技術(shù)領(lǐng)域

一個或更多個示例性實施例涉及一種有機發(fā)光顯示設(shè)備及其制造方法，更具體地，涉及一種可增大顯示設(shè)備的顯示單元(例如，顯示區(qū)域)外部的電路單元的機械強度并可防止外部的靜電流入到電路單元中的有機發(fā)光顯示設(shè)備和一種制造該顯示設(shè)備的方法。

背景技術(shù)：

在顯示設(shè)備之中，有機發(fā)光顯示設(shè)備因為它們的寬視角、高對比度以及快速響應(yīng)時間而作為下一代顯示設(shè)備備受關(guān)注。

在一般的有機發(fā)光顯示設(shè)備中，薄膜晶體管(TFT)和有機發(fā)光器件形成在基底上，有機發(fā)光器件被構(gòu)造為自發(fā)光。有機發(fā)光顯示設(shè)備可用作諸如移動電話的小產(chǎn)品的顯示單元，或者可用作諸如電視的大產(chǎn)品的顯示單元。

有機發(fā)光顯示設(shè)備包括有機發(fā)光器件，所述有機發(fā)光器件包括像素電極、對向電極以及位于像素電極和對向電極之間的包括發(fā)射層(EML)的中間層，有機發(fā)光器件可用作每個(子)像素中的顯示單元。密封構(gòu)件位于顯示區(qū)域的外部以密封顯示區(qū)域。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

在傳統(tǒng)的有機發(fā)光顯示設(shè)備中，靜電由于用于增加顯示區(qū)域外部的機械強度的結(jié)構(gòu)而會集中在密封構(gòu)件和顯示區(qū)域之間，并可通過布線流入到電路單元或像素中，從而造成損壞或故障，并使得難以顯示高質(zhì)量圖像。

一個或更多個示例性實施例包括一種有機發(fā)光顯示設(shè)備和制造所述有機發(fā)光顯示設(shè)備的方法，所述有機發(fā)光顯示設(shè)備可增大在顯示單元(例如，顯 示區(qū)域)外部的電路單元的機械強度并可防止外部的靜電流入到電路單元中。

額外的方面將部分地在下面的描述中進行闡述，并且部分地通過描述將是清楚的或者可通過實踐提出的實施例而了解。

根據(jù)一個或更多個示例性實施例，一種有機發(fā)光顯示設(shè)備包括：下基底，具有顯示區(qū)域和位于顯示區(qū)域外部的密封區(qū)域；上基底，面對下基底；顯示單元，位于顯示區(qū)域處；密封構(gòu)件，位于密封區(qū)域處，并將上基底附著到下基底；金屬圖案層，位于下基底和密封構(gòu)件之間，并限定多個貫通部；第一金屬層，沿著顯示單元的邊緣，并與金屬圖案層分隔開；多個金屬圖案，具有島狀形狀并且位于金屬圖案層和第一金屬層之間。

金屬圖案層可與第一金屬層位于同一層處。

所述多個金屬圖案可與第一金屬層位于同一層處。

有機發(fā)光顯示設(shè)備還可包括與所述多個金屬圖案和第一金屬層疊置的電極供電線，顯示單元包括薄膜晶體管(TFT)、電連接到TFT的像素電極以及位于顯示單元的整個表面之上、面對像素電極并接觸電極供電線的對向電極。

電極供電線可不與金屬圖案層疊置。

有機發(fā)光顯示設(shè)備還可包括位于第一金屬層和電極供電線之間的第二金屬層，第二金屬層與所述多個金屬圖案中的至少一些疊置。

金屬圖案層可與第二金屬層位于同一層處。

所述多個金屬圖案中的除了所述多個金屬圖案中的至少一些之外的剩余金屬圖案可與第二金屬層位于同一層處。

金屬圖案層和第一金屬層可彼此分隔開第一間隔，金屬圖案層和第二金屬層可彼此分隔開比第一間隔小的第二間隔，金屬圖案層和電極供電線可彼此隔開比第二間隔小的第三間隔。

根據(jù)一個或更多個示例性實施例，一種制造有機發(fā)光顯示設(shè)備的方法包括以下步驟：準備具有顯示區(qū)域和位于顯示區(qū)域外部的密封區(qū)域的下基底；在顯示區(qū)域處形成顯示單元；沿著密封區(qū)域形成金屬圖案層，在金屬圖案層中圖案化有多個貫通部；在顯示單元的邊緣部分處形成與金屬圖案層分隔開的第一金屬層；在金屬圖案層和第一金屬層之間形成多個金屬圖案；在密封區(qū)域處形成密封構(gòu)件；利用密封構(gòu)件將上基底附著到下基底。

金屬圖案層的形成步驟和第一金屬層的形成步驟可以是同時進行的。

所述多個金屬圖案的形成步驟和第一金屬層的形成步驟可以是同時進行 的。

所述方法還可包括在第一金屬層上形成電極供電線以與多個金屬圖案和第一金屬層疊置，顯示單元的形成步驟可包括：形成薄膜晶體管(TFT)；形成電連接到TFT的像素電極；在顯示單元的整個表面之上形成面對像素電極并接觸電極供電線的對向電極。

