1.一種具有屏蔽柵的溝槽柵器件柵氧超許容時(shí)間處理方法，其特征在于，包括如下步驟：
步驟一、形成具有屏蔽柵的溝槽柵器件柵氧；所述柵氧形成于溝槽的頂部段的側(cè)面，在所述溝槽的底部段形成有屏蔽多晶硅，在所述屏蔽多晶硅和溝槽的底部段側(cè)面之間形成有第一隔離介質(zhì)層；在所述屏蔽多晶硅的頂部形成有多晶硅間介質(zhì)層；
步驟二、計(jì)算所述柵氧完成后到多晶硅柵生長(zhǎng)之前的第一停頓時(shí)間，比較該第一停頓時(shí)間和許容時(shí)間，如果所述第一停頓時(shí)間小于等于所述許容時(shí)間，則直接進(jìn)行后續(xù)步驟四；如果所述第一停頓時(shí)間大于所述許容時(shí)間，則直接進(jìn)行后續(xù)步驟三；
步驟三、進(jìn)行一次退火工藝以改善所述柵氧的質(zhì)量；所述退火工藝完成立即進(jìn)行后續(xù)步驟四或者等待一個(gè)第二停頓時(shí)間后進(jìn)行后續(xù)步驟四，所述第二停頓時(shí)間小于等于所述許容時(shí)間；
步驟四、生長(zhǎng)多晶硅柵，所述多晶硅柵將所述溝槽的頂部段完全填充。
2.如權(quán)利要求1所述的具有屏蔽柵的溝槽柵器件柵氧超許容時(shí)間處理方法，其特征在于：所述許容時(shí)間為9小時(shí)。
3.如權(quán)利要求1或2所述的具有屏蔽柵的溝槽柵器件柵氧超許容時(shí)間處理方法，其特征在于：步驟三中的所述退火工藝的溫度為900℃～1200℃、時(shí)間為10分鐘～100分鐘。
4.如權(quán)利要求3所述的具有屏蔽柵的溝槽柵器件柵氧超許容時(shí)間處理方法，其特征在于：所述退火工藝所通氣體為氮?dú)狻?/p>
5.如權(quán)利要求1所述的具有屏蔽柵的溝槽柵器件柵氧超許容時(shí)間處理方法，其特征在于：所述柵氧采用熱氧化工藝形成。
6.如權(quán)利要求1所述的具有屏蔽柵的溝槽柵器件柵氧超許容時(shí)間處理方法，其特征在于：所述第一隔離介質(zhì)層為氧化層。
7.如權(quán)利要求1所述的具有屏蔽柵的溝槽柵器件柵氧超許容時(shí)間處理方法，其特征在于：所述多晶硅間介質(zhì)層為氧化層。
8.如權(quán)利要求1所述的具有屏蔽柵的溝槽柵器件柵氧超許容時(shí)間處理方法，其特征在于：所述溝槽為通過刻蝕半導(dǎo)體襯底形成。
9.如權(quán)利要求8所述的具有屏蔽柵的溝槽柵器件柵氧超許容時(shí)間處理方法，其特征在于：所述半導(dǎo)體襯底為硅襯底。
10.如權(quán)利要求1所述的具有屏蔽柵的溝槽柵器件柵氧超許容時(shí)間處理方法，其特征在于：所述第一停頓時(shí)間的最大值達(dá)30小時(shí)以上。