本發(fā)明涉及具有對微波等高頻信號進(jìn)行放大的高頻集成電路的高頻模塊。

背景技術(shù)：

微波波段通信用的通信設(shè)備、雷達(dá)裝置、電力傳輸裝置等中使用用于對微波信號進(jìn)行放大的高頻模塊。高頻模塊具備FET(Field Effect Transistor：場效應(yīng)晶體管)或MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit：單片微波集成電路)等高頻集成電路。高頻集成電路因其功耗等而發(fā)熱，因此高頻模塊具備用于對高頻集成電路進(jìn)行冷卻的散熱器等。然而，在安裝面積受到限制、安裝有高頻集成電路的電介質(zhì)多層基板的背面形成有天線元件等的情況下，無法采取從高頻集成電路的粘接面直接向散熱器進(jìn)行散熱的方法，需要采取其他冷卻方法。

例如，日本專利特開平9-102579號公報(參照專利文獻(xiàn)1)公開了如下高頻模塊，即，在以封裝金屬蓋板來構(gòu)成外部殼體的高頻模塊中，使內(nèi)裝金屬蓋板的側(cè)面內(nèi)接于封裝金屬蓋板的內(nèi)側(cè)而設(shè)置。專利文獻(xiàn)1中所公開的高頻模塊在封裝金屬蓋板的內(nèi)部具有電介質(zhì)基板、高頻集成電路以及窗部。電介質(zhì)多層基板收納于內(nèi)裝金屬蓋板的內(nèi)側(cè)。高頻集成電路搭載于內(nèi)裝金屬蓋板的外側(cè)。窗部貫通內(nèi)裝金屬蓋板而設(shè)置，是供布線通過的開口，該布線將高頻集成電路連接到電介質(zhì)多層基板。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本專利特開平9-102579號公報

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

發(fā)明所要解決的技術(shù)問題

專利文獻(xiàn)1中所記載的高頻模塊通過將搭載高頻集成電路的內(nèi)裝金屬蓋板內(nèi)接于封裝金屬蓋板，從而將由高頻集成電路產(chǎn)生的熱量傳遞至封裝金屬蓋板，并將由高頻集成電路產(chǎn)生的熱量釋放至外部。因此，這樣的高頻模塊中，需要對搭載了高頻集成電路的這部分內(nèi)裝金屬蓋板進(jìn)行加工，高頻模塊的結(jié)構(gòu)變得復(fù)雜。

本發(fā)明是為了解決上述問題而完成的，其目的在于提供一種不增加元器件數(shù)量、以簡單的結(jié)構(gòu)將由高頻集成電路產(chǎn)生的熱量高效率地向外部釋放、冷卻性能優(yōu)異的高頻模塊。

解決技術(shù)問題的技術(shù)方案

本發(fā)明所涉及的高頻模塊，包括：電介質(zhì)多層基板，該電介質(zhì)多層基板具有接地層，將具有發(fā)熱部的高頻電子元器件與所述接地層接觸來進(jìn)行安裝；以及截止塊(cut off block)，該截止塊由立壁部以及將其覆蓋的蓋部構(gòu)成，在內(nèi)部收納所述高頻電子元器件，并且設(shè)置有在所述高頻電子元器件所使用的高頻信號的頻率具有截止特性的空洞部，所述截止塊的立壁部與所述電介質(zhì)多層基板的接地層相接觸。

發(fā)明效果

根據(jù)本發(fā)明，通過將由高頻集成電路所產(chǎn)生的熱量經(jīng)由電介質(zhì)多層基板的接地層傳遞至使截止特性提高的截止塊并進(jìn)行散熱，從而能實(shí)現(xiàn)一種散熱性得以提高而不會使元器件數(shù)量增加的高頻模塊。