電極供電線可不與金屬圖案層疊置。

所述方法還可包括：在第一金屬層的形成步驟和電極供電線的形成步驟之間形成第二金屬層，使得第二金屬層與第一金屬層的至少一部分疊置并與所述多個金屬圖案中的至少一些疊置。

金屬圖案層的形成步驟和第二金屬層的形成步驟可以是同時進行的。

所述多個金屬圖案中的除了所述多個金屬圖案中的至少一些之外的剩余金屬圖案可與第二金屬層形成在同一層處。

金屬圖案層和第一金屬層可彼此分隔開第一間隔，金屬圖案層和第二金屬層可彼此分隔開比第一間隔小的第二間隔，金屬圖案層和電極供電線可彼此分隔開比第二間隔小的第三間隔。

可通過利用系統(tǒng)、方法、計算機程序或者系統(tǒng)、方法、計算機程序的組合來實施這些一般實施例和特定實施例。

附圖說明

通過下面結(jié)合附圖對示例性實施例的描述，這些和/或其他方面將變得明顯且更容易理解，在附圖中：

圖1是根據(jù)示例性實施例的有機發(fā)光顯示設(shè)備的平面圖；

圖2是沿圖1的有機發(fā)光顯示設(shè)備的線II-II截取的剖視圖；

圖3是沿圖1的有機發(fā)光顯示設(shè)備的線III-III截取的剖視圖；

圖4示出描繪圖3的結(jié)構(gòu)的平面圖；以及

圖5是根據(jù)另一示例性實施例的有機發(fā)光顯示設(shè)備的剖視圖。

具體實施方式

通過參照以下實施例的詳細描述和附圖，發(fā)明構(gòu)思的特征和實現(xiàn)發(fā)明構(gòu)思的方法可更容易地理解。然而，本發(fā)明構(gòu)思可以以許多不同的形式體現(xiàn)，并不應(yīng)該理解為受限于在此所闡述的實施例。在下文中，將參照附圖更詳細 地描述示例實施例，在附圖中，同樣的附圖標記始終指的是同樣的元件。然而，本發(fā)明可以以各種不同的形式體現(xiàn)，且不應(yīng)該理解為限制于僅在此闡述的實施例。相反，這些實施例是作為示例來提供的使得本公開將是徹底的和完整的，并將向本領(lǐng)域技術(shù)人員充分傳達本發(fā)明的方面和特征。因此，可不描述對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說對于本發(fā)明的方面和特征的完整理解而不必要的工藝、元件和技術(shù)。除非另外指出，否則同樣的附圖標記在整個附圖和書面描述中表示同樣的元件，因此，將不重復(fù)其描述。在附圖中，為了清楚，可夸大元件、層和區(qū)的相對尺寸。

將理解的是，盡管可在此使用術(shù)語“第一”、“第二”、“第三”等來描述各種元件、組件、區(qū)、層和/或部分，但是這些元件、組件、區(qū)、層和/或部分不應(yīng)該受這些術(shù)語限制。這些術(shù)語用于將一個元件、組件、區(qū)、層或部分與另一元件、組件、區(qū)、層或部分區(qū)分開。因此，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，以下描述的第一元件、組件、區(qū)、層或部分可稱為第二元件、組件、區(qū)、層或部分。

為了容易解釋，可在此使用諸如“在……之下”、“在……下方”、“下面的”、“在……下面”、“在……上方”和“上面的”等空間相對術(shù)語來描述如在圖中示出的一個元件或特征與另外的元件或特征的關(guān)系。將理解的是，空間相對術(shù)語意圖包含除了圖中描繪的方位之外裝置在使用或操作中的不同方位。例如，如果圖中的裝置被翻轉(zhuǎn)，那么被描述為“在”其他元件或特征“下方”、“之下”或“下面”的元件將隨后被定位為“在”其他元件或特征“上方”。因此，示例術(shù)語“在……下方”和“在……下面”可包括上方和下方兩種方位。裝置可另外定位(例如，旋轉(zhuǎn)90度或處于其他方位)并應(yīng)該相應(yīng)地解釋在此使用的空間相對描述語。

將理解的是，當(dāng)元件或?qū)颖环Q為“在”另一元件或?qū)印吧稀?、“連接到”或“結(jié)合到”另一元件或?qū)訒r，該元件或?qū)涌芍苯拥卦谒隽硪辉驅(qū)由?、直接地連接到或結(jié)合到所述另一元件或?qū)樱蛘呖纱嬖谝粋€或更多個中間元件或?qū)?。另外，還將理解的是，當(dāng)元件或?qū)颖环Q為“在”兩個元件或?qū)印爸g”時，該元件或?qū)涌梢允窃谶@兩個元件或?qū)又g的唯一元件或?qū)?，或者也可存在一個或更多個中間元件或?qū)印?/p>

在此使用的術(shù)語僅用于描述具體實施例的目的而不意圖限制本發(fā)明。如在此使用的，除非上下文另外明確地表示，否則單數(shù)形式“一個”、“一種” 和“該”也意圖包括復(fù)數(shù)形式。還將理解的是，術(shù)語“包含”、“包括”及其變形用在本說明書中時，說明存在陳述的特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但是并不排除存在或添加一個或更多個其他特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組。如在此使用的，術(shù)語“和/或”包括一個或更多個相關(guān)所列項目的任何和所有組合。諸如“……中的至少一個(種)”的表述在一列元件(要素)之后時，修飾整列元件(要素)，而不是修飾這列中的個別元件(要素)。

