本發(fā)明涉及一種有機電場發(fā)光元件(稱為有機el元件)。
背景技術(shù)：
：一般而言，有機el元件的最簡單的構(gòu)造是由發(fā)光層及夾持所述層的一對的對向電極所構(gòu)成。即，在有機el元件中是利用如下現(xiàn)象：當(dāng)對兩電極施加電場時，自陰極注入電子，自陽極注入空穴，將這些在發(fā)光層中再結(jié)合時所產(chǎn)生的能量(energy)以光的形式釋出。近年來，業(yè)界進行使用有機薄膜的有機el元件的開發(fā)。特別是進行用以提高發(fā)光效率的開發(fā)。其中，通過電極種類的最佳化而改善了自電極的載子(carrier)的注入效率。另外，通過開發(fā)使用包含芳香族二胺的空穴傳輸層與包含8-羥基喹啉鋁絡(luò)合物(以下稱為a1q3)的發(fā)光層兼電子傳輸層的元件，較現(xiàn)有的元件大幅改善了發(fā)光效率。因此，對有機el元件不斷進行以在具有自發(fā)光·高速響應(yīng)性等特性的高性能平板(flatpanel)中的實際應(yīng)用為目標(biāo)的開發(fā)。作為提高元件的發(fā)光效率的嘗試，還在進行使用磷光發(fā)光材料而并非熒光發(fā)光材料的研究。雖以設(shè)置有包含芳香族二胺的空穴傳輸層與包含alq3的發(fā)光層的元件為代表的多種元件為利用熒光發(fā)光的元件，但通過利用磷光發(fā)光(自激發(fā)三重態(tài)的發(fā)光)，與現(xiàn)有的使用熒光(自激發(fā)單重態(tài)的發(fā)光)的元件相比，期待效率提高3倍～4倍左右。為了所述目的而研究將香豆素衍生物或二苯甲酮衍生物作為發(fā)光層，但只能獲得極低的亮度。其后，作為利用激發(fā)三重態(tài)的嘗試，雖進行了使用銪絡(luò)合物的研究，但其也并未達成高效率的發(fā)光。關(guān)于所述磷光發(fā)光所使用的磷光發(fā)光摻雜劑(dopant)，以如專利文獻1中所列舉的銥絡(luò)合物等有機金屬絡(luò)合物為中心進行大量研究，還發(fā)現(xiàn)了高效率地發(fā)光的摻雜劑。然而，在耐久性方面期望進一步改良。進而，最近正在進行利用延遲熒光的高效率的有機el元件的開發(fā)。例如專利文獻2中揭示有利用作為延遲熒光的機理(mechanism)之一的三重態(tài)-三重態(tài)融合(triplet-tripletfusion，ttf)機制的有機el元件。ttf機制是利用通過2個三重態(tài)激子的碰撞而生成單重態(tài)激子的現(xiàn)象，認為理論上可將內(nèi)部量子效率提高至40％。然而，若與磷光發(fā)光型的有機el元件相比則效率較低，因此要求效率進一步改良。另一方面，專利文獻3中揭示有利用熱活化延遲熒光(thermallyactivateddelayedfluorescence，tadf)機制的有機el元件。tadf機制是利用在單重態(tài)能級與三重態(tài)能級的能量差小的材料中產(chǎn)生自三重態(tài)激子向單重態(tài)激子的逆系間跨越(inverseintersystemcrossing)的現(xiàn)象，認為理論上可將內(nèi)部量子效率提高至100％。然而，與磷光型元件同樣地要求耐久性的進一步改善?，F(xiàn)有技術(shù)文獻專利文獻專利文獻1：wo2001/041512a專利文獻2：wo2010/134350a專利文獻3：wo2011/070963a專利文獻4：wo2008/056746a專利文獻5：wo2010/098246a專利文獻6：wo2012/087955a專利文獻7：wo2011/136755a在專利文獻4中，關(guān)于吲哚咔唑化合物，揭示有作為主體(host)材料的使用。另外，在專利文獻5、專利文獻6中揭示有使用兩種以上的吲哚咔唑化合物作為混合主體。進而，專利文獻7中揭示有作為預(yù)混合有吲哚咔唑化合物的主體材料的使用。但是，任一文獻均未提示使用預(yù)混合有兩種以上的吲哚咔唑化合物的主體材料，通過蒸鍍而制作發(fā)光層。技術(shù)實現(xiàn)要素：為了將有機el元件應(yīng)用于平板顯示器(flatpaneldisplay)等顯示元件或光源，必須在改善元件的發(fā)光效率的同時充分地確保驅(qū)動時的穩(wěn)定性。本發(fā)明是鑒于所述現(xiàn)狀，其目的在于通過自一個蒸鍍源真空蒸鍍兩種以上的主體材料，而再現(xiàn)性良好地提供驅(qū)動電壓低且效率高并且具有高驅(qū)動穩(wěn)定性的實際應(yīng)用上有用的有機el元件。