附圖說明

[圖1]是本發(fā)明實(shí)施方式1所涉及的高頻模塊的剖視圖。

[圖2]是示出本發(fā)明實(shí)施方式1所涉及的高頻模塊的散熱路徑的剖視圖。

[圖3]是示出本發(fā)明實(shí)施方式1所涉及的高頻模塊的散熱路徑的俯視透視圖。

[圖4]是本發(fā)明實(shí)施方式2所涉及的高頻模塊的剖視圖。

[圖5]是本發(fā)明實(shí)施方式3所涉及的高頻模塊的剖視圖。

[圖6]是本發(fā)明實(shí)施方式4所涉及的高頻模塊的剖視圖。

[圖7]是本發(fā)明實(shí)施方式5所涉及的高頻模塊的剖視圖。

[圖8]是本發(fā)明實(shí)施方式6所涉及的高頻模塊的剖視圖。

[圖9]是示出本發(fā)明實(shí)施方式6所涉及的高頻模塊的散熱路徑的剖視圖。

具體實(shí)施方式

本申請的附圖中X方向、Y方向以及Z方向分別示出了高頻模塊1的長邊方向、短邊方向以及厚度方向。圖1及圖2以及圖4～圖9示出了在高頻模塊1的XZ平面中包含形成有固定螺釘6的部位的位置的剖視圖。另外，關(guān)于圖7，詳細(xì)而言，是在高頻模塊1的XZ平面中包含形成有固定螺釘6以及螺釘18的部位的位置的剖視圖。圖3示出了高頻模塊在XY平面中的俯視透視圖。具體而言，是對截止塊5進(jìn)行透視而示出高頻模塊1的內(nèi)部的俯視透視圖。

實(shí)施方式1.

以下，參照附圖對本發(fā)明實(shí)施方式1所涉及的高頻模塊進(jìn)行說明。圖1是示出本發(fā)明實(shí)施方式1所涉及的高頻模塊的剖視圖。高頻模塊1在電介質(zhì)多層基板2上搭載有任意數(shù)量的高頻集成電路3(FET：Field Effect Transistor場效應(yīng)晶體管，MMIC：Monolithic Microwave Integrated Circuit單片微波集成電路)以及輸入連接器4。輸入信號以及控制信號經(jīng)由輸入連接器4輸入至高頻模塊1。電介質(zhì)多層基板2的背面形成有天線元件7。天線元件7將由高頻集成電路3放大后的微波等高頻信號向空間進(jìn)行輻射。為了對由天線元件7所輻射的高頻信號的功率(高頻功率)進(jìn)行評價，在天線元件7的輸入端子的正前方配置有帶切換開關(guān)的同軸連接器8。

在電介質(zhì)多層基板2上，以抑制由空間諧振而導(dǎo)致的高頻集成電路3的起振或電磁屏蔽為目的，利用螺釘6等容易裝卸的固定方法安裝有設(shè)計為最佳空間距離以確?？臻g隔離度、抑制諧振的截止塊5。截止塊5由金屬等熱阻較小、具有導(dǎo)電性的材料形成。截止塊5由蓋部5a和與該蓋部形成為一體的多個立壁部5b構(gòu)成。截止塊5將高頻集成電路3收納在由蓋部5a以及立壁部5b所形成的截止塊5的內(nèi)部，并固定于電介質(zhì)多層基板2。對于截止塊5的立壁部5b的與蓋部5a側(cè)相反側(cè)的端部，其與設(shè)置于電介質(zhì)多層基板2上的接地圖案(接地層)2a相接觸。由高頻集成電路3所產(chǎn)生的熱量被傳遞至電介質(zhì)多層基板2的接地圖案(接地層)2a。傳遞至接地圖案(接地層)2a的熱量被傳遞至截止塊5，熱量從截止塊5被釋放至高頻模塊1的外部。

空間(空洞部)5c是通過由蓋部5a以及立壁部5b所形成的截止塊5的內(nèi)部與電介質(zhì)多層基板2所形成的空間。截止塊5與接地圖案(接地層)2a相連接(接地)，在所使用的高頻信號的頻率或規(guī)定的頻率，空間(空洞部)5c設(shè)計為最佳空間距離，使得高頻信號的諧振被抑制。即，截止塊5的蓋部5a的內(nèi)表面與電介質(zhì)基板2之間的間隔，以及截止塊5的相對的立壁部5b之間的間隔設(shè)定為產(chǎn)生由高頻集成電路3放大的高頻信號3的截止頻率。

截止頻率由截止塊5的相對的立壁部5b之間的間隔所決定，若相對的立壁部5b之間的間隔為W，則截止頻率的波長λc以λc＝2W來表示。

式中，截止頻率fc＝c/λc，c＝光速。

將由金屬所包圍的密閉空間的空間隔離度的量簡單地表現(xiàn)為如下方程式。

[數(shù)學(xué)式1]

