本發(fā)明涉及介電組合物以及電子部件。

背景技術：

為了對應于以智能手機或平板電腦為代表的移動通信設備的進一步高速大容量通信化而開始了同時使用多個頻帶的MIMO技術(Multi-Input Multi-Output)的實用化。每一個頻帶都分別需要高頻部件，如果使用于通信的頻帶增加，對于想依然維持設備尺寸而增加部件個數(shù)來說，要求各個部件被進一步小型化以及高功能化。

作為像這樣的對應高頻的電子部件，例如有雙工器(diplexer)或帶通濾波器(band-pass filter)等。這些都是由用作電容器的介電體和用作電感器的磁性體的結合而構成的，不過為了得到良好的高頻特性，尋求抑制在高頻區(qū)域內的各自的損耗。

如果著眼于介電體，則要求：(1)作為對小型化的要求的應對，為了減小電容器部的面積而要求相對介電常數(shù)(εr)高；(2)為了使頻率的選擇性良好而要求介電損耗低，即要求Q值高；(3)要求耐受電壓高等。

例如，作為在GHz帶內介電損耗低的代表性材料，可以列舉不定形SiNx膜。但是，由于相對介電常數(shù)(εr)低至6.5，所以為了帶來目標的功能需要大的面積，并且難以應對小型化的要求。

在專利文獻1中，公開有關于作為介電損耗低即Q值高的材料的Ba(Mg_1/3Ta_2/3)O₃的技術。這些是經(jīng)過1500℃以上的熱處理而獲得的致密燒結體，在10GHz下得到相對介電常數(shù)(εr)＝24.7；Q＝51000。

另外，在非專利文獻1中，由PLD法(脈沖激光蒸鍍法)將Ba(Mg_1/3Ta_2/3)O₃實施成膜，通過600℃的熱處理進行結晶化，在2.66GHz下獲得相對介電常數(shù)(εr)＝33.3；tanδ＝0.0158(若換算成Q值則Q＝63.3)。

現(xiàn)有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開平8-319162號公報

非專利文獻

非專利文獻1：Jpn.J.Appl.Phys.,vol.42(2003),pp.7428-7431,“Properties of Ba(Mg_1/3Ta_2/3)O₃Thin Films Prepared by Pulsed-Laser Deposition”.

技術實現(xiàn)要素：

發(fā)明想要解決的技術問題

然而，因為專利文獻1的技術為燒結體并且為了獲得介電特性而需要足夠的體積，所以對于在對應高頻波的電子部件中使用來說尺寸過大，另一方面，已知如果為了謀求小型化而將專利文獻1的Ba(Mg_1/3Ta_2/3)O₃薄膜化，則難以獲得如現(xiàn)有燒結體中得到的高Q值。另外，非專利文獻1的技術中，作為薄膜雖然得到相對介電常數(shù)(εr)＝33.3、以Q值換算為63.3，但是對于在對應高頻波的電子部件中的使用來說，要求更高的Q值。

另外，專利文獻1以及非專利文獻1并沒有談及耐受電壓。

本發(fā)明是鑒于這樣的實際狀況而完成的，目的在于提供一種介電組合物以及使用了該介電組合物的電子部件，該介電組合物即使是在小型化了的情況下也能夠相對介電常數(shù)高、介電損耗小、即Q值高、進一步耐受電壓高。

解決技術問題的手段

為了達到上述目的，本發(fā)明所涉及的介電組合物的特征在于：作為主成分包含由通式xAO-yBO-zC₂O₅(式中A表示選自Ba、Ca、Sr的至少一種元素，B表示Mg，C表示選自Nb、Ta的至少一種元素)所表示的復合氧化物，式中x、y、z的關系為x+y+z＝1.000；0.000＜x≤0.281；0.625≤y＜1.000；0.000＜z≤0.375。

通過控制為上述x、y、z的范圍，從而能夠獲得相對介電常數(shù)高Q值高，進一步耐受電壓高的介電組合物。

另外，通過使用上述本發(fā)明所涉及的介電組合物，從而與現(xiàn)有的被用于對應高頻波的電子部件的介電組合物相比，能夠提供一種即使在小型化了的情況下也能夠獲得充分高的相對介電常數(shù)、且Q值高即顯示高S/N比、進一步耐受電壓高的介質諧振器或介質濾波器等電子部件。