本發(fā)明是一種有機電場發(fā)光元件，其是在對向的陽極與陰極之間包含一個以上的發(fā)光層的有機電場發(fā)光元件，其特征在于：通過真空蒸鍍而制作的至少一個發(fā)光層含有預(yù)混合有選自下述通式(1)所表示的化合物中的兩種以上的化合物的主體材料、及發(fā)光性摻雜劑材料。[化1][化2](此處，z為通式(2)所表示的基，環(huán)a為式(2a)所表示的芳香族烴環(huán)，環(huán)b為式(2b)所表示的雜環(huán)，環(huán)a及環(huán)b分別與鄰接的環(huán)縮合。l1與l2獨立地表示碳數(shù)6～30的芳香族烴基或碳數(shù)3～18的芳香族雜環(huán)基，ar1與ar2獨立地為碳數(shù)6～30的芳香族烴基、碳數(shù)3～18的芳香族雜環(huán)基、或這些中2個～6個連結(jié)而成的連結(jié)芳香族基。r獨立地為氰基、碳數(shù)1～10的脂肪族烴基、碳數(shù)12～44的二芳基氨基、碳數(shù)12～44的二芳基硼基、碳數(shù)6～18的芳香族烴基或碳數(shù)3～18的芳香族雜環(huán)基。a表示1～3的整數(shù)，b表示0～3的整數(shù)，c與d獨立地表示0～4的整數(shù)，e表示0～2的整數(shù)，f表示0～3的整數(shù)。其中，l1、l2、ar1、ar2及r不為通式(2)所表示的具有吲哚咔唑環(huán)的芳香族雜環(huán)基)在所述有機電場發(fā)光元件中，優(yōu)選為通式(1)所表示的化合物中，至少一個化合物的l1與l2的僅一個為碳數(shù)3～18的含氮芳香族雜環(huán)基，或經(jīng)預(yù)混合的主體材料中所含的兩種以上的化合物的蒸發(fā)溫度的差為20℃以內(nèi)。所述發(fā)光性摻雜劑材料可為磷光發(fā)光摻雜劑材料、熒光發(fā)光摻雜劑材料或熱活化延遲熒光發(fā)光摻雜劑材料，磷光發(fā)光摻雜劑材料優(yōu)選為含有包含選自釕、銠、鈀、銀、錸、鋨、銥、鉑及金中的至少一種金屬的有機金屬絡(luò)合物的磷光發(fā)光摻雜劑材料。另外，本發(fā)明是一種有機電場發(fā)光元件的制造方法，其特征在于：在制造所述包含發(fā)光層的有機電場發(fā)光元件時，通過真空蒸鍍含有預(yù)混合有選自所述通式(1)所表示的化合物中的兩種以上的化合物的主體材料、及發(fā)光性摻雜劑材料的材料而制成至少一個發(fā)光層。本發(fā)明的有機el元件可通過將發(fā)光層設(shè)為將包含特定的主體材料的組合的多種主體材料預(yù)先混合并進行蒸鍍而獲得的發(fā)光層，而制成驅(qū)動電壓低、且發(fā)光效率高、壽命長、并且均質(zhì)的有機el元件。附圖說明圖1是表示有機el元件的一例的示意剖面圖。具體實施方式本發(fā)明的有機el元件在對向的陽極與陰極之間具有一個以上的發(fā)光層，所述發(fā)光層的至少一層通過真空蒸鍍而制作，且含有預(yù)混合有選自所述通式(1)所表示的化合物中的兩種以上的化合物的主體材料、及發(fā)光性摻雜劑材料。有機el元件在對向的陽極與陰極之間具有包含多個層的有機層，但多個層的至少一層為發(fā)光層，發(fā)光層也可為多個。發(fā)光層(在具有多個發(fā)光層的情況下為至少一個發(fā)光層)含有主體材料及發(fā)光性摻雜劑材料，使用兩種以上通式(1)所表示的化合物作為主體材料。在通式(1)中，z表示所述通式(2)所表示的具有吲哚咔唑環(huán)的基，a表示1～3的整數(shù)。由于通式(1)內(nèi)含通式(2)、式(2a)及式(2b)，故而在記為通式(1)時，有以包含這些式的含義使用的情況。同樣地，在記為通式(2)時，有以包含式(2a)及式(2b)的含義使用的情況。通式(2)中，環(huán)a表示式(2a)所表示的芳香族烴環(huán)，環(huán)b表示式(2b)所表示的雜環(huán)。環(huán)a與環(huán)b分別與鄰接的環(huán)縮合。所述式中，ar1、ar2獨立地表示碳數(shù)6～50的芳香族烴基、碳數(shù)3～30的芳香族雜環(huán)基、或這些中2個～6個連結(jié)而成的連結(jié)芳香族基。優(yōu)選為碳數(shù)6～30的芳香族烴基、或碳數(shù)3～20的芳香族雜環(huán)基，更優(yōu)選為碳數(shù)6～20的芳香族烴基、碳數(shù)3～15的芳香族雜環(huán)基或這些中2個～4個連結(jié)而成的連結(jié)芳香族基。在本說明書中，芳香族基可理解為意指芳香族烴基、芳香族雜環(huán)基或兩個。連結(jié)芳香族基意指芳香族烴基、芳香族雜環(huán)基或兩個以2個以上直接鍵連結(jié)而成的化合物。