式中，α：單位長度的空間隔離度的量“dB/mm”，λc：截止頻率的波長“mm”，λ：由高頻集成電路3所放大的頻率的波長“mm”。

通過將截止塊5的相對的立壁部5b之間的間隔設(shè)為小于由高頻集成電路3放大的頻率f的波長λ，從而改善高頻模塊1的截止塊5的內(nèi)部的空間隔離度的量。

對于由截止塊5的蓋部5a的內(nèi)表面與電介質(zhì)基板2之間的間隔所規(guī)定的截止頻率的波長λc，也與由截止塊5的相對的立壁部5b之間的間隔所規(guī)定的截止頻率的波長λc相同。具體而言，截止塊5的蓋部5a的內(nèi)表面與電介質(zhì)基板2的接地圖案(接地層)2a之間的間隔設(shè)為W，則截止頻率的波長λc以λc＝2W來表示。

在天線元件7的輸入端子的正前方設(shè)置有帶切換開關(guān)的同軸連接器8，使得能夠?qū)嵤Ω哳l模塊1單體的特性評價。在帶切換開關(guān)的同軸連接器8中，在同軸電纜連接時高頻信號不輸入至天線元件而從向測試端口進(jìn)行輸出，因而能對高頻模塊1單體進(jìn)行特性評價。通常運(yùn)用時，不連接同軸電纜，從而將高頻信號輸入至天線元件7。在帶切換開關(guān)的同軸連接器8自身的損耗對高頻模塊1的特性造成影響的情況下，也可采用在特性評價后拆下帶切換開關(guān)的同軸連接器8、利用金帶等使其短路而抑制損耗的方法。

圖2是示出本發(fā)明實(shí)施方式1所涉及的高頻模塊的散熱路徑的剖視圖，圖3是示出本發(fā)明實(shí)施方式1所涉及的高頻模塊的散熱路徑的鳥瞰圖。在圖2以及圖3中，空心箭頭示出了熱量的傳遞路徑。在圖2以及圖3中，高頻集成電路3接觸并安裝于電介質(zhì)多層基板2的接地圖案(接地層)2a，因此由高頻集成電路3所產(chǎn)生的熱量通過散熱路徑9a被傳遞至接地圖案(接地層)2a。傳遞至接地圖案(接地層)2a的由高頻集成電路3所產(chǎn)生的熱量通過散熱路徑9b傳遞至接地圖案(接地層)2a內(nèi)，從接地圖案(接地層)2a與截止塊5的接觸部被傳遞至截止塊5。傳遞至截止塊5的由高頻集成電路3所產(chǎn)生的熱量通過散熱路徑9c傳遞至截止塊5內(nèi)，從截止塊5的表面被散熱至空間中。由此，使由高頻集成電路3所產(chǎn)生的熱量通過電介質(zhì)多層基板2的接地圖案(接地層)2a傳遞至截止塊5，并向空間進(jìn)行散熱，從而能得到一種提高了高頻信號的空間隔離度與散熱這兩種功能的高頻模塊1。

圖2所示的截面中，高頻集成電路3所接觸的接地圖案(接地層)2a被切斷，成為接地圖案(接地層)2a與截止塊5不進(jìn)行直接接觸的圖。然而，實(shí)際的結(jié)構(gòu)如圖3所示，接地圖案(接地層)2a在電介質(zhì)多層基板2中繞過高頻集成電路3而與截止塊5相接觸。由此，由高頻集成電路3所產(chǎn)生的熱量經(jīng)由接地圖案(接地層)2a被傳遞至截止塊3。

為了提高高頻模塊1的散熱效果，有將接地圖案(接地層)2a的金屬膜厚進(jìn)行加厚的方法。此外，通過在高頻集成電路3等發(fā)熱元件附件設(shè)置多個接地通孔，通過增加散熱路徑從而使向外部進(jìn)行散射的散熱面積增大，從而能提高散熱效率?？梢圆粌H傳熱至作為金屬層的接地圖案(接地層)2a，還經(jīng)由電介質(zhì)多層基板的介電層傳熱至形成于背面的天線元件7，因而，可以使用天線元件7作為散熱器來提高散熱效果。

實(shí)施方式2.