如在此使用的，術(shù)語“基本上”、“大約”和類似術(shù)語被用作近似術(shù)語而不用作程度術(shù)語，并意圖解釋會由本領(lǐng)域普通技術(shù)人員意識到的在測量值或計算值中的固有偏差。此外，描述本發(fā)明的實施例時使用的“可(以)”指的是“本發(fā)明的一個或更多個實施例”。如在此使用的，術(shù)語“使用”和其變形可被認為分別與術(shù)語“利用”和其變形同義。另外，術(shù)語“示例性”意圖指示例或圖示。

在此描述的根據(jù)本發(fā)明的實施例的電子裝置或電氣裝置和/或任何其他相關(guān)的裝置或組件可利用任何合適的硬件、固件(例如，應(yīng)用型專用集成電路)、軟件或者軟件、固件和硬件的組合來實施。例如，這些裝置的各種組件可形成在一個集成電路(IC)芯片上或在單獨的IC芯片上。此外，這些裝置的各種組件可在柔性印刷電路膜、帶載封裝件(TCP)和印刷電路板(PCB)上實施或者可形成在一個基底上。此外，這些裝置的各種組件可以是執(zhí)行計算機程序指令并與用于執(zhí)行在此描述的各種功能的其他系統(tǒng)組件交互的、在一個或更多個計算裝置中的一個或更多個處理器上運行的進程或線程。計算機程序指令存儲在可在計算裝置中利用諸如以隨機存取存儲器(RAM)為例的標準存儲器裝置來實施的存儲器中。計算機程序指令也可存儲在諸如以CD-ROM或閃速驅(qū)動器等為例的其他非臨時性計算機可讀介質(zhì)中。另外，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)認識到的是，在不脫離本發(fā)明的示例性實施例的精神和范圍的情況下，各種計算裝置的功能可組合或集成到單一計算裝置中，或者具體的計算裝置的功能可分布在一個或更多個其他計算裝置。

除非另有定義，否則這里使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)術(shù)語和科學(xué)術(shù)語)具有與本發(fā)明所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所通常理解的意思相同的意思。還將理解的是，除非這里明確地如此限定，否則術(shù)語(諸如在通用字典中定義的術(shù)語)應(yīng)該被解釋為具有與相關(guān)領(lǐng)域的環(huán)境中和/或本說明書中它們的意思一 致的意思，而不應(yīng)以理想的或者過于正式的含義來進行解釋。

圖1是根據(jù)示例性實施例的有機發(fā)光顯示設(shè)備的平面圖，圖2是沿圖1的有機發(fā)光顯示設(shè)備的線II-II截取的剖視圖，圖3是沿圖1的有機發(fā)光顯示設(shè)備的線III-III截取的剖視圖。

參照圖1至圖3，根據(jù)示例性實施例的有機發(fā)光顯示設(shè)備包括下基底100、位于下基底100上的顯示單元200、金屬圖案層300、位于金屬圖案層300的一側(cè)上的金屬圖案310、位于金屬圖案層300上的密封構(gòu)件400、以及通過密封構(gòu)件400附著到下基底100的上基底500。

下基底100可包括例如玻璃材料、金屬材料或者諸如聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)和/或聚酰亞胺的塑料材料的各種材料中的任一種。下基底100可具有顯示區(qū)域DA和圍繞顯示區(qū)域DA的密封區(qū)域SA，在所述顯示區(qū)域DA上放置有包括多個像素PX的顯示單元200。與下基底100一樣，上基底500可包括例如玻璃材料、金屬材料或者諸如PET、PEN和/或聚酰亞胺的塑料材料的各種材料中的任一種。下基底100和上基底500可包括相同的材料或不同的材料。

密封構(gòu)件400可位于下基底100和上基底500之間。密封構(gòu)件400可在密封區(qū)域SA處，上基底500可通過利用密封構(gòu)件400附著到下基底100以密封顯示單元200。例如，密封構(gòu)件400可包括但不限于玻璃料或環(huán)氧樹脂。

顯示單元200可在下基底100的顯示區(qū)域DA處，并可包括多個像素PX。例如，顯示單元200可以是包括多個薄膜晶體管(TFT)和連接到TFT中的相應(yīng)TFT的多個像素電極的有機發(fā)光顯示單元，或者可以是液晶顯示單元。本實施例的顯示單元200是有機發(fā)光顯示單元。顯示單元200的詳細結(jié)構(gòu)在圖2中示出。

參照圖2，顯示單元200可包括TFT、電容器和電連接到TFT的有機發(fā)光器件240。TFT可包括包含非晶硅、多晶硅和/或有機半導(dǎo)體材料的半導(dǎo)體層120，并可包括柵電極140、源電極162和漏電極160?，F(xiàn)在將詳細解釋TFT的一般結(jié)構(gòu)。

包括氧化硅或氮化硅的緩沖層110可位于下基底100上，以使下基底100的表面平坦化或者減少或防止雜質(zhì)滲透TFT的半導(dǎo)體層120。半導(dǎo)體層120可位于緩沖層110上。