ar1、ar2的具體例可列舉自以下芳香族化合物或這些中多個連結(jié)而構(gòu)成的連結(jié)芳香族化合物中去除1個氫而生成的基：苯、萘、乙烷合萘(acenaphthene)、苊、薁、蒽、(chrysene)、芘、苝、菲、三亞苯(triphenylene)、碗烯(corannulene)、蔻、凱庫勒烯(kekulene)、卵苯(ovalene)、并四苯、并五苯、芴、苯并[a]蒽、苯并[b]熒蒽、苯并[a]芘、茚并[1，2，3-cd]芘、二苯并[a，h]蒽、苉(picene)、四鄰亞苯、蒽嵌蒽(anthanthrene)、1，12-苯并苝、圈烯(circulene)、并七苯(heptacene)、并六苯、吡啶、嘧啶、三嗪、噻吩、異噻唑、噻唑、噠嗪、吡咯、吡唑、咪唑、三唑、噻二唑、吡嗪、呋喃、異噁唑、噁唑、噁二唑、喹啉、異喹啉、喹喔啉、喹唑啉、噁二唑、噻二唑、苯并三嗪、酞嗪(phthalazine)、四唑、吲哚、苯并呋喃、苯并噻吩、苯并噁唑、苯并噻唑、吲唑、苯并咪唑、苯并三唑、苯并異噻唑、苯并噻二唑、嘌呤、吡喃酮(pyranone)、香豆素、異香豆素、色酮(chromone)、二苯并呋喃、二苯并噻吩、二苯并硒酚、咔唑等。這些芳香族烴基或芳香族雜環(huán)基也可分別具有取代基。具有取代基的情況下的取代基為氰基、碳數(shù)1～10的脂肪族烴基、碳數(shù)12～44的二芳基氨基、或碳數(shù)12～44的二芳基硼基。此外，取代基的個數(shù)以0～5、優(yōu)選為0～2為佳。在計算芳香族烴基及芳香族雜環(huán)基具有取代基的情況下的碳數(shù)時，不包含取代基的碳數(shù)。但是，優(yōu)選為包含取代基的碳數(shù)的合計碳數(shù)滿足所述范圍。所述取代基的具體例可列舉：氰基、甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、二苯基氨基、萘基苯基氨基、二萘基氨基、二蒽基氨基、二菲基氨基、二芘基氨基、二苯基硼基、二萘基硼基、二蒽基硼基等。優(yōu)選可列舉：氰基、甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、二苯基氨基、萘基苯基氨基、或二萘基氨基。r表示氰基、碳數(shù)1～10的脂肪族烴基、碳數(shù)12～44的二芳基氨基、碳數(shù)12～44的二芳基硼基、碳數(shù)6～18的芳香族烴基、或碳數(shù)3～18的芳香族雜環(huán)基。優(yōu)選為氰基、碳數(shù)1～8的脂肪族烴基、碳數(shù)12～20的二芳基氨基、碳數(shù)12～20的二芳基硼基、碳數(shù)6～10的芳香族烴基、或碳數(shù)3～15的芳香族雜環(huán)基，更優(yōu)選為碳數(shù)6～10的芳香族烴基、或碳數(shù)3～15的芳香族雜環(huán)基。r為碳數(shù)1～10的脂肪族烴基、碳數(shù)12～44的二芳基氨基、碳數(shù)12～44的二芳基硼基的情況下的具體例可列舉：甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、二苯基氨基、萘基苯基氨基、二萘基氨基、二蒽基氨基、二菲基氨基、二芘基氨基、二苯基硼基、二萘基硼基、二蒽基硼基等。優(yōu)選可列舉：甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、二苯基氨基、萘基苯基氨基、二萘基氨基。r表示碳數(shù)6～18的芳香族烴基、碳數(shù)3～18的芳香族雜環(huán)基的情況下的具體例可列舉自以下化合物或這些中多個連結(jié)而成的連結(jié)芳香族化合物中去除1個h而生成的芳香族基：苯、萘、蒽、芘、菲、三亞苯、芴、吡啶、嘧啶、三嗪、噻吩、異噻唑、噻唑、噠嗪、吡咯、吡唑、咪唑、三唑、噻二唑、吡嗪、呋喃、異噁唑、噁唑、噁二唑、喹啉、異喹啉、喹喔啉、喹唑啉、噁二唑、噻二唑、苯并三嗪、酞嗪、四唑、吲哚、苯并呋喃、苯并噻吩、苯并噁唑、苯并噻唑、吲唑、苯并咪唑、苯并三唑、苯并異噻唑、苯并噻二唑、嘌呤、吡喃酮、香豆素、異香豆素、色酮、二苯并呋喃、二苯并噻吩、二苯并硒酚、咔唑。此處，當(dāng)為自連結(jié)芳香族化合物生成的芳香族基時，在通式(2)的吲哚咔唑環(huán)上所鍵結(jié)的環(huán)為芳香族烴環(huán)的情況下，設(shè)為芳香族烴基，在通式(2)的吲哚咔唑環(huán)上所鍵結(jié)的環(huán)為芳香族雜環(huán)的情況下，設(shè)為芳香族雜環(huán)基。l1及l(fā)2獨立地表示碳數(shù)6～50的芳香族烴基、或碳數(shù)3～30的芳香族雜環(huán)基。優(yōu)選為表示碳數(shù)6～30的芳香族烴基、或碳數(shù)3～20的芳香族雜環(huán)基。更優(yōu)選為表示碳數(shù)6～20的芳香族烴基、或碳數(shù)3～15的芳香族雜環(huán)基。