發(fā)明效果

本發(fā)明可以提供一種介電組合物以及使用了該介電組合物的電子部件，該介電組合物即使是在小型化了的情況下也相對介電常數(shù)高、介電損耗低即Q值高、進一步耐受電壓高。

附圖說明

圖1是本發(fā)明的一個實施方式所涉及的薄膜電容器的截面圖。

圖2是用SEM(掃描電子顯微鏡)觀察的將基板加熱至200℃來成膜的本發(fā)明的一個實施方式所涉及的介電組合物(實施例1)的表面的照片。

符號說明

1.支撐基板

2.基底層

3.下部電極

4.上部電極

5.介電薄膜

10.薄膜電容器

具體實施方式

以下是根據(jù)不同情況參照附圖來對本發(fā)明的優(yōu)選實施方式進行說明。

〈薄膜電容器10〉

圖1是使用了本發(fā)明的一個實施方式所涉及的介電組合物的作為電子部件一個例子的薄膜電容器10的截面圖。薄膜電容器10具備：層疊于支撐基板1表面的下部電極3、上部電極4、以及設置于下部電極3與上部電極4之間的介電薄膜5。為了提高支撐基板1與下部電極3的緊密附著性而在支撐基板1與下部電極3之間配備基底層2。支撐基板1具有確保薄膜電容器10整體的機械強度的功能。

對于薄膜電容器的形狀來說并沒有特別的限制，通常被做成長方體形狀。另外，對其尺寸也沒有特別的限制，厚度或長度可以根據(jù)用途做成適當?shù)某叽纭?/p>

〈支撐基板1〉

用于形成圖1所示的支撐基板1的材料不特別限定，可以由作為單晶的Si單晶、SiGe單晶、GaAs單晶、InP單晶、SrTiO₃單晶、MgO單晶、LaAlO₃單晶、ZrO₂單晶、MgAl₂O₄單晶、NdGaO₃單晶；作為陶瓷多晶基板的Al₂O₃多晶、ZnO多晶、SiO₂多晶；Ni、Cu、Ti、W、Mo、Al、Pt等金屬或它們的合金的基板等來形成支撐基板1，但是沒有特別的限定。這些材料中，從低成本以及加工性的觀點出發(fā)，通常使用Si單晶作為基板。支撐基板1根據(jù)基板的材質不同其電阻率會有所不同。在將電阻率低的材料作為基板使用的情況下，如果直接使用則電流流向基板側的漏電會影響到薄膜電容器10的電特性。因此，也可能對支撐基板1的表面實施絕緣處理，以使使用時的電流不流向支撐基板1。例如，在將Si單晶作為支撐基板1使用的情況下，可以使支撐基板1表面氧化并形成SiO₂絕緣層，或也可以將Al₂O₃、SiO₂、Si₃N_x等絕緣物形成于支撐基板1的表面，只要能夠保持對支撐基板1的絕緣，其絕緣層的材料或膜厚都沒有限定，優(yōu)選為0.01μm以上。因為在小于0.01μm的情況下不能保持絕緣性，所以作為絕緣層的厚度不優(yōu)選。支撐基板1的厚度只要能夠確保薄膜電容器整體的機械強度則沒有特別的限定，例如可以被設定為10μm～5000μm。如果小于10μm的情況下不能夠確保機械強度，如果超過5000μm則有可能產生所謂不利于電子部件小型化的問題。

〈基底層2〉

在本實施方式中，圖1所示的薄膜電容器10優(yōu)選為在實施了絕緣處理的支撐基板1表面上具有基底層2。基底層2是以提高支撐基板1與下部電極3的緊密附著性為目的而被插入的。作為一個例子，在將Cu用于下部電極3的情況下，通常是插入Cr作為基底層2；在將Pt用于下部電極3的情況下，通常是插入Ti作為基底層2。

