1.一種五氧化二釩光電探測器，由附于襯底上的、兩端置有電極的五氧化二釩光敏元件組成，其特征在于：
所述五氧化二釩光敏元件為定向有序排列的五氧化二釩納米線致密陣列；
所述組成定向有序排列的五氧化二釩納米線致密陣列的五氧化二釩納米線的線直徑為200～600nm、線長為10～50μm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的五氧化二釩光電探測器，其特征是襯底為氧化硅襯底，或玻璃襯底，或陶瓷襯底。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的五氧化二釩光電探測器，其特征是電極為金電極，或鉑電極，或銀電極，或銅電極。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的五氧化二釩光電探測器，其特征是五氧化二釩光敏元件的受光面積為0.7～1.3mm×15～25μm。
5.一種權(quán)利要求1所述五氧化二釩光電探測器的制備方法，包括水熱法，其特征在于主要步驟如下：
步驟1，先使用水熱法得到VO2(A)納米線，再將VO2(A)納米線和水按照重量比為1：800～1200的比例混合后，超聲至少10min，得到VO2(A)納米線分散液；
步驟2，先按照VO2(A)納米線分散液和氯仿的重量比為1：≥0.8的比例，將VO2(A)納米線分散液滴加入氯仿中，待VO2(A)納米線于氯仿表面自組裝成定向有序排列的致密陣列后，使用襯底將其撈起，得到其上覆有VO2(A)納米線定向有序排列的致密陣列的襯底，再將其上覆有VO2(A)納米線定向有序排列的致密陣列的襯底置于360～400℃下退火至少150min，得到其上覆有定向有序排列的五氧化二釩納米線致密陣列的襯底；
步驟3，于定向有序排列的五氧化二釩納米線致密陣列的兩端安裝電極，制得五氧化二釩光電探測器。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的五氧化二釩光電探測器的制備方法，其特征是水熱法得到VO2(A)納米線的過程為，先將五氧化二釩粉末、草酸和水按照重量比為0.2～0.4:0.4～0.6:50的比例混合后攪拌至少1h，得到前軀體溶液，再將前軀體溶液置于密閉狀態(tài)，于200～240℃下反應(yīng)至少50h后，對冷卻了的反應(yīng)液依次進(jìn)行固液分離、洗滌和干燥的處理。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的五氧化二釩光電探測器的制備方法，其特征是將VO2(A)納米線分散液滴加入氯仿中時為沿容器壁滴加。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的五氧化二釩光電探測器的制備方法，其特征是襯底為氧化硅襯底，或玻璃襯底，或陶瓷襯底。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的五氧化二釩光電探測器的制備方法，其特征是電極為金電極，或鉑電極，或銀電極，或銅電極。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的五氧化二釩光電探測器的制備方法，其特征是固液分離處理為離心分離，其轉(zhuǎn)速為8000～12000r/min、時間為5～15min，洗滌處理為使用去離子水和乙醇對分離得到的固態(tài)物進(jìn)行2～3次的交替清洗，清洗時分離固態(tài)物為離心分離，干燥處理為將清洗后的固態(tài)物置于40～80℃下烘10～14h。