1.一種攝像裝置，包括：
半導體基板，其具有第一側和第二側；
光電轉換部，其設置在所述半導體基板中；
像素分隔凹槽，其設置在所述半導體基板中并且鄰近于所述光電轉換部；
多個絕緣膜，其設置為鄰近于所述半導體基板的所述第一側；以及氧化硅膜，
其中，所述多個絕緣膜中的每個絕緣膜包括選自由氧化鉿、氧化鋯、氧化鋁、氧化鈦和氧化鉭組成的組中的至少一種成分，
所述氧化硅膜接觸所述多個絕緣膜中的第一絕緣膜的表面以及所述多個絕緣膜中的第二絕緣膜的表面，
所述多個絕緣膜中的所述第一絕緣膜設置在所述像素分隔凹槽的內(nèi)部，
所述多個絕緣膜中的所述第二絕緣膜的至少一部分的厚度大于或等于10nm并且小于或等于80nm，并且
所述多個絕緣膜中的所述第一絕緣膜和所述多個絕緣膜中的所述第二絕緣膜由相同材料制成。
2.根據(jù)權利要求1所述的攝像裝置，其中，所述多個絕緣膜中的所述第一絕緣膜和所述多個絕緣膜中的所述第二絕緣膜的層數(shù)不同。
3.根據(jù)權利要求1所述的攝像裝置，其中，所述多個絕緣膜中的所述第一絕緣膜和所述多個絕緣膜中的所述第二絕緣膜以從所述半導體基板的所述第一側的層疊順序形成。
4.根據(jù)權利要求1所述的攝像裝置，其中，所述多個絕緣膜中的所述第二絕緣膜從所述半導體基板的光接收表面?zhèn)鹊剿鱿袼胤指舭疾鄣谋诒砻娴囊徊糠质沁B續(xù)的。
5.根據(jù)權利要求1所述的攝像裝置，進一步包括：
設置在所述像素分隔凹槽中的至少一個其他膜，其中所述至少一個其他膜是保護膜。
6.根據(jù)權利要求5所述的攝像裝置，其中，所述多個絕緣膜中的所述第一絕緣膜包括設置在所述半導體基板和所述至少一個其他膜之間的部分。
7.根據(jù)權利要求6所述的攝像裝置，其中，所述多個絕緣膜中的所述第一絕緣膜包括設置在所述半導體基板和所述多個絕緣膜中的所述第二絕緣膜之間的部分。
8.根據(jù)權利要求1所述的攝像裝置，其中，所述多個絕緣膜中的所述第一絕緣膜的厚度大于或等于2nm并且小于或等于100nm。
9.根據(jù)權利要求1所述的攝像裝置，其中，所述多個絕緣膜中的所述第一絕緣膜包括設置在所述半導體基板和所述多個絕緣膜中的所述第二絕緣膜之間的部分。
10.根據(jù)權利要求1所述的攝像裝置，其中，所述多個絕緣膜中的所述第一絕緣膜和所述多個絕緣膜中的所述第二絕緣膜包括硅。
11.根據(jù)權利要求1所述的攝像裝置，其中，所述像素分隔凹槽的寬度大于或等于100nm并且小于或等于1000nm。
12.根據(jù)權利要求1所述的攝像裝置，其中，所述像素分隔凹槽的深度大于或等于0.25μm并且小于或等于5μm。
13.根據(jù)權利要求1所述的攝像裝置，其中，所述多個絕緣膜中的所述第一絕緣膜和所述多個絕緣膜中的所述第二絕緣膜是部分層疊的。
14.根據(jù)權利要求13所述的攝像裝置，其中，所述多個絕緣膜中的所述第一絕緣膜包括多個層。
15.根據(jù)權利要求14所述的攝像裝置，其中，所述多個絕緣膜中的所述第二絕緣膜的至少一部分設置在所述像素分隔凹槽內(nèi)。
16.根據(jù)權利要求1所述的攝像裝置，其中，所述多個絕緣膜中的所述第二絕緣膜的至少一部分設置在所述像素分隔凹槽內(nèi)。
17.根據(jù)權利要求15所述的攝像裝置，其中，所述多個絕緣膜中的所述第二絕緣膜的設置在所述像素分隔凹槽內(nèi)的所述至少一部分設置在所述多個絕緣膜中的所述第一絕緣膜的兩個層之間。
18.一種電子設備，包括：
攝像裝置，所述攝像裝置包括：
半導體基板，其具有第一側和第二側；
光電轉換部，其設置在所述半導體基板中；
像素分隔凹槽，其設置在所述半導體基板中并且鄰近于所述光電轉換部；
多個絕緣膜，其設置為鄰近于所述半導體基板的所述第一側；以及