利用附圖，對本發(fā)明實(shí)施方式2所涉及的高頻模塊進(jìn)行說明。圖4是示出本發(fā)明實(shí)施方式2所涉及的高頻模塊的剖視圖。對圖4中與圖1～圖3相同或者同等的結(jié)構(gòu)要素標(biāo)注相同的標(biāo)號，并省略其說明。本發(fā)明實(shí)施方式2在本發(fā)明實(shí)施方式1的電介質(zhì)多層基板2內(nèi)嵌入了鋁芯材等金屬芯材12。金屬芯材12通過接地通孔2d與接地圖案(接地層)2a進(jìn)行電連接且進(jìn)行熱連接。

高頻集成電路3接觸并安裝于露出電介質(zhì)多層基板2的金屬芯材12。由高頻集成電路3所產(chǎn)生的熱量被傳遞至金屬芯材12，金屬芯材12通過由導(dǎo)電性材料所形成的接地通孔2d與接地圖案(接地層)2a進(jìn)行電連接且進(jìn)行熱連接，因此熱量被傳遞至接地圖案(接地層)2a。此外，金屬芯材12通過由導(dǎo)電性材料所形成的接地通孔2d與接地圖案(接地層)2a進(jìn)行電連接且進(jìn)行熱連接，因此與接地圖案(接地層)2a為相同電位并接地。對于熱量傳遞至接地圖案(接地層)2a后的從截止塊5開始的散熱路徑，與本發(fā)明實(shí)施方式1相同。

金屬芯材12形成有螺紋牙，從而能不從天線元件7一側(cè)安裝截止塊的固定螺釘6以安裝截止塊5，而從截止塊5一側(cè)對螺釘進(jìn)行安裝。固定螺釘6沿Z方向插入。因此，傳遞至金屬芯材12的由高頻集成電路3所產(chǎn)生的熱量會從金屬芯材12直接被傳遞至截止塊5，因此與經(jīng)由導(dǎo)體圖案(接地層)2a的熱量傳遞路徑相比熱阻降低，散熱效率得以提高。

通過在從與金屬芯材12相反側(cè)的截止塊5的表面(XY平面上的面)起直到金屬芯材12形成螺紋牙，能夠使得金屬制的固定螺釘6不露出至天線元件7一側(cè)。由此，高頻模塊1沒有用于安裝截止塊5而設(shè)置的天線元件7一側(cè)的金屬制的固定螺釘6，因此能夠減小給天線元件7的輻射特性帶來的影響。換言之，可以說高頻模塊1的固定螺釘6的安裝布局的自由度得以提高。

實(shí)施方式3.

利用附圖，對本發(fā)明的實(shí)施方式3所涉及的高頻模塊進(jìn)行說明。圖5是示出本發(fā)明實(shí)施方式3所涉及的高頻模塊的剖視圖。對圖5中與圖1～圖3相同或者同等的結(jié)構(gòu)要素標(biāo)注相同的標(biāo)號，并省略其說明。本發(fā)明實(shí)施方式3是在本發(fā)明實(shí)施方式1的截止塊5上形成有散熱片13的高頻模塊1。

通過在截止塊5上形成散熱片13，從而能使其與大氣的熱交換面積增大，高頻模塊1的散熱效率得以提高。

本發(fā)明實(shí)施方式3中，將安裝了控制用IC16以及控制用貼片元件17的控制電路15載置于截止塊5并安裝。

在電介質(zhì)多層基板2的背面形成有天線元件7的構(gòu)成中，作為有源相控陣天線，在連結(jié)有多個高頻模塊1的情況下，天線元件7的天線間距被高頻模塊1的面積所限制。本發(fā)明的實(shí)施方式3中，以對高頻性能造成的影響相對較小的控制基板作為其它基板而進(jìn)行制作，在由電纜等連接高頻基板與控制基板的情況下，能夠?qū)Ω哳l模塊1的面積進(jìn)行削減。在形成有連結(jié)多個高頻模塊1的有源相控陣天線的情況下，能夠減小天線間距的距離的限制，且減小的程度與所削減的面積相當(dāng)。

實(shí)施方式4.

利用附圖，對本發(fā)明的實(shí)施方式4所涉及的高頻模塊進(jìn)行說明。圖6是示出本發(fā)明實(shí)施方式4所涉及的高頻模塊的剖視圖。對圖6中與圖1～圖3相同或者同等的結(jié)構(gòu)要素標(biāo)注相同的標(biāo)號，并省略其說明。本發(fā)明實(shí)施方式4是在本發(fā)明實(shí)施方式1的截止塊5中形成有水冷用熱管14的高頻模塊1。

通過在截止塊5中形成水冷用熱管14，從而強(qiáng)制地對截止塊5進(jìn)行冷卻，因此能使熱交換效率增大，高頻模塊1的散熱效率得以提高。

實(shí)施方式5.

