技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
半導(dǎo)體裝置(100)具備基板(10)和薄膜晶體管(5)，其中，所述薄膜晶體管(5)由基板支撐，并包括柵極電極(12)、氧化物半導(dǎo)體層(18)、設(shè)置于柵極電極和氧化物半導(dǎo)體層之間的柵極絕緣層(20)、以及與氧化物半導(dǎo)體層電性連接的源極電極(14)及漏極電極(16)，漏極電極具有向氧化物半導(dǎo)體層突出的形狀，將薄膜晶體管的通道寬度方向上的氧化物半導(dǎo)體層的寬度設(shè)為寬度W1，與漏極電極的突出方向正交的方向上的所述漏極電極的寬度設(shè)為寬度W2的情況下，寬度W1和所述寬度W2之間滿足|W1?W2|≤1μm的關(guān)系，并且，寬度W1及寬度W2為大于等于3μm并小于等于6μm。

技術(shù)研發(fā)人員：今井元;大東徹;越智久雄;藤田哲生;北川英樹;菊池哲郞;鈴木正彥;川島慎吾
受保護(hù)的技術(shù)使用者：夏普株式會社
技術(shù)研發(fā)日：2015.12.15
技術(shù)公布日：2017.08.29