沖激光轟擊高純GaN(99.99％)靶材，同時(shí)通入N₂等離子體，反應(yīng)室壓力為20mTorr、激光能量為250mJ，激光頻率為20Hz；

4)采用MOCVD工藝橫向外延過生長(zhǎng)非極性非摻雜u-GaN層，工藝條件為：襯底溫度為1020℃，通入TMGa，反應(yīng)室壓力為80Torr，Ⅴ/Ⅲ比為150；

5)采用MOCVD工藝生長(zhǎng)非極性n型摻雜GaN薄膜，工藝條件為：襯底溫度為1050℃，通入TGGa和SiH₄，保持SiH₄的流量為60～90sccm，反應(yīng)室壓力為80Torr，Ⅴ/Ⅲ比為80。

6)采用MOCVD工藝生長(zhǎng)非極性InGaN/GaN量子阱，工藝條件為：壘層，襯底溫度為750℃，關(guān)閉H₂，通入TEGa與氨氣，反應(yīng)室壓力為80Torr，Ⅴ/Ⅲ比為1500；阱層，襯底溫度為750℃，關(guān)閉H₂，通入TEGa、TMIn與氨氣，反應(yīng)室壓力為200Torr，Ⅴ/Ⅲ比為500；

7)采用MOCVD工藝生長(zhǎng)非極性p型摻雜GaN薄膜，工藝條件為：襯底溫度為950℃，通入TMGa、CP₂Mg與氨氣，保持CP2Mg的流量為300sccm，反應(yīng)室壓力為80Torr，Ⅴ/Ⅲ比為950。

本實(shí)施例制備的生長(zhǎng)在r面藍(lán)寶石襯底上的非極性LED，依次包括非極性GaN緩沖層、非摻雜u-GaN薄膜、Si摻雜的n型摻硅GaN、In_xGa_1-xN多量子阱層、Mg摻雜的p型摻鎂的GaN層。在r面藍(lán)寶石襯底上制備得到的GaN基LED器件，其n型GaN的厚度約為500nm，其載流子的濃度為3.0×10¹⁹cm^-3；In_xGa_1-xN/GaN多量子阱層的厚度約為150nm,周期數(shù)為8，其中In_xGa_1-xN阱層為2nm，GaN壘層為12nm，p型摻鎂的GaN層厚度約為300nm，其載流子的濃度為5.5×10¹⁷cm^-3。在20mA的工作電流下，LED器件的光輸出功率為7.5mW，開啟電壓值為3.00V。

本實(shí)施例制備的r面藍(lán)寶石襯底上的非極性GaN薄膜和器件具有非常好的晶體質(zhì)量和光電性能，測(cè)試數(shù)據(jù)與實(shí)施例1相近，在此不再贅述。

上述實(shí)施例為本發(fā)明較佳的實(shí)施方式，但本發(fā)明的實(shí)施方式并不受所述實(shí)施例的限制，其他的任何未背離本發(fā)明的精神實(shí)質(zhì)與原理下所作的改變、修飾、替代、組合、簡(jiǎn)化，均應(yīng)為等效的置換方式，都包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。