由于以提高緊密附著性為目的，所以對上述材料并沒有限定，另外，只要能夠保持支撐基板1與下部電極3的緊密附著性則也可以省略基底層2。

〈下部電極3〉

用于形成下部電極3的材料只要具有導電性即可，例如可以由Pt、Ru、Rh、Pd、Ir、Au、Ag、Cu、Ni等的金屬或它們的合金或者導電性氧化物等來形成。因此，可以選擇對應于成本或者對介電層4實施熱處理時的氣氛的材料。介電層4除了在大氣中之外還可以在作為惰性氣體的N₂或Ar中、或者在惰性氣體和作為氧化性氣體的O₂的混合氣體中、或者惰性氣體和作為還原性氣體的H₂的混合氣體中進行熱處理。下部電極3的膜厚只要能夠作為電極發(fā)揮功能即可，優(yōu)選為0.01μm以上。在其小于0.01μm的情況下，導電性會變差，因而不優(yōu)選。另外，在將使用了能夠用作電極的Cu或Ni、Pt等或氧化物導電性材料等的基板使用于支撐基板1的情況下，可以省略上述基底層2和下部電極3。

也可以在形成下部電極3之后進行熱處理，并謀求基底層2與下部電極3的緊密附著性的提高以及下部電極3的穩(wěn)定性的提高。在進行熱處理的情況下，升溫速度優(yōu)選為10℃/分～2000℃/分，進一步優(yōu)選為100℃/分～1000℃/分。熱處理時的保持溫度優(yōu)選為400℃～800℃，其保持時間優(yōu)選為0.1小時～4.0小時。如果超過上述范圍，則由于發(fā)生緊密附著不良、在下部電極3的表面上產生凹凸，從而容易發(fā)生介電薄膜5的介電特性的降低。

〈介電薄膜5〉

構成介電薄膜5的介電組合物包含以通式xAO-yBO-zC₂O₅(A表示選自Ba、Ca、Sr中的至少一種的元素，B表示Mg，C表示選自Nb、Ta中的至少一種的元素)所表示的復合氧化物作為主成分。

另外，在將介電組合物的主成分表示為xAO-yBO-zC₂O₅時，x、y、z的關系為x+y+z＝1.000；0.000＜x≤0.281；0.625≤y＜1.000；0.000＜z≤0.375。

本發(fā)明人等認為在維持高Q值的情況下也能夠獲得相對介電常數(shù)比單純的MgO變高的效果的主要原因如下：通常已知結晶的對稱性良好的MgO具有高Q值，但是由于其對稱性不能獲得充分的電介質極化，不能夠獲得高的相對介電常數(shù)。通過添加上述A以及C所表示的元素從而MgO的一部分成為鈣鈦礦型的A²⁺(B’²⁺_1/3B”⁵⁺_2/3)O₃，因此在維持高Q值的情況下相對介電常數(shù)也變得比單純的MgO高。

另外，認為由于O的2p軌道和Mg的3s軌道的最外層原子軌道的能級之差大，所以通過較多地含有MgO而難以引發(fā)電子激發(fā)，提高使得作為代表性的破壞模式即電子雪崩(electron avalanche)變得難以發(fā)生的效果，并且耐受電壓變高。

如果x超過0.281，則過剩的BaO與大氣中的H₂O或CO₂反應并生成Ba(OH)₂或BaCO₃，并且不能得到充分的Q值。如果y小于0.625，則不能獲得充分的Q值。如果z超過0.375，則過剩的Ta₂O₅容易引起氧缺陷，從而半導體化，并且有介電損耗變大即Q值變低的傾向。通過將x、y、z的范圍控制在x+y+z＝1.000；0.000＜x≤0.281；0.625≤y＜1.000；0.000＜z≤0.375，從而能夠兼顧高的相對介電常數(shù)和高Q值、高耐受電壓。

進一步，在上述通式中，x、y、z的關系優(yōu)選為x+y+z＝1.000；0.000＜x≤0.281；0.625≤y＜1.000；0.000＜z≤0.125。

通過控制為上述x、y、z的范圍，MgO的一部分成為鈣鈦礦型的A²⁺(B’²⁺_1/3B”⁵⁺_2/3)O₃，并且通過較多地包含帶隙能量(bandgap energy)大的MgO，從而有在維持高耐受電壓的情況下還進一步容易獲得更高Q值的效果。