通式(1)所表示的化合物是使用兩種以上，優(yōu)選為至少一種化合物的l1及l(fā)2的一個為碳數(shù)3～30的含氮芳香族雜環(huán)基，但兩者均為含氮芳香族雜環(huán)基時并不理想。l1及l(fā)2的具體例可列舉自以下化合物中去除a+b個或f+1個h而生成的基：苯、萘、乙烷合萘、苊、薁、蒽、芘、苝、菲、三亞苯、碗烯、蔻、凱庫勒烯、卵苯、并四苯、并五苯、芴、苯并[a]蒽、苯并[b]熒蒽、苯并[a]芘、茚并[1，2，3-cd]芘、二苯并[a，h]蒽、苉、四鄰亞苯、蒽嵌蒽、1，12-苯并苝、圈烯、并七苯、并六苯、吡啶、嘧啶、三嗪、噻吩、異噻唑、噻唑、噠嗪、吡咯、吡唑、咪唑、三唑、噻二唑、吡嗪、呋喃、異噁唑、噁唑、噁二唑、喹啉、異喹啉、喹喔啉、喹唑啉、噁二唑、噻二唑、苯并三嗪、酞嗪、四唑、吲哚、苯并呋喃、苯并噻吩、苯并噁唑、苯并噻唑、吲唑、苯并咪唑、苯并三唑、苯并異噻唑、苯并噻二唑、嘌呤、吡喃酮、香豆素、異香豆素、色酮、二苯并呋喃、二苯并噻吩、二苯并硒酚、或咔唑。a表示1～3的整數(shù)，優(yōu)選為1～2的整數(shù)。b表示0～3的整數(shù)，優(yōu)選為1～2的整數(shù)。f表示0～3的整數(shù)，優(yōu)選為0～1的整數(shù)。c與d獨立地表示0～4的整數(shù)，優(yōu)選為0～2的整數(shù)，e表示0～2的整數(shù)，優(yōu)選為0～1的整數(shù)，更優(yōu)選為c～e獨立地為0或1，c+e+d為0～2。在ar1、ar2、r1、r2為多個芳香族烴基或芳香族雜環(huán)基連結(jié)而成的連結(jié)芳香族基的情況下，可列舉如以下的連結(jié)方式。[化3]此處，ar獨立地表示芳香族烴基或芳香族雜環(huán)基，也可為縮合環(huán)。雖可具有取代基，但不會具有芳香族基作為取代基。芳香族烴基或芳香族雜環(huán)基多個連結(jié)而生成的基的具體例可列舉：聯(lián)苯基、聯(lián)三苯基、四聯(lián)苯基、聯(lián)吡啶、聯(lián)三嗪(bitriazine)、三聯(lián)吡啶、聯(lián)二萘(binaphthalene)、苯基吡啶、二苯基吡啶、苯基嘧啶、二苯基嘧啶、二苯基三嗪、苯基萘、二苯基萘、咔唑基苯、雙咔唑、雙咔唑基苯、雙咔唑基三嗪、二苯并呋喃基苯、雙二苯并呋喃基苯、二苯并噻吩基苯、雙二苯并噻吩基苯等。在l1、l2、ar1、ar2及r為芳香族雜環(huán)基的情況下，不為通式(2)所表示的具有吲哚咔唑環(huán)的芳香族雜環(huán)基。此處，吲哚咔唑環(huán)是指通式(2)中的五環(huán)的縮合環(huán)。以下表示所述通式(1)所表示的化合物的優(yōu)選的具體例，但并不限定于這些。[化4][化5][化6][化7][化8][化9][化10][化11][化12][化13][化14][化15][化16][化17]通過使用預(yù)混合有選自所述通式(1)所表示的化合物中的兩種以上的化合物的材料作為發(fā)光層的主體材料而可提供優(yōu)異的有機el元件。關(guān)于預(yù)混合的兩種化合物的混合比(重量比)，并無特別限制，優(yōu)選為95∶5～5∶95的范圍，更優(yōu)選為90∶10～10∶90的范圍。其次，一面參照附圖一面對本發(fā)明的有機el元件的構(gòu)造進行說明，但本發(fā)明的有機el元件的構(gòu)造并不限定于圖示。圖1是表示本發(fā)明中所使用的一般的有機el元件的構(gòu)造例的剖面圖，1表示基板，2表示陽極，3表示空穴注入層，4表示空穴傳輸層，5表示發(fā)光層，6表示電子傳輸層，7表示陰極。本發(fā)明的有機el元件可與發(fā)光層鄰接而具有激子阻擋層，另外，也可在發(fā)光層與空穴注入層之間具有電子阻擋層。激子阻擋層可插入至發(fā)光層的陰極側(cè)、陰極側(cè)的任一側(cè)，還可同時插入至兩個。在本發(fā)明的有機el元件中，具有陽極、發(fā)光層、以及陰極作為必需的層，但以除必需的層以外還具有空穴注入傳輸層、電子注入傳輸層為佳，進而以在發(fā)光層與電子注入傳輸層之間具有空穴阻擋層為佳。此外，空穴注入傳輸層意指空穴注入層與空穴傳輸層的任一個或兩個，電子注入傳輸層意指電子注入層與電子傳輸層的任一個或兩個。還可為與圖1相反的構(gòu)造、即還可在基板1上依序?qū)盈B陰極7、電子傳輸層6、發(fā)光層5、空穴傳輸層4、陽極2，所述情況下也可視需要追加、省略層。-基板-本發(fā)明的有機el元件優(yōu)選為由基板支持。關(guān)于所述基板，并無特別限制，只要為從前一直用于有機el元件的基板即可，例如可使用包含玻璃(glass)、透明塑料(plastic)、石英等的基板。