利用附圖，對本發(fā)明的實(shí)施方式5所涉及的高頻模塊進(jìn)行說明。圖7是示出本發(fā)明實(shí)施方式5所涉及的高頻模塊的剖視圖。對圖7中與圖1～圖3相同或者同等的結(jié)構(gòu)要素標(biāo)注相同的標(biāo)號，并省略其說明。本發(fā)明實(shí)施方式5是采用將本發(fā)明實(shí)施方式1中的高頻集成電路3的組件以上下顛倒的方式安裝后的結(jié)構(gòu)、使截止塊5與高頻集成電路3直接接觸的高頻模塊1。為了使導(dǎo)熱量增大，需要改善高頻集成電路3的組件與截止塊5的接觸性。對高頻集成電路3的組件實(shí)施螺紋加工處理，將截止塊5安裝于電介質(zhì)多層基板2。由此，安裝后，使用螺釘18，提高高頻集成電路3的組件與截止塊5的接觸性。具體而言，使用從截止塊5一側(cè)通過的螺釘18，使其與設(shè)置于高頻集成電路3的組件的螺紋加工部嵌合，向截止塊5一側(cè)拉引從而提高接觸性。螺釘18在Z方向上插入。

在希望使來自高頻集成電路3的熱量從電介質(zhì)多層基板2一側(cè)進(jìn)行散熱的情況下，也可經(jīng)由散熱片材19等像本發(fā)明實(shí)施方式1那樣通過電介質(zhì)多層基板2進(jìn)行散熱。

通過采用上述構(gòu)成，主要散熱路徑不通過電介質(zhì)多層基板2，因此能在不受電介質(zhì)多層基板2的溫度條件限制的情況下進(jìn)行安裝。此外，截止塊5一般使用金屬等熱傳導(dǎo)良好的材料，因此能夠提高高頻模塊1的散熱效率。

此外，對高頻集成電路3的引線端面3a進(jìn)行焊接連接。使高頻集成電路3與截止塊5接觸，因此若利用螺釘18將高頻集成電路3向截止塊5一側(cè)拉引，則有可能產(chǎn)生在引線端面3a發(fā)生應(yīng)力集中而產(chǎn)生裂紋等可靠性問題。通過將引線結(jié)構(gòu)設(shè)為彎曲結(jié)構(gòu)，則能在不受到因焊接裂紋等對可靠性造成影響的情況下進(jìn)行安裝。

實(shí)施方式6.

利用附圖，對本發(fā)明的實(shí)施方式6所涉及的高頻模塊進(jìn)行說明。圖8是示出本發(fā)明實(shí)施方式6所涉及的高頻模塊的剖視圖。對圖8中與圖1～圖3相同或者同等的結(jié)構(gòu)要素標(biāo)注相同的標(biāo)號，并省略其說明。本發(fā)明實(shí)施方式6是在本發(fā)明實(shí)施方式1的基礎(chǔ)上，將天線元件7也作為散熱路徑的高頻模塊1。

在天線元件7為微帶線路天線、倒F型天線等平面天線的情況下，在天線元件7內(nèi)的電場強(qiáng)度分布中存在電場強(qiáng)度為零電位的零點(diǎn)。即使將該零點(diǎn)利用導(dǎo)體強(qiáng)制地與接地圖案(接地層)機(jī)械連接，也不會影響天線元件7的電學(xué)特性。即，通過將天線元件7的零點(diǎn)利用導(dǎo)體與接地圖案(接地層)連接，從而能在不影響天線元件7的電學(xué)特性的情況下對由高頻集成電路3所產(chǎn)生的熱量進(jìn)行散熱。具體而言，傳遞至接地圖案(接地層)的由高頻集成電路3所產(chǎn)生的熱量會從接地圖案(接地層)經(jīng)由天線元件7的零點(diǎn)，被傳遞至設(shè)置于電介質(zhì)多層基板2的背面并向外部空間露出的天線元件7。傳遞后的熱量從天線元件7的表面散熱至外部空間。

