1.一種方法，其包括:
在單晶半導體層上形成介電層；
在該介電層中形成開口，該開口露出部分該單晶半導體層；
在該介電層上以及在該開口內(nèi)的該單晶半導體層上形成光吸收層，該光吸收層為非晶或多晶且具有熔化溫度；
在該光吸收層之上形成一或多個應變緩解層；
進行加熱工序以便加熱該光吸收層至該熔化溫度，接著在該加熱工序之后，該光吸收層變?yōu)閱尉В?/p>
移除至少一個應變緩解層；
在該光吸收層之上形成密封層；以及
在形成該密封層之后，進行離子植入工序以便在該光吸收層中形成至少一個二極管。
2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，該一或多個應變緩解層極小化該光吸收層上的應力。
3.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，該一或多個應變緩解層包括第一應變緩解層及在該第一應變緩解層上的第二應變緩解層，以及該第一應變緩解層及該第二應變緩解層包括不同材料且具有不同厚度。
4.根據(jù)權利要求3所述的方法，其特征在于，該第一應變緩解層包括氮化硅層，該第二應變緩解層包括氧化硅層，且該不同厚度的比例近似1:5。
5.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，該單晶半導體層包括硅層，該光吸收層包括鍺層，以及該密封層包括氮化硅層、多晶硅層、硅鍺層、硅碳層、氮化鈦層及氮化鉭層中的任一者。
6.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，該離子植入工序使用至少1x1014原子/cm2的植入劑量而進行。
7.根據(jù)權利要求1所述的方法，還包括:
在進行該離子植入工序之后，在該密封層上形成多個介電層的堆棧；
形成垂直延伸通過該堆棧的另外開口，以露出該密封層的頂表面；
在該堆棧上以及該另外開口中沉積層間介電材料的覆蓋層；以及
形成接觸，其垂直延伸通過在該另外開口內(nèi)的該覆蓋層以及通過該密封層至該至少一個二極管的擴散區(qū)域。
8.一種形成光偵測器的方法，該方法包括:
在單晶半導體層上形成第一介電層；
在該第一介電層中形成開口，該開口露出部分該單晶半導體層；
在該第一介電層上以及在該開口內(nèi)的該單晶半導體層上形成鍺的光吸收層，該鍺的光吸收層為非晶或多晶且具有熔化溫度；
在該鍺的光吸收層之上形成多個應變緩解層，該多個應變緩解層包括不同材料且具有不同厚度；
進行加熱工序以便加熱該鍺的光吸收層至該熔化溫度，在該加熱工序之后，該鍺的光吸收層變?yōu)閱尉В?/p>
移除該多個應變緩解層；
在該鍺的光吸收層之上形成密封層；以及
在形成該密封層之后，進行離子植入工序以便在該鍺的光吸收層中形成多個二極管。
9.根據(jù)權利要求8所述的方法，還包括預定該多個應變緩解層的該不同材料及該不同厚度以在室溫及該熔化溫度二者下于該多個應變緩解層中極小化應力，且導致極小化該鍺的光吸收層上的應力。
10.根據(jù)權利要求8所述的方法，其特征在于，該多個應變緩解層包括第一應變緩解層及在該第一應變緩解層上的第二應變緩解層。
11.根據(jù)權利要求10所述的方法，其特征在于，該第一應變緩解層包括氮化硅層，該第二應變緩解層包括氧化硅層，且該不同厚度的比例近似1:5。
12.根據(jù)權利要求8所述的方法，還包括:
在進行該離子植入工序之后，在該密封層上形成多個介電層的堆棧，該堆棧包括:
第二介電層；
在該第二介電層上的第三介電層；及
在該第三介電層上的第四介電層；
形成垂直延伸通過該堆棧的另外開口，以露出該密封層的頂表面；
在該堆棧上以及該另外開口中沉積層間介電材料的覆蓋層；以及
形成接觸，其在該另外開口內(nèi)垂直延伸通過該覆蓋層以及通過該密封層至該二極管的擴散區(qū)域。
13.根據(jù)權利要求8所述的方法，其特征在于，該單晶半導體層包括硅層，以及該密封層包括氮化硅層、多晶硅層、硅鍺層、氮化鈦層及氮化鉭層中的任一者。
14.根據(jù)權利要求8所述的方法，其特征在于，該離子植入工序使用至少1x1014原子/cm2的植入劑量而進行。
15.一種光偵測器，其包括:
第一介電層，位在單晶半導體層上，該第一介電層具有垂直延伸至該單晶半導體層的開口；
光吸收層，位在該第一介電層上以及該開口內(nèi)的該單晶半導體層上，該光吸收層為單晶且包括至少一個二極管；以及
共形密封層，其覆蓋該光吸收層，該密封層填充在該光吸收層的表面上的凹陷。
16.根據(jù)權利要求15所述的光偵測器，其特征在于，該密封層包括氮化硅層、多晶硅層、硅鍺層、硅碳層、氮化鈦層及氮化鉭層中的任一者
17.根據(jù)權利要求15所述的光偵測器，其特征在于，該二極管具有多個擴散區(qū)域，各該擴散區(qū)域具有位于該光吸收層的底表面與頂表面之間的近似一半的深度的尖峰摻質濃度的摻質輪廓且尖峰摻質濃度的量為至少1x1019原子/cm3。
18.根據(jù)權利要求15所述的光偵測器，其特征在于，該二極管具有多個擴散區(qū)域及側向位于該多個擴散區(qū)域之間的本質區(qū)域。
19.根據(jù)權利要求15所述的光偵測器，還包括:
多個介電層的堆棧，位在該密封層上；
另外開口，其垂直延伸通過該堆棧至該密封層；
層間介電材料的覆蓋層，位在該堆棧之上且充填該另外開口；以及
接觸，其垂直延伸通過該另外開口中的該覆蓋層以及通過該密封層至該二極管的多個擴散區(qū)域。
20.根據(jù)權利要求19所述的光偵測器，該堆棧包括:
第二介電層，其直接地鄰近該密封層；
第三介電層，位在該第二介電層上；以及
第四介電層，位在該第三介電層上，
層間介電材料的覆蓋層，其直接地鄰近該第四介電層，
該第二介電層包括氧化硅層，
該第一介電層、該第三介電層及該第四介電層包括氮化硅層，及
該密封層及該第四介電層具有近似相等的厚度。