技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明的實施例提供一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，包括在襯底上方形成在第一方向上延伸的一個或多個鰭部。一個或多個鰭部包括沿著第一方向的第一區(qū)域和位于第一區(qū)域兩側(cè)沿著第一方向的第二區(qū)域。將摻雜劑注入鰭部的第一區(qū)域，但是未注入第二區(qū)域。柵極結(jié)構(gòu)位于第一區(qū)域上方，并且在鰭部的第二區(qū)域上形成源極/漏極。本發(fā)明還提供了一種半導(dǎo)體器件及其包括該半導(dǎo)體器件的Gilbert單元混頻器。

技術(shù)研發(fā)人員：陳家忠;黃崎峰;梁其翔;蔡輔桓;謝協(xié)宏;葉子禎;蔡漢旻;朱虹霖
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
文檔號碼：201610090342
技術(shù)研發(fā)日：2016.02.18
技術(shù)公布日：2016.12.21