-陽極-有機el元件中的陽極可優(yōu)選地使用將功函數(shù)大(4ev以上)的金屬、合金、電導(dǎo)性化合物及這些的混合物作為電極物質(zhì)的陽極。此種電極物質(zhì)的具體例可列舉：au等金屬，cui、銦錫氧化物(indiumtinoxide，ito)、sno2、zno等導(dǎo)電性透明材料。另外，也可使用能夠以idixo(in2o3-zno)等非晶質(zhì)制成透明導(dǎo)電膜的材料。陽極可使這些電極物質(zhì)利用蒸鍍或濺鍍(sputtering)等方法形成薄膜，并利用光刻法(photolithography)形成所期望的形狀的圖案(pattern)，或者在不太需要圖案精度的情況(約100μm以上)下，也可在所述電極物質(zhì)的蒸鍍或濺鍍時經(jīng)由所期望的形狀的掩模(mask)形成圖案?；蛘?，在使用如有機導(dǎo)電性化合物般可涂布的物質(zhì)的情況下，還可使用印刷方式、涂布(coating)方式等濕式成膜法。在自所述陽極提取發(fā)光的情況下，理想的是將透過率設(shè)為大于10％，另外，作為陽極的片電阻(sheetresistance)優(yōu)選為數(shù)百ω/□以下。進而膜厚還取決于材料，但通常在10nm～1000nm、優(yōu)選為10nm～200nm的范圍內(nèi)選擇。-陰極-另一方面，陰極可使用將功函數(shù)小(4ev以下)的金屬(稱為電子注入性金屬)、合金、電導(dǎo)性化合物、及這些的混合物作為電極物質(zhì)的陰極。此種電極物質(zhì)的具體例可列舉：鈉、鈉-鉀合金、鎂、鋰、鎂/銅混合物、鎂/銀混合物、鎂/鋁混合物、鎂/銦混合物、鋁/氧化鋁(al2o3)混合物、銦、鋰/鋁混合物、稀土類金屬等。這些之中，就電子注入性及對氧化等的耐久性的方面而言，優(yōu)選為電子注入性金屬與作為功函數(shù)的值大于電子注入性金屬的穩(wěn)定的金屬的第二金屬的混合物，例如鎂/銀混合物、鎂/鋁混合物、鎂/銦混合物、鋁/氧化鋁(al2o3)混合物、鋰/鋁混合物、鋁等。陰極可通過使這些電極物質(zhì)利用蒸鍍或濺鍍等方法形成薄膜而制作。另外，作為陰極，片電阻優(yōu)選為數(shù)百ω/□以下，膜厚通常在10nm～5μm、優(yōu)選為50nm～200nm的范圍內(nèi)選擇。此外，為了使所發(fā)出的光通過，只要有機el元件的陽極或陰極的任一個為透明或半透明，則發(fā)光亮度提高而合適。另外，在陰極以1nm～20nm的膜厚形成所述金屬后，在其上形成在陽極的說明中所列舉的導(dǎo)電性透明材料，由此可制作透明或半透明的陰極，通過應(yīng)用所述陰極而可制作陽極與陰極的兩個具有透過性的元件。-發(fā)光層-發(fā)光層是在通過自陽極及陰極的各自注入的空穴及電子再結(jié)合而生成激子后發(fā)光的層，發(fā)光層中包含有機發(fā)光性摻雜劑材料及主體材料。發(fā)光層中的主體材料是使用將通式(1)所表示的兩種以上的化合物在蒸鍍前以任意的比例預(yù)混合而成的材料。即，將選自所述通式(1)所表示的化合物中的兩種以上的化合物、優(yōu)選為兩種或三種化合物預(yù)混合。為了再現(xiàn)性良好地制作具有良好特性的有機el元件，所述兩種以上的化合物理想的是蒸發(fā)溫度的差小。在本說明書中，關(guān)于蒸發(fā)溫度，將真空(50pa)下的熱重-差熱分析(thermogravimctry-differentialthermalanalysis，tg-dta)測定中減少50％重量時的溫度定義為蒸發(fā)溫度。所述兩種以上的化合物的蒸發(fā)溫度的差優(yōu)選為20℃以內(nèi)，更優(yōu)選為10℃以內(nèi)。在包含三種以上的化合物的情況下，優(yōu)選為以表示中間的蒸發(fā)溫度的化合物的蒸發(fā)溫度作為基準(zhǔn)，相對于其，其他化合物的蒸發(fā)溫度均為20℃以內(nèi)。預(yù)混合方法可采用粉碎混合等公知的方法，理想的是盡可能均勻地進行混合。另外，發(fā)光層中的主體材料除通式(1)所表示的兩種以上的化合物以外也可并用一種或多種公知的主體材料等其他主體材料，其使用量以相對于主體材料的合計設(shè)為50wt％以下、優(yōu)選為設(shè)為25wt％以下為佳。其他主體材料并無特別限定，可列舉：萘、蒽、菲、三亞苯、芴、茚等具有縮合芳香族環(huán)的化合物或其衍生物，n，n′-二萘基-n，n’-二苯基-4，4’-二苯基-1-二胺等芳香族胺衍生物，三(8-喹啉)鋁(iii)等金屬絡(luò)合物，二苯并呋喃衍生物、二苯并噻吩衍生物、咔唑衍生物、二咔唑衍生物、吡啶衍生物、嘧啶衍生物、三嗪衍生物等具有雜環(huán)的化合物的衍生物。