A為選自Ba、Ca、Sr中的至少一種元素。使用Ba、Ca、Sr中的一種或通過含有多種來使用都能夠獲得同樣的效果。另外，B為Mg，C為選自Nb、Ta中的至少一種的元素。關于這些元素，使用一種或通過含有多種來使用都能夠獲得同樣的效果。

介電薄膜5的厚度優(yōu)選為10nm～2000nm，更加優(yōu)選為50nm～1000nm。在小于10nm的情況下容易發(fā)生絕緣擊穿，在超過2000nm的情況下，為了增大電容器的靜電容量有必要擴大電極面積，并且有可能由于電子部件的設計而難以小型化。介電薄膜厚度的測量可以用FIB(聚焦離子束)加工裝置來進行磨削并用SIM(掃描離子顯微鏡)等來觀察測量所獲得的截面的長度。

介電薄膜5優(yōu)選使用真空蒸鍍法、濺射法、PLD(脈沖激光蒸鍍法)、MO-CVD(金屬有機化學氣相沉積法)、MOD(金屬有機分解法)或溶膠-凝膠法、CSD(化學溶液沉積法)等各種薄膜形成法來形成。此時，有可能在所使用的原料(蒸鍍材料、各種靶材或有機金屬材料等)中含有微量的雜質或副成分，但只要不是使絕緣性大幅度降低的雜質就不會有特別的問題。

只要不大幅度降低作為本發(fā)明的效果的介電特性，即，相對介電常數(shù)或Q值、耐受電壓，介電組合物另外可以含有的微少的雜質或副成分。因此，剩余部分的主成分的含量沒有特別的限定，例如相對于含有上述主成分的介電組合物整體為50mol％以上且100mol％以下。

另外，介電薄膜5通常僅由本發(fā)明的介電組合物構成，也可以是與其它介電組合物的膜相結合的層疊結構。例如，可以通過做成現(xiàn)有的Si₃N_x、SiO_x、Al₂O_x、ZrO_x、Ta₂O_x等不定形介電薄膜或與結晶膜的層疊結構，從而調整介電薄膜5的阻抗或相對介電常數(shù)的溫度變化。

〈上部電極4〉

在本實施方式的一個例子中，薄膜電容器10在介電薄膜5的表面上具備作為薄膜電容器10的另一個電極發(fā)揮作用的上部電極4。用于形成上部電極4的材料只要具有導電性則沒有特別的限定，可以由與下部電極3相同的材料來形成上部電極4。上部電極4的膜厚只要能夠作為電極發(fā)揮作用即可，優(yōu)選為10nm以上。在膜厚為10nm以下的情況下導電性發(fā)生惡化，所以不優(yōu)選作為上部電極4。

在上述的實施方式中，例示了作為使用本發(fā)明的一個實施方式所涉及的介電組合物的電子部件的一個例子的薄膜電容器，作為使用了本發(fā)明所涉及的介電組合物的電子部件，不限定于薄膜電容器，例如雙工器(diplexer)、帶通濾波器、不平衡變壓器(balun)或耦合器等，只要是具有介電薄膜的電子部件則哪一種都可以。

實施例

以下進一步基于詳細的實施例來說明本發(fā)明，但是本發(fā)明不限定于這些實施例。

〈實施例1〉〈比較例1〉

首先，在350μm厚的10mm×10mm正方形支撐基板表面上用濺射法形成作為基底層的Ti薄膜至成為20nm的厚度，其中，在上述支撐基板中，在Si表面上具備有6μm厚的SiO₂絕緣膜。