在圖8中，天線元件7為微帶線路天線，天線元件7的供電線7a與高頻集成電路3的引線經(jīng)由設(shè)置于電介質(zhì)多層基板2的表面的信號圖案2b相連接。

在微帶線路天線中，天線元件7的中央部為零點(diǎn)。天線元件7的中央部的零點(diǎn)利用接地線7b與形成于電介質(zhì)多層基板2內(nèi)層的內(nèi)層接地圖案(接地層)2c相連接。內(nèi)層接地圖案(接地層)2c通過由導(dǎo)體材料所形成的接地通孔2d，與設(shè)置于高頻集成電路3所接觸的電介質(zhì)多層基板2的表面的接地圖案(接地層)2a相連接。

圖9是示出本發(fā)明實(shí)施方式6所涉及的高頻模塊的散熱路徑的剖視圖。在圖9中，空心箭頭示出了熱量的傳遞路徑。在圖9中，高頻集成電路3接觸并安裝于電介質(zhì)多層基板2的接地圖案(接地層)2a，因此由高頻集成電路3所產(chǎn)生的熱量通過散熱路徑9a被傳遞至接地圖案(接地層)2a。傳遞至接地圖案(接地層)2a的由高頻集成電路3所產(chǎn)生的熱量通過散熱路徑9b傳遞至接地圖案(接地層)2a內(nèi)，從接地圖案(接地層)2a與截止塊5的接觸部被傳遞至截止塊5。傳遞至截止塊5的由高頻集成電路及3所產(chǎn)生的熱量通過散熱路徑9c傳遞至截止塊5內(nèi)，從截止塊5的表面被散熱至空間中。

在圖9所示的剖視圖中，高頻集成電路3所接觸的接地圖案(接地層)2a被切斷，接地圖案(接地層)2a與截止塊5不進(jìn)行直接接觸。然而，實(shí)際的構(gòu)造如圖3所示，接地圖案(接地層)2a在電介質(zhì)多層基板2之中繞過高頻集成電路3而與截止塊5相接觸。由此，由高頻集成電路3所產(chǎn)生的熱量經(jīng)由接地圖案(接地層)2a被傳遞至截止塊3。

在圖9中，高頻集成電路3接觸并安裝于電介質(zhì)多層基板2的接地圖案(接地層)2a，因此由高頻集成電路3所產(chǎn)生的熱量通過散熱路徑9a被傳遞至接地圖案(接地層)2a。傳遞至接地圖案(接地層)2a的由高頻集成電路3所產(chǎn)生的熱量通過接地通孔2d被傳遞至內(nèi)層接地圖案(接地層)2c。傳遞至內(nèi)層接地圖案(接地層)2c的由高頻集成電路3所產(chǎn)生的熱量通過散熱路徑9b傳遞至內(nèi)層接地圖案(接地層)2c內(nèi)，并被傳遞至接地線7b。傳遞至接地線7b的由高頻集成電路3所產(chǎn)生的熱量通過散熱路徑9d傳遞至接地線7b內(nèi)，并被傳遞至天線元件7，從天線元件7的表面被散熱至空間中。

由此，高頻模塊1使由高頻集成電路3所產(chǎn)生的熱量經(jīng)由電介質(zhì)多層基板2的接地圖案(接地層)2a傳遞至截止塊5以及天線元件7，并散熱至空間中。由此，能得到一種提高了高頻信號的空間隔離度與散熱這兩種功能的高頻模塊1。

本發(fā)明實(shí)施方式1至6所說明的高頻模塊1的結(jié)構(gòu)在分別單獨(dú)實(shí)施的基礎(chǔ)上，也可將各自的實(shí)施方式進(jìn)行組合。

標(biāo)號說明

1高頻模塊，2電介質(zhì)多層基板，2a接地圖案(接地層)，2b信號圖案，2c內(nèi)層接地圖案(接地層)，2d接地通孔，3高頻集成電路，3a引線端面，4輸入連接器，5截止塊，5a蓋部，5b立壁部，5c空間(空洞部)，6固定螺釘，7天線元件，7a供電線，7b接地線，8帶切換開關(guān)的同軸連接器，9a、9b、9c、9d散熱路徑，12金屬芯材，13散熱片，14水冷用熱管，15控制電路，16控制用IC，17控制用貼片元件，18螺釘，19散熱片材。