在使用磷光發(fā)光摻雜劑作為有機發(fā)光性摻雜劑材料的情況下，磷光發(fā)光摻雜劑以含有包含選自釕、銠、鈀、銀、錸、鋨、銥、鉑及金中的至少一種金屬的有機金屬絡(luò)合物的磷光發(fā)光摻雜劑為佳。具體而言，可優(yōu)選地使用美國化學(xué)會志(j.am.chem.soc.)2001，123，4304或日本專利特表2013-53051號公報中所記載的銥絡(luò)合物，但并不限定于這些。磷光發(fā)光摻雜劑材料在發(fā)光層中可僅含有一種，也可含有兩種以上。在含有兩種以上磷光發(fā)光摻雜劑材料的情況下，磷光發(fā)光摻雜劑材料的總重量相對于主體材料優(yōu)選為30％以下，更優(yōu)選為20％以下。磷光發(fā)光摻雜劑材料并無特別限定，具體而言，可列舉如下例子。[化18][化19]在使用熒光發(fā)光摻雜劑作為發(fā)光性摻雜劑材料的情況下，熒光發(fā)光摻雜劑并無特別限定，例如可列舉：苯并噁唑衍生物、苯并噻唑衍生物、苯并咪唑衍生物、苯乙烯基苯衍生物、聚苯基衍生物、二苯基丁二烯衍生物、四苯基丁二烯衍生物、萘二甲酰亞胺衍生物、香豆素衍生物、縮合芳香族化合物、紫環(huán)酮(perinone)衍生物、噁二唑衍生物、噁嗪衍生物、醛連氮(aldazine)衍生物、吡咯烷衍生物、環(huán)戊二烯衍生物、雙苯乙烯基蒽衍生物、喹吖啶酮衍生物、吡咯并吡啶衍生物、噻二唑并吡啶衍生物、苯乙烯基胺衍生物、二酮基吡咯并吡咯衍生物、芳香族二次甲基化合物，以8-羥基喹啉衍生物的金屬絡(luò)合物或吡咯亞甲基衍生物的金屬絡(luò)合物、稀土類絡(luò)合物、過渡金屬絡(luò)合物為代表的各種金屬絡(luò)合物等，聚噻吩、聚苯、聚苯乙炔等聚合物(polymer)化合物，有機硅烷衍生物等。優(yōu)選可列舉縮合芳香族衍生物、苯乙烯基衍生物、二酮基吡咯并吡咯衍生物、噁嗪衍生物、吡咯亞甲基金屬絡(luò)合物、過渡金屬絡(luò)合物、或鑭系絡(luò)合物，更優(yōu)選可列舉并四苯、芘、三亞苯、苯并[c]菲、苯并[a]蒽、并五苯、苝、熒蒽、苊并熒蒽、二苯并[a，j]蒽、二苯并[a，h]蒽、苯并[a]并四苯、并六苯、萘并[2，1-f]異喹啉、α-萘菲啶、菲咯啉噁唑、喹啉并[6，5-f]喹啉、苯并萘并噻吩(benzothiophanthrene)等。這些也可具有烷基、芳基、芳香族雜環(huán)基、或二芳基氨基作為取代基。熒光發(fā)光摻雜劑材料在發(fā)光層中可僅含有一種，也可含有兩種以上。在含有兩種以上熒光發(fā)光摻雜劑材料的情況下，熒光發(fā)光摻雜劑材料的總重量相對于主體材料優(yōu)選為20％以下，更優(yōu)選為10％以下。在使用熱活化延遲熒光發(fā)光摻雜劑作為有機發(fā)光性摻雜劑材料的情況下，熱活化延遲熒光發(fā)光摻雜劑并無特別限定，可列舉：錫絡(luò)合物或銅絡(luò)合物等金屬絡(luò)合物、或者wo2011/070963a報中所記載的吲哚咔唑衍生物、《自然(nature)》2012，492，234中所記載的氰基苯衍生物、咔唑衍生物、《自然光子學(xué)(naturephotonics)》2014，8，326中所記載的吩嗪(phenazine)衍生物、噁二唑衍生物、三唑衍生物、砜衍生物、吩噁嗪衍生物、吖啶衍生物等。熱活化延遲熒光發(fā)光摻雜劑材料并無特別限定，具體而言，可列舉如下例子。[化20]熱活化延遲熒光發(fā)光摻雜劑材料在發(fā)光層中可僅含有一種，也可含有兩種以上。另外，熱活化延遲熒光發(fā)光摻雜劑也可與磷光發(fā)光摻雜劑或熒光發(fā)光摻雜劑混合使用。在含有包含熱活化延遲熒光發(fā)光摻雜劑材料的兩種以上的發(fā)光摻雜劑的情況下，發(fā)光摻雜劑材料的總重量相對于主體材料優(yōu)選為50％以下，更優(yōu)選為30％以下。在發(fā)光層含有發(fā)光摻雜劑的情況，優(yōu)選為含有磷光發(fā)光摻雜劑、熒光發(fā)光摻雜劑或熱活化延遲熒光發(fā)光摻雜劑的情況下，發(fā)光層中的主體材料是使用預(yù)混合有所述通式(1)所表示的兩種以上的化合物的材料，但為了調(diào)整發(fā)光層內(nèi)的載子平衡，也可進而含有通式(1)所表示的化合物以外的其他化合物。所述其他化合物在所述預(yù)混合中可與通式(1)所表示的化合物一起同時進行預(yù)混合，但并非必需。-注入層-所謂注入層是指為了降低驅(qū)動電壓或提高發(fā)光亮度而在電極與有機層間設(shè)置的層，有空穴注入層與電子注入層，也可存在于陽極與發(fā)光層或空穴傳輸層之間、及陰極與發(fā)光層或電子傳輸層之間。注入層可視需要設(shè)置。