1.一種基片集成波導平面端射圓極化天線，其特征在于：包括介質(zhì)基板（6）、基片集成波導、偶極子陣（4）和連接在介質(zhì)基板（6）上的饋電波導（7）；
所述基片集成波導包括兩排金屬化過孔，兩排金屬化過孔包括相互平行且一端連接在饋電波導（7）上的平直段和沿平直段逐漸向兩側(cè)張開的開口段；
所述偶極子陣（4）包括多個連接在基片集成波導上下金屬表面上的陣元，所述陣元位于開口段之外，各陣元與開口段口徑的間距不同。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基片集成波導平面端射圓極化天線，其特征在于：所述陣元的振子長度為0.5λ-λ，寬度為0.1λ-0.3λ，其中，λ為中心頻率處電磁波在介質(zhì)中的波長。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基片集成波導平面端射圓極化天線，其特征在于：所述偶極子陣（4）的相鄰兩個陣元的距離為0.5λ-0.6λ，與開口段口徑的間距為0.2λ-0.5λ。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基片集成波導平面端射圓極化天線，其特征在于：所述基片集成波導上下金屬表面對稱設置有開縫（3），所述開縫（3）設置在開口段口徑處且位于相鄰兩個陣元的之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種基片集成波導平面端射圓極化天線，其特征在于：所述開縫（3）位于相鄰兩個陣元的中間。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種基片集成波導平面端射圓極化天線，其特征在于：所述開縫（3）的縫寬為0.03λ-0.05λ，縫長為0.2λ-0.5λ。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基片集成波導平面端射圓極化天線，其特征在于：所述介質(zhì)基板（6）上連接有設置在饋電波導（7）腔體內(nèi)的漸變基板結(jié)構(gòu)（5）。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種基片集成波導平面端射圓極化天線，其特征在于：漸變基板結(jié)構(gòu)（5）成梯形結(jié)構(gòu)。