柵電極140位于半導(dǎo)體層120上方/之上，源電極162和漏電極160根據(jù) 施加到柵電極140的信號彼此電連通?？紤]到相鄰層的粘附、堆疊層的表面平坦度和可加工性，通過利用從例如鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、銀(Ag)、鎂(Mg)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)和/或銅(Cu)中選擇的至少一種材料，柵電極140可以形成為具有單層結(jié)構(gòu)或可以形成為具有多層結(jié)構(gòu)。

在本實施例中，包括氧化硅和/或氮化硅的柵極絕緣膜130可位于半導(dǎo)體層120和柵電極140之間，以使半導(dǎo)體層120與柵電極140絕緣。

層間絕緣膜可位于柵電極140上，并可如圖2中所示形成為具有多層結(jié)構(gòu)，或可通過利用諸如氧化硅或氮化硅的材料形成為具有單層結(jié)構(gòu)。這樣，當(dāng)層間絕緣膜形成為具有多層結(jié)構(gòu)時，層間絕緣膜可包括下層間絕緣膜150和上層間絕緣膜152。

當(dāng)下層間絕緣膜150和上層間絕緣膜152具有上述的多層結(jié)構(gòu)時，根據(jù)另一示例性實施例，與柵電極140部分地疊置的導(dǎo)電層還可根據(jù)包括TFT的背板層的結(jié)構(gòu)設(shè)置在柵電極140之上。導(dǎo)電層可形成在下層間絕緣膜150和上層間絕緣膜152之間，在這種情況下，下層間絕緣膜150可用作用于使柵電極140與導(dǎo)電層絕緣的絕緣膜。導(dǎo)電層的形成在柵電極140之上以與柵電極140疊置的部分可用作電容器。即，在導(dǎo)電層下面的柵電極140可用作電容器的下電極，在柵電極140之上的導(dǎo)電層可用作電容器的上電極。在這種情況下，下層間絕緣膜150可用作電容器的介電膜。然而，當(dāng)不形成導(dǎo)電層時，以下將要解釋的第二金屬層330可形成在下層間絕緣膜150和上層間絕緣膜152之間。

源電極162和漏電極160在下層間絕緣膜150和上層間絕緣膜152上方/之上。源電極162和漏電極160可通過形成在下層間絕緣膜150和上層間絕緣膜152中以及柵極絕緣膜130中的相應(yīng)的接觸孔電連接到半導(dǎo)體層120。通過利用從例如Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W和/或Cu中選擇的至少一種(其可通過考慮到導(dǎo)電性等來選擇)，源電極162和漏電極160中的每個可形成為具有單層結(jié)構(gòu)或者可形成為多層結(jié)構(gòu)。

覆蓋TFT的第一絕緣膜170可位于TFT上以保護如上述構(gòu)造的TFT，并可包括諸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的無機材料。

第二絕緣膜180可在下基底100上方，并可以是平坦化膜。當(dāng)有機發(fā)光器件240位于TFT之上時，第二絕緣膜180基本上使TFT的頂表面平坦化， 并保護TFT和各種器件免于濕氣和雜質(zhì)的影響。第二絕緣膜180可包括例如丙烯酸有機材料和/或苯并環(huán)丁烯(BCB)。在本實施例中，如圖2中所示，緩沖層110、柵極絕緣膜130、下層間絕緣膜150和上層間絕緣膜152、第一絕緣膜170以及第二絕緣膜180可形成在下基底100的整個表面之上。

第三絕緣膜190可形成在TFT之上，并可以是用于限定像素區(qū)域的像素限定膜。第三絕緣膜190可位于第二絕緣膜180上，并可具有通過其暴露像素電極210的中心部分的開口。第三絕緣膜190可以是例如有機絕緣膜。有機絕緣膜可包括諸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的丙烯酸聚合物、聚苯乙烯(PS)、具有酚基的聚合物衍生物、酰亞胺類聚合物、芳醚類聚合物、酰胺類聚合物、氟類聚合物、對二甲苯類聚合物、乙烯醇類聚合物和/或它們的組合。

有機發(fā)光器件240可形成在第二絕緣膜180上，并可包括像素電極210、包含發(fā)射層(EML)的中間層220和對向電極230。

像素電極210可以是(半)透明電極或反射電極。當(dāng)像素電極210是(半)透明電極時，像素電極210可包括例如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦(In₂O₃)、氧化銦鎵(IGO)和/或氧化鋁鋅(AZO)。當(dāng)像素電極210是反射電極時，像素電極210可包括包含Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr和/或它們的化合物的反射膜，并可包括包含ITO、IZO、ZnO、In₂O₃、IGO和/或AZO的層。然而，本示例性實施例不局限于此，像素電極210可包括各種材料的任一種，并可具有諸如單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)的各種結(jié)構(gòu)的任一種。

每個中間層220可位于由第三絕緣膜190限定的像素區(qū)域處。中間層220可包括根據(jù)電信號發(fā)光的EML，并且可進一步包括位于EML和像素電極210之間的空穴注入層(HIL)或空穴傳輸層(HTL)，并還可包括位于EML和對向電極230之間的電子傳輸層(ETL)或電子注入層(EIL)。中間層220可具有單層結(jié)構(gòu)或多層堆疊結(jié)構(gòu)，但是中間層220不限于此，中間層220可具有各種其他結(jié)構(gòu)中的任一種。