接著，用濺射法在上述形成的Ti薄膜上形成作為下部電極的Pt薄膜至成為100nm的厚度。

相對于所形成的Ti/Pt薄膜，在升溫速度為400℃/分；保持溫度為700℃；溫度保持時間為30分鐘；氣氛為氧氣氛；常壓下進行熱處理。

在介電薄膜的形成中使用了PLD法。介電薄膜的形成所需要的靶材按以下方式制作。

首先，稱取MgO、Ta₂O₅以成為表1所示的樣品No.1～樣品No.9以及樣品No.11～樣品No.14的Mg、Ta的量，將稱量好的原料粉末和水以及φ2mm的ZrO₂珠投入到1L廣口塑料缽中并進行20小時的濕式混合。之后，在100℃溫度條件下將混合粉末漿料干燥20小時，將所獲得的混合粉末加入到Al₂O₃坩堝中，以在大氣中用1250℃的溫度保持5小時的燒成條件實行1次煅燒，獲得了MgO-Ta₂O₅煅燒粉末。

接著，稱取所獲得的MgO-Ta₂O₅煅燒粉末和BaCO₃以成為表1所示的樣品No.1～樣品No.14的比率，將稱量好的原料粉末、水以及φ2mm的ZrO₂珠投入到1L廣口塑料缽中并進行20小時的濕式混合。之后，在100℃下將混合粉末漿料干燥20小時，將所獲得的混合粉末加入到Al₂O₃坩堝中，以在大氣中1050℃下保持5小時的燒成條件進行2次煅燒，并獲得BaO-MgO-Ta₂O₅煅燒粉末。

不含Mg的BaO-Ta₂O₅系化合物會阻礙作為目的產物的BaO-MgO-Ta₂O₅的生成，但通過這樣進行2個階段的煅燒從而就能夠抑制BaO-Ta₂O₅系化合物生成。

將所獲得的煅燒粉末加入到研缽中，作為膠粘劑添加濃度為6wt％的PVA(聚乙烯醇)水溶液至相對于煅燒粉末成為4wt％，在使用研杵來制作造粒粉之后將造粒粉加入到φ20mm的模具中至厚度成為5mm左右。接著，使用單軸壓制機并制得成型體。成型條件設為壓力為2.0×10⁸Pa；溫度為室溫。

之后，在將升溫速度設為100℃/小時；保持溫度設為400℃；溫度保持時間設為4小時；氣氛為常壓的大氣中對得到的成型體進行脫膠粘劑處理，之后將升溫速度設為200℃/小時；保持溫度設為1600℃～1700℃；溫度保持時間設為12小時；在氣氛為常壓的大氣中進行燒成。

接著，用圓筒研磨機研磨兩面至所獲得的燒結體的厚度成為4mm，并得到為形成介電薄膜所需的PLD用靶材。

使用這樣得到的PLD用靶材，用PLD法在下部電極上形成介電薄膜至厚度成為400nm。通過PLD法進行成膜的條件為：將氧壓控制在1×10^-1(Pa)，并將基板加熱到200℃。另外，為了使下部電極的一部分露出而使用金屬掩模以形成一部分沒有成膜介電薄膜的區(qū)域。在O₂氣氛條件下以600℃對上述介電薄膜進行1小時的退火處理。

介電薄膜厚的測量是通過用FIB進行磨削并用SIM觀察所獲得的截面來進行長度測量。

針對所有樣品，按下述所示的方法進行組成分析并確認了成膜后的介電薄膜是表1所記載的組成。

〈組成分析〉

組成分析是在室溫下使用波長色散X射線熒光光譜法(Rigaku公司制ZSX-100e)來進行。

接著，使用蒸鍍裝置在所得到的上述介電薄膜上形成作為上部電極的Ag薄膜。通過使用金屬掩模形成上部電極的形狀至成為直徑100μm以及厚度100nm，從而獲得圖1所示結構的樣品No.1～樣品No.14。

針對所獲得的所有薄膜電容器樣品分別通過下述所示的方法進行相對介電常數(shù)、Q值、耐受電壓的測定。

〈相對介電常數(shù)(εr)、Q值〉

相對介電常數(shù)(εr)以及Q值是由針對薄膜電容器樣品在基準溫度25℃下用RF阻抗/材料分析儀(Agilent公司制4991A)在頻率為2GHz以及輸入信號電平(測定電壓)為0.5Vrm的條件下測定的靜電容量和膜厚測定結果計算得到的(無單位)。相對介電常數(shù)越高越好，10以上為良好。另外，Q值越高越好，650以上為良好。

