技術特征：

1.一種發(fā)光器件，包括：

發(fā)光結構，包括第一半導體層、有源層和第二半導體層；

第一電極，布置在所述發(fā)光結構的一側上并且被電連接至所述第一半導體層；

第二電極，布置在所述發(fā)光結構的一側上并且被電連接至所述第二半導體層；以及

歐姆接觸件，包括布置在所述第二電極與所述第二半導體層之間且具有鋁的第一層、具有通過與被包含在所述第一層中的鋁反應而形成的至少一種M_xAl_y合金的第二層、以及布置在所述第二層上且具有金的第三層。

2.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光器件，其中M的熔點高于Al的熔點。

3.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光器件，其中M包括選自銅、鈀和銀中的一種金屬。

4.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述M_xAl_y合金包括Cu_xAl_y合金，其中1≤x≤9、1≤y≤4。

5.根據(jù)權利要求4所述的發(fā)光器件，其中在所述Cu_xAl_y合金中，y為大于等于x的值。

6.根據(jù)權利要求4所述的發(fā)光器件，其中所述第二層包括選自CuAl、CuAl₂、Cu₄Al₃、Cu₃Al₂和Cu₉Al₄中的至少一種合金。

7.一種發(fā)光器件，包括：

發(fā)光結構，包括第一半導體層、有源層和第二半導體層；

第一電極，布置在所述發(fā)光結構的一側上并且被電連接至所述第一半導體層；

第二電極，布置在所述發(fā)光結構的一側上并且被電連接至所述第二半導體層；以及

第一歐姆接觸件，包括布置在所述第二電極與所述第二半導體層之間且具有鋁的第一層、包括通過與被包含在所述第一層中的鋁反應而形成的至少一種M_xAl_y合金的第二層、以及布置在所述第二層上且具有金的第三層，

其中，在所述發(fā)光結構中，具有非線性阻抗性質的第一區(qū)域布置在未通過所述第一電極與底座接觸的非接觸區(qū)域上，其中所述第一區(qū)域具有非歐姆性質。

8.根據(jù)權利要求7所述的發(fā)光器件，其中所述非接觸區(qū)域包括在第一凸塊與第二凸塊之間的間隔區(qū)域。

9.根據(jù)權利要求8所述的發(fā)光器件，其中所述第一區(qū)域布置在與所述非接觸區(qū)域相同的豎直線上。

10.根據(jù)權利要求9所述的發(fā)光器件，其中所述發(fā)光結構包括被布置在與所述第一電極接觸的接觸表面上的第二歐姆接觸件，并且所述第一區(qū)域布置在所述第二歐姆接觸件處。