覆蓋包括EML的中間層220并面對像素電極210的對向電極230可形成在下基底100的整個表面之上。對向電極230可以是(半)透明電極或反射電極。當(dāng)對向電極230是(半)透明電極時，對向電極230可包括包含諸如Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag和/或Mg的具有低逸出功的金屬或者其 化合物的層，并可包括包含ITO、IZO、ZnO和/或In₂O₃的(半)透明導(dǎo)電層。當(dāng)對向電極230是反射電極時，對向電極230可包括包含諸如Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag和/或Mg的金屬或者它們的化合物的層。然而，對向電極230的結(jié)構(gòu)和材料不限于此，并可對此作出各種修改。

圖3示出密封區(qū)域SA與在圖1的顯示區(qū)域DA中延伸的顯示單元200的邊緣部分200a。參照圖3，緩沖層110可以位于下基底100上以從顯示區(qū)域DA延伸到密封區(qū)域SA。柵極絕緣膜130可以位于緩沖層110上以從顯示區(qū)域DA延伸到密封區(qū)域SA。

金屬圖案層300可位于密封區(qū)域SA上的柵極絕緣膜130上。多個貫通部300a可在金屬圖案層300中被圖案化為具有基本上為四邊形的盒子形狀。由于形成在金屬圖案層300中(并且也形成在柵極絕緣膜130和緩沖層110中)的多個貫通部300a，使得位于金屬圖案層300上的在下基底100和密封構(gòu)件400之間的接觸區(qū)域可增大，因此可使密封構(gòu)件400更牢固地附著到下基底100。

盡管如圖3所示金屬圖案層300的多個部分被貫通部300a彼此分隔開/分開，但是金屬圖案層300可如圖4所示形成為具有多個貫通部300a的單層。金屬圖案層300的多個貫通部300a可暴露下基底100，并也可暴露緩沖層110。同時，在其他實施例中，包括絕緣材料的精細圖案還可形成在貫通部300a中。

參照圖3，與對向電極230(例如，在對向電極的末端的底表面之下)表面接觸的且被構(gòu)造為對對向電極230供電的電極供電線340可位于顯示單元200的形成在下基底100的顯示區(qū)域DA上的邊緣處。電極供電線340可位于顯示單元200的邊緣部分200a處，第一金屬層320和第二金屬層330可位于電極供電線340之下/下面。這樣，位于電極供電線340下面的第一金屬層320和第二金屬層330的有效寬度可隨著有機發(fā)光顯示設(shè)備的無效空間(dead space)的減小而增大，從而增大在顯示單元200的邊緣部分200a處的機械強度。

首先，第一金屬層320可與金屬圖案層300和金屬圖案310在同一層上(例如，在柵極絕緣膜130上)。因此，金屬圖案層300、金屬圖案310和第一金屬層320可與TFT的柵電極140在同一層上，并可通過利用同一掩模來形成。第一金屬層320可與金屬圖案層300在同一層上，并可以與金屬圖案層300分隔開給定的間隔。

多個金屬圖案310可在下基底100的密封區(qū)域SA處，并可位于金屬圖案層300和第一金屬層320之間的間隔區(qū)域處。金屬圖案310可以與金屬圖案層300一樣位于柵極絕緣膜130上，并且可以位于金屬圖案層300的與顯示單元200相鄰的一側(cè)處。即，金屬圖案310可環(huán)繞或者可圍繞顯示單元200，并可形成為具有不與任何器件或布線電連接的島狀形狀。金屬圖案310可形成在金屬圖案層300和第一金屬層320之間的間隔區(qū)域處(這將在下面解釋)，并可防止外部的靜電流入到顯示單元200中。

為了減少流入到顯示單元200中的靜電，位于密封區(qū)域SA處的金屬圖案層300可形成為整體地具有島狀形狀。然而，盡管可減少流入到顯示單元200中的靜電，但是因為密封構(gòu)件400中的溫度不均勻性會在密封構(gòu)件400的激光密封期間增大，所以金屬圖案層300形成為整體地具有島狀形狀可能不是優(yōu)選的。因此，可減小位于電極供電線340下面的第一金屬層320的寬度，金屬圖案310可位于金屬圖案層300和第一金屬層320之間的間隔區(qū)域處，這是由于第一金屬層320的寬度的減小而形成的。因此，由于位于間隔區(qū)域處的金屬圖案310，使得第一金屬層320的有效寬度可得以維持，并可增大機械強度。另外，由于第一金屬層320的寬度的減小，使得由于靜電而導(dǎo)致的損壞的風(fēng)險可降低，并可減少或防止外部的靜電流入到顯示單元200中。

當(dāng)金屬圖案層300、金屬圖案310和第一金屬層320如上所述的處于同一層時，下層間絕緣膜150可位于金屬圖案層300上、金屬圖案310上和第一金屬層320上。下層間絕緣膜150也可形成為從顯示區(qū)域DA延伸到密封區(qū)域SA。

