技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法，所述方法包括：提供基底；在基底上形成具有第一開口的頂層金屬層；形成位于第一開口底部基底上的第一底層鈍化層、位于頂層金屬層上且與第一底層鈍化層分立的第二底層鈍化層；形成覆蓋頂層金屬層、第一底層鈍化層和第二底層鈍化層的導(dǎo)電層，導(dǎo)電層具有第二開口，第二開口側(cè)壁與第一底層鈍化層側(cè)壁齊平；在第二開口底部、側(cè)壁和部分導(dǎo)電層上形成頂層鈍化層。本發(fā)明通過形成第一底層鈍化層和第二底層鈍化層，使導(dǎo)電層中第二開口的側(cè)壁與第一底層鈍化層的側(cè)壁齊平，因此，第一底層鈍化層的頂部拐角區(qū)域，導(dǎo)電層無拐角存在，從而減小頂部拐角區(qū)域頂層鈍化層因承受過大的應(yīng)力而斷裂的問題。

技術(shù)研發(fā)人員：王曉東
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.05.06
技術(shù)公布日：2017.11.14