氧化硅膜，
其中，所述多個絕緣膜中的每個絕緣膜包括選自由氧化鉿、氧化鋯、氧化鋁、氧化鈦和氧化鉭組成的組中的至少一種成分，
所述氧化硅膜接觸所述多個絕緣膜中的第一絕緣膜的表面以及所述多個絕緣膜中的第二絕緣膜的表面，
所述多個絕緣膜中的所述第一絕緣膜設置在所述像素分隔凹槽的內(nèi)部，
所述多個絕緣膜中的所述第二絕緣膜的至少一部分的厚度大于或等于10nm并且小于或等于80nm，并且
所述多個絕緣膜中的所述第一絕緣膜和所述多個絕緣膜中的所述第二絕緣膜由相同材料制成；以及
光學系統(tǒng)，所述光學系統(tǒng)包括至少一個光學透鏡，其中，所述光學系統(tǒng)被配置為將光引導至所述攝像裝置的像素部。
19.一種攝像裝置，包括：
半導體基板，其具有第一側和第二側，所述半導體基板包括：
光電轉換部，以及
像素分隔凹槽，鄰近于所述光電轉換部；
第一膜，其設置為鄰近于所述半導體基板的所述第一側并且在所述像素分隔凹槽的內(nèi)部；
第二膜，其設置在所述第一膜上并且在所述像素分隔凹槽的內(nèi)部；以及
第三膜，其設置在所述第二膜上并且在所述像素分隔凹槽的內(nèi)部，
其中，
所述第一膜和所述第三膜由相同材料制成，
所述第一膜和所述第三膜包括選自由氧化鉿、氧化鋯、氧化鋁、氧化鈦和氧化鉭組成的組中的至少一種成分，并且
所述第一膜和所述第三膜中至少一者的厚度大于或等于10nm并且小于或等于80nm。
20.根據(jù)權利要求19所述的攝像裝置，其中，所述第一膜和所述第三膜的所述材料與所述第二膜的材料不同。
21.根據(jù)權利要求19所述的攝像裝置，其中，氧化硅膜接觸所述第三膜的表面。
22.根據(jù)權利要求19所述的攝像裝置，其中，所述氧化硅膜形成在所述光電轉換部上方。
23.根據(jù)權利要求19所述的攝像裝置，其中，所述第三膜從所述半導體基板的光接收表面?zhèn)鹊剿鱿袼胤指舭疾鄣谋诒砻娴囊徊糠质沁B續(xù)的。
24.根據(jù)權利要求19所述的攝像裝置，其中，所述第一膜包括設置在所述半導體基板和所述第二膜之間的部分。
25.根據(jù)權利要求24所述的攝像裝置，其中，所述第一膜包括設置在所述半導體基板和所述第三膜之間的部分。
26.根據(jù)權利要求19所述的攝像裝置，其中，所述第一膜包括設置在所述半導體基板和所述第三膜之間的部分。
27.根據(jù)權利要求19所述的攝像裝置，其中，所述像素分隔凹槽的寬度大于或等于100nm并且小于或等于1000nm。
28.根據(jù)權利要求19所述的攝像裝置，其中，所述像素分隔凹槽的深度大于或等于0.25μm并且小于或等于5μm。
29.根據(jù)權利要求19所述的攝像裝置，其中，所述第一膜、所述第二膜或所述第三膜中的一個或多個包括硅。
30.一種電子設備，包括：
攝像裝置，所述攝像裝置包括：
半導體基板，其具有第一側和第二側，所述半導體基板包括：
光電轉換部，以及
像素分隔凹槽，鄰近于所述光電轉換部；
第一膜，其設置為鄰近于所述半導體基板的所述第一側并且在所述像素分隔凹槽的內(nèi)部；
第二膜，其設置在所述第一膜上并且在所述像素分隔凹槽的內(nèi)部；以及
第三膜，其設置在所述第二膜上并且在所述像素分隔凹槽的內(nèi)部，
其中，
所述第一膜和所述第三膜由相同材料制成，
所述第一膜和所述第三膜包括選自由氧化鉿、氧化鋯、氧化鋁、氧化鈦和氧化鉭組成的組中的至少一種成分，并且
所述第一膜和所述第三膜中至少一者的厚度大于或等于10nm并且小于或等于80nm；以及
光學系統(tǒng)，所述光學系統(tǒng)包括至少一個光學透鏡，其中，所述光學系統(tǒng)被配置為將光引導至所述攝像裝置的像素部分。