-空穴阻擋層-所謂空穴阻擋層廣義上而言具有電子傳輸層的功能，包含具有傳輸電子的功能且傳輸空穴的能力非常小的空穴阻擋材料，通過傳輸電子且阻擋空穴而可提高發(fā)光層中的電子與空穴的再結(jié)合機率。空穴阻擋層中可使用公知的空穴阻擋層材料，另外，可視需要使用后述電子傳輸層的材料。-電子阻擋層-所謂電子阻擋層廣義上而言具有空穴傳輸層的功能，通過傳輸空穴且阻擋電子而可提高發(fā)光層中的電子與空穴再結(jié)合的機率。電子阻擋層的材料可使用公知的電子阻擋層材料，另外，可視需要使用后述空穴傳輸層的材料。電子阻擋層的膜厚優(yōu)選為3nm～100nm，更優(yōu)選為5nm～30nm。-激子阻擋層-所謂激子阻擋層是指用以阻擋在發(fā)光層內(nèi)通過空穴與電子再結(jié)合而產(chǎn)生的激子擴散至電荷傳輸層的層，通過插入本層而可將激子有效率地封入至發(fā)光層內(nèi)，可提高元件的發(fā)光效率。激子阻擋層可與發(fā)光層鄰接而插入至陽極側(cè)、陰極側(cè)的任一個，也可同時插入至兩個。激子阻擋層的材料可使用公知的激子阻擋層材料。例如可列舉：1，3-二咔唑基苯(mcp)、或雙(2-甲基-8-羥基喹啉)-4-苯基苯酚鋁(iii)(balq)。-空穴傳輸層-所謂空穴傳輸層包含具有傳輸空穴的功能的空穴傳輸材料，空穴傳輸層可設(shè)置單層或多層?？昭▊鬏敳牧鲜蔷哂锌昭ǖ淖⑷牖騻鬏敼δ堋㈦娮拥恼媳谛缘娜我粋€的材料，可為有機物、無機物的任一個?？昭▊鬏攲又锌勺袁F(xiàn)有公知的化合物中選擇使用任意的化合物。此種空穴傳輸材料例如可列舉：卟啉衍生物、芳基胺衍生物、三唑衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基烷烴衍生物、吡唑啉衍生物及吡唑啉酮衍生物、苯二胺衍生物、芳基胺衍生物、經(jīng)氨基取代的查耳酮衍生物、噁唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、均二苯乙烯衍生物、硅氮烷衍生物、苯胺系共聚物、以及導(dǎo)電性高分子寡聚物(oligomer)、特別是噻吩寡聚物等，優(yōu)選為使用卟啉衍生物、芳基胺衍生物及苯乙烯基胺衍生物，更優(yōu)選為使用芳基胺化合物。-電子傳輸層-所謂電子傳輸層包含具有傳輸電子的功能的材料，電子傳輸層可設(shè)置單層或多層。電子傳輸材料(也有兼作空穴阻擋材料的情況)只要具有將自陰極注入的電子傳遞至發(fā)光層的功能即可。電子傳輸層中可自現(xiàn)有公知的化合物中選擇使用任意的化合物，例如可列舉：經(jīng)硝基取代的芴衍生物、聯(lián)苯醌衍生物、噻喃二氧化物衍生物、碳二酰亞胺、亞芴基甲烷衍生物、蒽醌二甲烷及蒽酮衍生物、噁二唑衍生物等。進而，所述噁二唑衍生物中，噁二唑環(huán)的氧原子被取代為硫原子的噻二唑衍生物、具有作為電子吸引基而為人知曉的喹喔啉環(huán)的喹喔啉衍生物也可用作電子傳輸材料。進而，還可使用高分子鏈上導(dǎo)入有這些材料的高分子材料、或以這些材料作為高分子的主鏈的高分子材料。[實施例]以下，通過實施例更詳細地說明本發(fā)明，但本發(fā)明并不限定于這些實施例，只要不超出其主旨，則可以各種實施方式實施。根據(jù)以下所示的順序，制作預(yù)混合主體材料。此外，化合物編號與標(biāo)附于所述例示化合物的編號對應(yīng)。預(yù)混合主體h1的制作量取化合物2-13(0.50g)與化合物2-69(0.50g)，在研缽中一面搗碎一面混合，由此制作預(yù)混合主體h1。預(yù)混合主體h2的制作量取化合物2-13(0.50g)與化合物2-59(0.50g)，在研缽中一面搗碎一面混合，由此制作預(yù)混合主體h2。表1中表示化合物2-13、化合物2-69、化合物2-59的蒸發(fā)溫度。[表1]化合物蒸發(fā)溫度(℃)2-133172-593232-69327實施例1在形成有膜厚110nm的包含ito的陽極的玻璃基板上，利用真空蒸鍍法在真空度4.0×10-5pa下層疊各薄膜。首先，在ito上使cupc形成為20nm的厚度作為空穴注入層，其次，使npb形成為20nm的厚度作為空穴傳輸層。其次，分別自不同的蒸鍍源共蒸鍍作為發(fā)光層的主體的預(yù)混合主體h1、作為發(fā)光摻雜劑的ir(ppy)3，使發(fā)光層形成為30nm的厚度。此時，h1與ir(ppy)3的蒸鍍速度比為94∶6。其次，使balq形成為10nm的厚度作為空穴阻擋層，其次，使alq3形成為40nm的厚度作為電子傳輸層。進而，在電子傳輸層上使氟化鋰(lif)形成為0.5nm的厚度作為電子注入層。最后，在電子注入層上使鋁(al)形成為100nm的厚度作為陰極而制作有機el元件。對所獲得的有機el元件連接外部電源而施加直流電壓，結(jié)果觀測到極大波長517nm的發(fā)光光譜(spectrum)，可知獲得了自ir(ppy)3的發(fā)光。