1.一種等離子體處理裝置，其特征在于，包括：
具有用于載置基板的基板載置面的載置臺；
設置在所述載置臺、通過靜電力將基板吸附保持在所述基板載置面上的靜電吸附部；
將所述載置臺收納在內部的腔室；和
在所述腔室的內部生成等離子體的等離子體生成構件，
該等離子體處理裝置利用所述等離子體對載置于所述載置臺上的基板實施處理，
所述等離子體處理裝置還包括：
在所述基板載置面上載置有基板的狀態(tài)下，在該基板所覆蓋的位置以露出在所述基板載置面的方式配置于所述載置臺的導電性部件；
對所述導電性部件施加直流電壓的直流電源；
檢測所述導電性部件的電位和流過所述導電性部件的電流中的至少一者的檢測器；和
控制部，其在所述檢測器檢測到所述導電性部件的電位的變化或者流過所述導電性部件的電流發(fā)生變化時，中止利用所述等離子體生成構件進行的等離子體的生成。
2.如權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于：
所述導電性部件配置在與所述基板的周緣部對應的位置。
3.如權利要求1或2所述的等離子體處理裝置，其特征在于：
所述導電性部件以與所述載置臺電絕緣的狀態(tài)載置于所述載置臺。
4.如權利要求1～3中任一項所述的等離子體處理裝置，其特征在于：
所述導電性部件可更換地配置于所述載置臺。
5.如權利要求1～4中任一項所述的等離子體處理裝置，其特征在于：
所述直流電源對所述導電性部件施加正電壓，
在由所述檢測器檢測到所述導電性部件的電位降低至規(guī)定值以下時，所述控制部中止利用所述等離子體生成構件進行的等離子體的生成。
6.如權利要求1～4中任一項所述的等離子體處理裝置，其特征在于：
所述直流電源對所述導電性部件施加負電壓，
在由所述檢測器檢測到所述導電性部件的電位超過規(guī)定的閾值而發(fā)生變化時，所述控制部中止利用所述等離子體生成構件進行的等離子體的生成。
7.如權利要求1～4中任一項所述的等離子體處理裝置，其特征在于：
所述直流電源對所述導電性部件施加負電壓，
在由所述檢測器檢測到流過所述導電性部件的電流超過規(guī)定的閾值而發(fā)生變化時，所述控制部中止利用所述等離子體生成構件進行的等離子體的生成。
8.一種基板剝離檢測方法，其檢測對載置于載置臺的基板載置面上的基板實施等離子體處理時所述基板從所述基板載置面的剝離，所述基板剝離檢測方法的特征在于，包括：
對導電性部件施加規(guī)定的直流電壓的施加步驟，該導電性部件在所述基板載置面上載置有基板的狀態(tài)下，在該基板所覆蓋的位置以露出在所述基板載置面的方式配置于所述載置臺；
在對所述導電性部件施加了規(guī)定的直流電壓的狀態(tài)下，對所述基板實施等離子體處理的處理步驟；
在所述處理步驟的執(zhí)行中，監(jiān)視所述導電性部件的電位或者流過所述導電性部件的電流的監(jiān)視步驟；和
在所述監(jiān)視步驟中，檢測到所述導電性部件的電位的變化或者流過所述導電性部件的電流發(fā)生變化時，判斷為所述基板從所述基板載置面剝離的判斷步驟。