第二金屬層330可形成在第一金屬層320之上，并可位于第一金屬層320和電極供電線340之間。即，第二金屬層330可位于下層間絕緣膜150上，并可與第一金屬層320的至少一部分和一個或更多個金屬圖案310的至少一部分疊置。即，第二金屬層330可與第一金屬層320的一部分疊置，第二金屬層330的不與第一金屬層320疊置的部分可與金屬圖案310的同第一金屬層320相鄰的至少一些疊置。

根據(jù)另一示例性實施例，導(dǎo)電層還可根據(jù)包括TFT的背板層的結(jié)構(gòu)來設(shè)置為與柵電極140部分地疊置。導(dǎo)電層可形成在下層間絕緣膜150和上層間絕緣膜152之間。由于第二金屬層330形成在下層間絕緣膜150上，所以導(dǎo) 電層和第二金屬層330可通過利用相同的材料形成在同一層處。然而，本示例性實施例不限于此，在其他實施例中，第二金屬層330可在沒有形成導(dǎo)電層的情況下通過利用附加的掩模單獨地形成在下層間絕緣膜150上。

上層間絕緣膜152可位于第二金屬層330上。第二金屬層330也可形成為從顯示區(qū)域DA延伸到密封區(qū)域SA。如上所述，電極供電線340可位于上層間絕緣膜152上。電極供電線340可與位于顯示區(qū)域DA處的TFT的源電極162和/或漏電極160形成在同一層處，因此，電極供電線340可包括但不限于與源電極162或漏電極160的材料相同的材料。電極供電線340的一端340a可被第一絕緣膜170覆蓋，電極供電線340的另一端340b可被密封構(gòu)件400覆蓋。

如圖3所示，電極供電線340可與第一金屬層320和多個金屬圖案310疊置。在這種情況下，電極供電線340可以與金屬圖案層300分隔開給定的間隔(即，電極供電線340可不與金屬圖案層300疊置)。

圖4示出描繪圖3的結(jié)構(gòu)的平面圖。即，圖4示出可在形成密封構(gòu)件400之前形成在下基底100上的結(jié)構(gòu)，圖3可以是沿圖4的線A-A截取的剖視圖。

如上所述，金屬圖案層300可位于下基底100的密封區(qū)域SA處。多個貫通部300a可被圖案化在金屬圖案層300中，并可被圖案化為具有基本上四邊形的盒子形狀。由于形成在金屬圖案層300中的多個貫通部300a，使得在金屬圖案層300上的處于下基底100和密封構(gòu)件400之間的接觸區(qū)域可增大，因此密封構(gòu)件400可更牢固地附著到下基底100。另外，盡管沒有在圖4中示出，但是包括絕緣材料的精細圖案還可形成在貫通部300a中。盡管在圖4中形成在金屬圖案層300中的多個貫通部300a暴露下基底100，但是本示例性實施例不限于此。

第一金屬層320可位于金屬圖案層300的與顯示單元200相鄰的一側(cè)處，并可與金屬圖案層300分隔開第一間隔d1。第一金屬層320可具有第一寬度w1。為了維持有效的寬度，盡管第一寬度w1小于傳統(tǒng)的第一金屬層的第一寬度，但是如下所述可形成金屬圖案310。第一金屬層320可位于顯示單元200的邊緣部分200a處。以下將要解釋的第一金屬層320和第二金屬層330的有效寬度可隨著有機發(fā)光顯示設(shè)備的無效空間的減小而增大，從而增大在顯示單元200的邊緣部分200a處的機械強度。

多個金屬圖案310可位于金屬圖案層300和第一金屬層320之間的間隔 區(qū)域處。即，金屬圖案310可位于金屬圖案層300的與顯示單元200相鄰的一側(cè)處。金屬圖案310可具有不與任何器件和布線連接的島狀形狀。在圖4中，金屬圖案310具有可通過去除四邊形形狀的角而獲得的八邊形形狀。金屬圖案310可具有任何形狀，只要金屬圖案310相互分隔開(例如，如島狀形狀)。然而，為了防止靜電集中在多邊形形狀的角上，可優(yōu)選的是，金屬圖案310形成為具有大的內(nèi)角的多邊形形狀。金屬圖案310可具有橢圓形狀或圓形形狀，而不是多邊形形狀。由于金屬圖案310，使得可防止外部的靜電流入到顯示單元200中。

第二金屬層330可形成在第一金屬層320之上，并可以與金屬圖案層300分隔開第二間隔d2。在本實施例中，第二間隔d2比第一間隔d1小。第二金屬層330可與第一金屬層320的至少一部分疊置，并可與一個或更多個金屬圖案310的至少一部分疊置。即，第二金屬層330可與第一金屬層320疊置，而第二金屬層330的不與第一金屬層320疊置的部分可與金屬圖案310的同第一金屬層320相鄰的至少一些疊置。第二金屬層330可具有第二寬度w2，并且如圖3所示，第二金屬層330的一端330a可與第一金屬層320的一部分疊置，第二金屬層330的另一端330b可與金屬圖案310中的一些疊置。

電極供電線340可具有第三寬度w3，并可以與金屬圖案層300分隔開第三間隔d3以不與金屬圖案層300疊置。第三間隔d3可比第二間隔d2小。電極供電線340可形成在第二金屬層330之上以與第一金屬層320、金屬圖案310和第二金屬層330疊置。