表2中表示所制作的有機el元件的亮度、驅(qū)動電壓、發(fā)光效率、亮度半衰壽命。亮度、驅(qū)動電壓、發(fā)光效率為驅(qū)動電流20ma/cm2時的值，為初期特性。亮度半衰時間為初期亮度1000cd/m2時的值，為壽命特性。實施例2在實施例1中，使用h2作為發(fā)光層的主體，除此以外，與實施例1同樣地制作有機el元件。對所獲得的有機el元件連接外部電源而施加直流電壓，結(jié)果觀測到極大波長517nm的發(fā)光光譜，可知獲得了自ir(ppy)3的發(fā)光。表2中表示所制作的有機el元件的亮度、驅(qū)動電壓、發(fā)光效率、亮度半衰時間。比較例1使用化合物2-13作為發(fā)光層的主體，除此以外，與實施例1同樣地制作有機el元件。比較例2使用化合物2-69作為發(fā)光層的主體，除此以外，與實施例1同樣地制作有機el元件。比較例3使用化合物2-59作為發(fā)光層的主體，除此以外，與實施例1同樣地制作有機el元件。比較例4量取下述化合物a(0.50g)與下述化合物b(0.50g)，在研缽中一面搗碎一面混合，由此制作預(yù)混合主體hc，將所述預(yù)混合主體hc用作主體，除此以外，與實施例1同樣地制作有機el元件。[化21][表2]表2中，若將本發(fā)明的實施例1、實施例2與比較例1～比較例3相比，則可知通過使用混合有通式(1)所表示的化合物的主體材料，而發(fā)光亮度提高，亮度半衰時間明顯延長。另外，若將實施例1、實施例2與比較例4相比，則可知使用混合有通式(1)所表示的化合物的兩種的主體材料的實施例1、實施例2與比較例4相比，初期亮度、壽命特性均優(yōu)異。實施例3～實施例5與實施例1同樣地連續(xù)3次制作有機el元件。表3中，將第1次制作的元件設(shè)為實施例3，將第2次制作的元件設(shè)為實施例4，并且將第3次制作的元件設(shè)為實施例5，表示所制作的有機el元件的亮度、驅(qū)動電壓、發(fā)光效率。亮度、驅(qū)動電壓、發(fā)光效率為驅(qū)動電流20ma/cm2時的值，為初期特性。比較例6～比較例8在形成有膜厚110nm的包含ito的陽極的玻璃基板上，利用真空蒸鍍法在真空度4.0×10-5pa下層疊各薄膜。首先，在ito上使cupc形成為20nm的厚度作為空穴注入層，其次，使npb形成為20nm的厚度作為空穴傳輸層。其次，發(fā)光層是分別自不同的蒸鍍源共蒸鍍作為主體的化合物2-13、作為第2主體的化合物2-59、作為發(fā)光摻雜劑的ir(ppy)3，形成為30nm的厚度。此時，第1主體與第2主體與ir(ppy)3的蒸鍍速度比為47∶47∶6。其次，使balq形成為10nm的厚度作為空穴阻擋層。其次，使alq3形成為40nm的厚度作為電子傳輸層。進而，在電子傳輸層上使氟化鋰(lif)形成為0.5nm的厚度作為電子注入層。最后，在電子注入層上使鋁(al)形成為100nm的厚度作為陰極，連續(xù)3次制作有機el元件。對所獲得的有機el元件連接外部電源而施加直流電壓，結(jié)果觀測到極大波長517nm的發(fā)光光譜，可知獲得了自ir(ppy)3的發(fā)光。表3中，將第1次制作的元件設(shè)為比較例6，將第2次制作的元件設(shè)為比較例7，并且將第3次制作的元件設(shè)為比較例8，表示所制作的有機el元件的亮度、驅(qū)動電壓、發(fā)光效率。比較例9～比較例11量取化合物2-13(0.50g)與mcbp(0.50g)，在研缽中一面搗碎一面混合，由此制作預(yù)混合主體hd，將所述預(yù)混合主體hd用作主體，除此以外，以與實施例1相同的方式連續(xù)3次制作有機el元件。表3中，將第1次制作的元件設(shè)為比較例9，將第2次制作的元件設(shè)為比較例10，并且將第3次制作的元件設(shè)為比較例11，表示所制作的有機el元件的亮度、驅(qū)動電壓、發(fā)光效率。此外，mcbp的蒸發(fā)溫度為288℃。[表3]在表3中，將實施例3～實施例5與比較例6～比較例8相比，則可知使用經(jīng)預(yù)混合的主體材料的實施例平均而言發(fā)光效率等初期特性優(yōu)異，而且初期特性的不均小。另外，根據(jù)比較例9～比較例11的結(jié)果，可知蒸發(fā)溫度的差大于20℃的化合物的預(yù)混合主體hd中，初期特性的不均大。根據(jù)這些結(jié)果可明確，通過使用預(yù)混合有特定的化合物的主體材料而可再現(xiàn)良好地實現(xiàn)高效率且顯示出良好的壽命特性的有機el元件。符號的說明1：基板2：陽極3：空穴注入層4：空穴傳輸層5：發(fā)光層6：電子傳輸層7：陰極當(dāng)前第1頁12