1.一種有機發(fā)光顯示裝置，包括：
基板，所述基板包括有源區(qū)和焊盤區(qū)；
在所述基板的所述有源區(qū)中的薄膜晶體管(TFT)，所述TFT包括柵電極；
在所述TFT上的陽極電極；
在所述陽極電極上的有機發(fā)光層；
在所述有機發(fā)光層上的陰極電極；
輔助電極，所述輔助電極連接至所述陰極電極并且設(shè)置在與所述陽極電極的層相同的層上；
在所述基板的所述焊盤區(qū)中的信號焊盤，所述信號焊盤設(shè)置在與所述柵電極的層相同的層上；以及
焊盤電極，所述焊盤電極連接至所述信號焊盤以覆蓋所述信號焊盤的頂部來用于防止所述信號焊盤的頂部被腐蝕。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中
所述焊盤電極包括下焊盤電極、上焊盤電極和蓋焊盤電極，以及
所述蓋焊盤電極設(shè)置為覆蓋所述上焊盤電極的頂表面和側(cè)表面。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中
所述下焊盤電極和所述蓋焊盤電極中的每一個的氧化速率小于所述上焊盤電極的氧化速率，以及
所述上焊盤電極的電阻小于所述下焊盤電極和所述蓋焊盤電極中的每一個的電阻。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中
所述TFT包括源電極，所述源電極包括下源電極和上源電極，以及
所述下焊盤電極包含與所述下源電極的材料相同的材料，以及
所述上焊盤電極包含與所述上源電極的材料相同的材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中
所述陽極電極包括第一陽極電極，所述第一陽極電極包括第一下陽極 電極和第一上陽極電極，以及
所述蓋焊盤電極包含與所述第一下陽極電極的材料相同的材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中所述陽極電極還包括設(shè)置為覆蓋所述第一陽極電極的頂表面和側(cè)表面的第二陽極電極。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中
所述第二陽極電極包括第二下陽極電極、第二中心陽極電極和第二上陽極電極，以及
所述第二下陽極電極和所述第二上陽極電極中的每一個的氧化速率小于所述第二中心陽極電極的氧化速率，以及
所述第二中心陽極電極的電阻小于所述第二下陽極電極和所述第二上陽極電極中的每一個的電阻。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中
所述信號焊盤包括下信號焊盤和在所述下信號焊盤上的上信號焊盤，以及
所述下信號焊盤的氧化速率小于所述上信號焊盤的氧化速率，以及
所述上信號焊盤的電阻小于所述下信號焊盤的電阻。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中所述輔助電極包括第一輔助電極和設(shè)置為覆蓋所述第一輔助電極的頂表面和側(cè)表面的第二輔助電極。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機發(fā)光顯示裝置，還包括：
堤部，所述堤部在所述第二輔助電極的一側(cè)和另一側(cè)中的每一個上；以及
在所述第二輔助電極上的隔壁，所述隔壁與所述堤部隔開，以及
陰極電極，所述陰極電極通過在所述堤部與所述隔壁之間的間隔空間連接至所述第二輔助電極。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中
所述TFT包括源電極，所述源電極包括下源電極和上源電極，以及
所述上源電極的厚度比所述下源電極的厚度厚。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中
所述陽極電極包括第一陽極電極，所述第一陽極電極包括第一下陽極電極和第一上陽極電極，以及
所述第一上陽極電極的厚度比所述第一下陽極電極的厚度厚。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中
所述第一輔助電極包括第一上輔助電極和第一下輔助電極，以及
所述第一上輔助電極的厚度比所述第一下輔助電極的厚度厚。
14.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中
所述第二中心陽極電極的厚度比所述第二下陽極電極和所述第二上陽極電極中的每一個的厚度厚。
15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中
所述第二輔助電極包括第二下輔助電極、第二中心輔助電極和第二上輔助電極。
16.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機發(fā)光顯示裝置，還包括：
堤部，所述堤部在所述第二陽極電極的一側(cè)和另一側(cè)中的每一個上。
17.根據(jù)權(quán)利要求10所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中
所述隔壁的頂部的寬度大于所述隔壁的底部的寬度。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，還包括：
在所述信號焊盤上的層間電介質(zhì)。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中
所述層間電介質(zhì)形成為露出所述信號焊盤的頂部并且覆蓋所述信號焊盤的側(cè)表面。
20.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中
所述焊盤電極包括下焊盤電極、上焊盤電極和蓋焊盤電極，以及
所述上焊盤電極的厚度比所述下焊盤電極和所述蓋焊盤電極中的每一個的厚度厚。
21.一種制造有機發(fā)光顯示裝置的方法，所述方法包括：
在基板的有源區(qū)中形成薄膜晶體管(TFT)并且在所述基板的焊盤區(qū)中形成信號焊盤以及連接至所述信號焊盤的第一焊盤電極；
在所述TFT和所述第一焊盤電極上形成鈍化層；
在所述鈍化層上形成平坦化層；
去除所述鈍化層的某些區(qū)域以同時形成將所述TFT暴露于外部的區(qū)域以及將所述第一焊盤電極暴露于外部的區(qū)域；
形成連接至所述TFT的第一陽極電極、與所述第一陽極電極隔開的第一輔助電極、以及連接至所述第一焊盤電極并且覆蓋所露出的第一焊盤電極的第二焊盤電極；以及
形成覆蓋所述第一陽極電極的頂表面和側(cè)表面的第二陽極電極、以及覆蓋所述第一輔助電極的頂表面和側(cè)表面的第二輔助電極。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中
所述TFT包括柵電極和源電極；
所述信號焊盤與所述柵電極同時形成；以及
所述第一焊盤電極與所述源電極同時形成。
23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中形成所述第二焊盤電極包括在形成所述第二陽極電極和所述第二輔助電極的工藝中，通過利用蝕刻劑同時地去除設(shè)置在所述第二焊盤電極上的元件。
24.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，還包括：
在所述第二輔助電極的一側(cè)和另一側(cè)中的每一個上形成堤部以及在所述第二輔助電極的頂部上形成隔壁；
在所述第二陽極電極上形成有機發(fā)光層，所述有機發(fā)光層不沉積在所述堤部與所述隔壁之間的間隔空間中；以及
形成連接至所述第二輔助電極的陰極電極，所述陰極電極沉積在所述堤部與所述隔壁之間的間隔空間中。