由于如上所述的在間隔區(qū)域處的金屬圖案310，使得第一金屬層320的有效寬度可得以維持，并可增大機械強度。另外，由于第一金屬層320的寬度(例如，第一寬度w1)的減小而可降低靜電的風(fēng)險，并可減少或防止外部的靜電流入到顯示單元200中。

圖5是根據(jù)另一示例性實施例的有機發(fā)光顯示設(shè)備的剖視圖。

參照圖5，緩沖層110可位于下基底100上以從顯示區(qū)域DA延伸到密封區(qū)域SA。柵極絕緣膜130可位于緩沖層110上以從顯示區(qū)域DA延伸到密封區(qū)域SA。

第一金屬層320可位于在顯示區(qū)域DA處的柵極絕緣膜130上。第一金屬層320可位于顯示單元200的邊緣部分200a處，第二金屬層330和電極供電線340可位于第一金屬層320之上。在本實施例中，金屬圖案310'可位于 金屬圖案層300的與顯示單元200相鄰的一側(cè)處。第二金屬層330可與金屬圖案310'疊置。

下層間絕緣膜150可位于第一金屬層320上，并也可從顯示區(qū)域DA延伸到密封區(qū)域SA。

第二金屬層330可形成在第一金屬層320之上，并可位于第一金屬層320和電極供電線340之間。即，第二金屬層330可位于下層間絕緣膜150上，并可與第一金屬層320的至少一部分疊置，且還可與金屬圖案310'中的至少一些疊置。即，第二金屬層330可與第一金屬層320的一部分疊置，而第二金屬層330的不與第一金屬層320疊置的部分可與金屬圖案310'的同第一金屬層320相鄰的至少一些疊置。

根據(jù)另一示例性實施例，根據(jù)包括TFT的背板結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)，導(dǎo)電層還可設(shè)置為與柵電極140部分地疊置。導(dǎo)電層可位于下層間絕緣膜150和上層間絕緣膜152之間。由于第二金屬層330形成在下層間絕緣膜150上，所以導(dǎo)電層和第二金屬層330可通過利用相同的材料形成在同一層處。然而，本示例性實施例不限于此，第二金屬層330可在沒有形成導(dǎo)電層的情況下通過利用附加的掩模單獨地形成在下層間絕緣膜150處。

與第二金屬層330分隔開給定間隔的金屬圖案層300可位于下基底100的密封區(qū)域SA處。即，金屬圖案層300可位于在密封區(qū)域SA處的下層間絕緣膜150上。多個貫通部300a可在金屬圖案層300中被圖案化為具有基本上四邊形的盒子形狀。由于金屬圖案層300中的多個貫通部300a，使得在金屬圖案層300上的處于下基底100和密封構(gòu)件400之間的接觸區(qū)域可增大，因此可使密封構(gòu)件400更牢固地附著到下基底100。

盡管在圖5中金屬圖案層300的通過貫通部300a分開的部分相互分隔開，但是金屬圖案層300可如圖3所示形成為具有多個貫通部300a的一個層。金屬圖案層300的多個貫通部300a可暴露下基底100，并可暴露緩沖層110。另外，絕緣材料(例如，包括絕緣材料的精細圖案)還可形成在貫通部300a中。

多個金屬圖案310可在密封區(qū)域SA處，并可位于金屬圖案層300和第二金屬層330之間的間隔區(qū)域處。金屬圖案310可與金屬圖案層300一樣位于下層間絕緣膜150上，并可位于金屬圖案層300的與顯示單元200相鄰的一側(cè)處。即，金屬圖案310可設(shè)置在顯示單元200周圍，并可形成為具有不 與任何器件或布線電連接的島狀形狀。由于金屬圖案310，使得可減少或者防止外部的靜電流入到顯示單元200中。

上層間絕緣膜152可位于第二金屬層330上，并可形成為從顯示區(qū)域DA延伸到密封區(qū)域SA。如上所述，電極供電線340可位于上層間絕緣膜152上。電極供電線340可與在顯示區(qū)域DA處的TFT的源電極162和/或漏電極160形成在同一層處，并還可包括與源電極162和/或漏電極160的材料相同的材料。電極供電線340的一端340a可通過第一絕緣膜170覆蓋，電極供電線340的另一端340b可通過密封構(gòu)件400覆蓋。

如圖5所示，電極供電線340可與第一金屬層320疊置并可與多個金屬圖案310疊置。在這種情況下，電極供電線340可以與形成在密封構(gòu)件400下面的金屬圖案層300分隔開給定的間隔。即，電極供電線340可不與金屬圖案層300疊置。

與對向電極230表面接觸的并對對向電極230供電的電極供電線340可位于顯示單元200的處于顯示區(qū)域DA的邊緣處。如上所述，電極供電線340可位于顯示單元200的邊緣部分200a處，并可位于第一金屬層320和第二金屬層330之上。這樣，在電極供電線340下面的第一金屬層320和第二金屬層330的有效寬度可隨著有機發(fā)光顯示設(shè)備的無效空間的減小而增大，從而增大在顯示單元200的邊緣部分200a處的機械強度。