〈耐受電壓(Vbd)〉

耐受電壓是相對于薄膜電容器樣品，將數(shù)字超高電阻/微電流表(ADVANTEST R8340)連接于下部電極露出的區(qū)域和上部電極，以5V/秒的階梯式施加電壓并進行測量，讀取從初始電阻值降低兩個數(shù)量級時的電壓值，并讀取該值作為樣品的破壞電壓值(V)。將用電介質膜厚除所獲得的破壞電壓值(V)所得到的數(shù)值設定為耐受電壓(kV/μm)并記載于表1中。耐受電壓越高越好，0.5kV/μm以上為良好。

【表1】

樣品No.1～樣品No.9

樣品No.1～樣品No.9與圖2所表示的情況相同在表面上沒有發(fā)現(xiàn)龜裂等缺陷。根據(jù)表1，能夠確認：介電組合物為以BaO-MgO-Ta₂O₅作為主成分的介電組合物，在將上述介電組合物的主成分表示為xBaO-yMgO-zTa₂O₅時，x、y、z的關系為x+y+z＝1.000；0.000＜x≤0.281；0.625≤y＜1.000；0.000＜z≤0.375的樣品No.1～樣品No.9的相對介電常數(shù)為10以上，Q值為650以上，耐受電壓為0.5kV/μm以上。

樣品No.1、樣品No.2、樣品No.6、樣品No.8、樣品No.9

根據(jù)表1，能夠確認：在將介電薄膜的主成分表示為xBaO-yMgO-zTa₂O₅時，x、y、z的關系為x+y+z＝1.000；0.000＜x≤0.281；0.625≤y＜1.000；0.000＜z≤0.125的樣品No.1、樣品No.2、樣品No.6、樣品No.8、樣品No.9的相對介電常數(shù)為10以上、Q值為850以上、耐受電壓為0.5kV/μm以上。這樣，能夠確認：通過限定z的范圍從而能夠在維持相對介電常數(shù)以及耐受電壓的情況下進一步提高Q值。

樣品No.10～樣品No.14

x＞0.281的樣品No.10由于龜裂所以不能評價介電特性。樣品No.11～樣品No.14與圖2所表示的情況相同在表面上沒有發(fā)現(xiàn)龜裂等缺陷。能夠確認：y＜0.625的樣品No.11～樣品No.14的耐受電壓小于0.5kV/μm。

〈實施例2〉

稱取BaCO₃、CaCO₃、SrCO₃、MgO、Ta₂O₅至Ba、Ca、Sr、Mg、Ta的量成為表2所示的值，通過1次煅燒獲得MgO-Ta₂O₅煅燒粉末，通過2次煅燒分別獲得CaO-MgO-Ta₂O₅(樣品No.15)、SrO-MgO-Ta₂O₅(樣品No.16)、(Ba-Ca)O-MgO-Ta₂O₅(樣品No.17)、(Ca-Sr)O-MgO-Ta₂O₅(樣品No.18)、(Sr-Ba)O-MgO-Ta₂O₅(樣品No.19)、(Ba-Ca-Sr)O-MgO-Ta₂O₅(樣品No.20)的煅燒粉末。除了組成之外其它均以與實施例1同樣的方法制作靶材，并分別制作了樣品No.15～樣品No.20的薄膜電容器樣品。將進行了與實施例1相同的評價的結果示于表2中。

【表2】

樣品No.9、樣品No.15～樣品No.20

樣品No.15～樣品No.20與圖2所表示的情況相同在表面上沒有發(fā)現(xiàn)龜裂等欠缺。根據(jù)表2，可以確認：介電組合物為以AO-MgO-Ta₂O₅作為主成分的介電組合物，且A含有選自Ba、Ca、Sr中的至少一種的樣品No.9、樣品No.15～樣品No.20顯示出基本相同的特性，相對介電常數(shù)為10以上，Q值為650以上，耐受電壓為0.5kV/μm以上。

