技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種外延晶片，其特征在于，具有：硅系基板；第一緩沖層，配置于硅系基板上，具有第一多層結(jié)構(gòu)緩沖區(qū)域與第一插入層，前述第一多層結(jié)構(gòu)緩沖區(qū)域由AlxGa1?xN層與AlyGa1?yN層交互配置而成，前述第一插入層由比AlyGa1?yN層更厚的AlzGa1?zN層構(gòu)成，x>y、x>z，前述第一緩沖層由第一多層結(jié)構(gòu)緩沖區(qū)域與第一插入層交互配置而成；第二緩沖層，配置于第一緩沖層上，具有第二多層結(jié)構(gòu)緩沖區(qū)域與第二插入層，前述第二多層結(jié)構(gòu)緩沖區(qū)域由AlαGa1?αN層與AlβGa1?βN層交互配置而成，前述第二插入層由比AlβGa1?βN層更厚的AlγGa1?γN層構(gòu)成，α>β、α>γ，前述第二緩沖層由第二多層結(jié)構(gòu)緩沖區(qū)域與第二插入層交互配置而成；以及，通道層，配置于第二緩沖層上，比第二插入層更厚，并且，第二緩沖層的平均鋁組成比第一緩沖層的平均鋁組成更高。由此，提供一種外延晶片，能夠降低晶片的翹曲并抑制發(fā)生內(nèi)部龜裂。

技術(shù)研發(fā)人員：佐藤憲;鹿內(nèi)洋志;后藤博一;篠宮勝;土屋慶太郎;萩本和德
受保護的技術(shù)使用者：三墾電氣株式會社;信越半導(dǎo)體股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2015.11.06
技術(shù)公布日：2017.08.01