技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及光電子裝置(10)，其包括：載體(14)，該載體(14)包括包含相對于彼此傾斜的平坦對接小面的面(18)；籽晶(26)，其主要由選自包括III?V化合物、II?VI化合物和IV化合物的組的第一化合物制成，在小面之間的接合部(22)中的至少一些的區(qū)域中與所述載體接觸；以及在所述籽晶上的主要由所述第一化合物構(gòu)成的納米或微米大小的錐狀或截錐狀的、線狀的三維半導(dǎo)體元件(28)。

技術(shù)研發(fā)人員：阿梅莉·迪賽涅;休伯特·博諾
受保護(hù)的技術(shù)使用者：原子能與替代能源委員會
技術(shù)研發(fā)日：2015.11.17
技術(shù)公布日：2017.08.01