這樣，可減小在電極供電線340下面的第一金屬層320的寬度，金屬圖案310可位于第一金屬層320和金屬圖案層300之間的間隔區(qū)域處。因此，由于在間隔區(qū)域處的金屬圖案310，使得第一金屬層320的有效寬度可得以維持，并可增加機械強度。另外，由于第一金屬層320的寬度的減小而可降低由于靜電造成的損害的風(fēng)險，并可減少或防止外部的靜電流入到顯示單元200中。

盡管僅描述了有機發(fā)光顯示設(shè)備，但是發(fā)明構(gòu)思不限于此。例如，制造有機發(fā)光顯示設(shè)備的方法可包括在發(fā)明構(gòu)思的范圍內(nèi)?，F(xiàn)在將參照圖2和圖3解釋根據(jù)示例性實施例的制造有機發(fā)光顯示設(shè)備的方法。

參照圖2和圖3，可準備具有顯示區(qū)域DA和在顯示區(qū)域DA外部的密封區(qū)域SA的下基底100，可在下基底100的顯示區(qū)域DA處形成顯示單元200。已參照圖3以制造的順序描述了顯示單元200的詳細結(jié)構(gòu)，因此，將不給出其詳細的解釋。

在形成顯示單元200時，可形成包括半導(dǎo)體層120、柵電極140、源電極162和漏電極160的TFT。在形成TFT的柵電極140的同時，可形成金屬圖案層300、金屬圖案310和第一金屬層320。參照圖3，在同一層形成TFT的柵電極140、金屬圖案層300、金屬圖案310和第一金屬層320。當(dāng)元件形成在同一層時，可使用同一工藝來形成這些元件。

可沿著下基底100的密封區(qū)域SA形成圖案化有多個貫通部300a的金屬圖案層300。金屬圖案層300可位于柵極絕緣膜130的處于密封區(qū)域SA的部分上?？稍诮饘賵D案層300中將多個貫通部300a圖案化為具有基本上四邊形的盒子形狀。由于在金屬圖案層300中的多個貫通部300a，使得可增大在金屬圖案層300上的處于下基底100和密封構(gòu)件400之間的接觸區(qū)域，因此密封構(gòu)件400可更牢固地附著到下基底100。另外，盡管沒有示出，但是還可在貫通部300a中形成絕緣材料(例如，包括絕緣材料的精細圖案)。

盡管在圖3中金屬圖案層300與TFT的柵電極140形成在同一層處，但是本示例性實施例不限于此。根據(jù)另一示例性實施例，參照圖5，金屬圖案層300可在第一金屬層320之上與第二金屬層330在同一層處。

第一金屬層320可如圖3所示與金屬圖案310和金屬圖案層300形成在同一層處，并可以與金屬圖案層300分隔開給定的間隔。

多個金屬圖案310可形成在下基底100的密封區(qū)域SA處，并且可形成在金屬圖案層300和第一金屬層320之間的間隔區(qū)域處。金屬圖案310可與金屬圖案層300一樣形成在柵極絕緣膜130上，并可位于金屬圖案層300的與顯示單元200相鄰的一側(cè)處。金屬圖案310可具有不與任何器件或布線電連接的島狀形狀。因為金屬圖案310，所以可減少或防止外部的靜電流入到顯示單元200中。

盡管在圖3示出的實施例中金屬圖案310與第一金屬層320同時形成，但是本示例性實施例不限于此。根據(jù)另一示例性實施例，參照圖5，金屬圖案310可與第一金屬層320之上的第二金屬層330處于同一層。在這種情況下，如圖3所示的不包括與第二金屬層330疊置的金屬圖案310的剩余金屬圖案310可如圖5所示與第二金屬層330形成在同一層處。

在下層間絕緣膜150形成在第一金屬層320上并覆蓋下基底100的整個表面之后，第二金屬層330可在第一金屬層320之上形成為與第一金屬層320的一部分疊置。第二金屬層330可與第一金屬層320的一部分疊置并可與至 少一些金屬圖案310疊置。第一金屬層320和第二金屬層330的有效寬度可隨著有機發(fā)光顯示設(shè)備的無效空間的減小而增大，從而增大在顯示單元200的邊緣部分200a處的機械強度。

在上層間絕緣膜152形成在第二金屬層330上并覆蓋下基底100的整個表面之后，可在第二金屬層330之上形成電極供電線340。電極供電線340可位于顯示單元200的邊緣部分200a處，并可與對向電極230表面接觸，且可對對向電極230供電。電極供電線340可與第一金屬層320、第二金屬層330和金屬圖案310疊置。在本實施例中，電極供電線340可形成為不與金屬圖案層300疊置。

由于位于間隔區(qū)域上的金屬圖案310，如上所述，使得可維持第一金屬層320的有效寬度，并且可增大機械強度。另外，由于第一金屬層320的寬度的減小而可降低由于靜電而造成的損害的風(fēng)險，并且可減少或防止外部的靜電流入到顯示單元200中。

盡管已參照發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例具體示出并描述了發(fā)明構(gòu)思，但是它們是出于圖示的目的來提供的，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解的是可通過發(fā)明構(gòu)思做出各種修改和等同的其他實施例。因此，發(fā)明構(gòu)思的真實技術(shù)范圍由所附權(quán)利要求書及其等同物的技術(shù)精神限定。