〈實施例3〉

稱取BaCO₃、MgO、Ta₂O₅、Nb₂O₅至Ba、Mg、Ta、Nb的量成為表3所示的值，通過1次煅燒分別得到MgO-Nb₂O₅(樣品No.21)、MgO-(Ta-Nb)₂O₅(樣品No.22)的煅燒粉末，通過2次煅燒分別得到BaO-MgO-Nb₂O₅(樣品No.21)、BaO-MgO-(Ta-Nb)₂O₅(樣品No.22)的煅燒粉末。除了組成之外其余均以與實施例1同樣的方法制作靶材，并分別制作了樣品No.21、樣品No.22的薄膜電容器樣品。將進行了與實施例1同樣的評價的結果示于表3中。

【表3】

樣品No.9、樣品No.21、樣品No.22

樣品No.21、樣品No.22與圖2所示的情況同樣在表面上沒有發(fā)現(xiàn)龜裂等缺陷。根據(jù)表3，能夠確認：介電組合物為以BaO-MgO-C₂O₅作為主成分的介電組合物，且C含有選自Nb、Ta中的至少一種的樣品No.9、樣品No.21、樣品No.22顯示基本相同的特性，相對介電常數(shù)為10以上，Q值為650以上，耐受電壓為0.5kV/μm以上。

〈實施例4〉

稱取BaCO₃、CaCO₃、SrCO₃、MgO、Ta₂O₅、Nb₂O₅至Ba、Ca、Sr、Mg、Ta、Nb的量成為表4所示的值，通過1次煅燒分別得到MgO-(Ta-Nb)₂O₅(樣品No.23～樣品No.26)的煅燒粉末，通過2次煅燒分別得到(Ba-Ca)O-(Mg)O-(Ta-Nb)₂O₅(樣品No.23)、(Ca-Sr)O-(Mg)O-(Ta-Nb)₂O₅(樣品No.24)、(Sr-Ba)O-(Mg)O-(Ta-Nb)₂O₅(樣品No.25)、(Ba-Ca-Sr)O-(MgO)-(Ta-Nb)₂O₅(樣品No.26)的煅燒粉末。除了組成之外其余均以與實施例1同樣的方法制作靶材，并分別制作了樣品No.23～樣品No.26的薄膜電容器樣品。將進行了與實施例1同樣的評價的結果示于表4中。

【表4】

樣品No.23～樣品No.26

樣品No.23～樣品No.26與圖2所示的情況相同在表面上沒有發(fā)現(xiàn)龜裂等缺陷。根據(jù)表4，能夠確認：介電組合物為以AO-BO-C₂O₅作為主成分的介電組合物，A含有選自Ba、Ca、Sr中的至少一種的元素，B為Mg且C含有選自Nb、Ta中的至少一種的元素的樣品No.23～樣品No.26顯示基本相同的特性，相對介電常數(shù)為10以上、Q值為650以上，耐受電壓為0.5kV/μm以上。

〈實施例5〉

除了用濺射法來成膜介電薄膜之外其余均以與實施例1的樣品No.9相同的方法制作樣品，并且進行了與實施例1同樣的評價。結果示于表5中。

〈實施例6〉

除了將介電薄膜厚度做到800nm之外其余均以與實施例1的樣品No.9相同的手法制作樣品，并進行了與實施例1相同的評價。將評價結果示于表5中。

[表5]

樣品No.27、樣品No.28

樣品No.27以及樣品No.28與圖2所表示的情況相同在表面上沒有發(fā)現(xiàn)龜裂等缺陷。根據(jù)表5能夠確認：即使介電薄膜的制法(樣品No.27)或介電薄膜厚度(樣品No.28)不同，通過使用本實施方式的介電薄膜從而相對介電常數(shù)為10以上、Q值為650以上且耐受電壓為0.5kV/μm以上。

產業(yè)上的利用可能性

正如以上所說明的那樣，本發(fā)明涉及介電組合物以及電子部件，本發(fā)明提供一種介電組合物以及使用了該介電組合物的電子部件，該介電組合物即使進行小型化也相對介電常數(shù)高，介電損耗低，即Q值高，進一步耐受電壓高。由此，在使用介電組合物的電子部件中，能夠謀求到小型化以及高功能化。本發(fā)明例如對于使用介電薄膜的雙工器(diplexer)或帶通濾波器等薄膜高頻部件等能夠廣泛地提供新技術。