技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法包括：提供底層襯底，底層襯底包括第一區(qū)域和與第一區(qū)域接觸的第二區(qū)域，所述底層襯底為單晶態(tài)；圖形化底層襯底，在第一區(qū)域形成凹槽，使第一區(qū)域底層襯底表面低于第二區(qū)域底層襯底表面；在第一區(qū)域的凹槽中形成絕緣層，絕緣層暴露出第二區(qū)域底層襯底部分側(cè)壁；通過(guò)外延生長(zhǎng)在暴露出的第二區(qū)域襯底表面形成頂層襯底；刻蝕部分第一區(qū)域頂層襯底，暴露出絕緣層，在第一區(qū)域形成第一鰭部。在凹槽中形成絕緣層，絕緣層能夠?qū)崿F(xiàn)第一鰭部與底層襯底之間的電絕緣，減少第一鰭部中載流子向底層襯底擴(kuò)撒，從而能夠減少第一鰭部底部漏電流。

技術(shù)研發(fā)人員：劉繼全;龔春蕾
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造(北京)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.03.09
技術(shù)公布日：2017.09.19