1.一種靜電夾盤，包括：
第一層，具有第一超低膨脹(ULE)材料；
第二層，耦合至所述第一層，所述第二層具有第二ULE材料；
多個流體通道，位于所述第一層和所述第二層之間，所述多個流體通道被配置用于輸送熱調(diào)節(jié)流體；
第三層，耦合至所述第二層，所述第三層具有第三ULE材料；以及
復(fù)合層，插入在所述第二層和所述第三層之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電夾盤，其中，所述第一ULE材料、所述第二ULE材料以及所述第三ULE材料是相同的材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電夾盤，其中，所述第一ULE材料、所述第二ULE材料以及所述第三ULE材料包括硅基材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電夾盤，其中，所述復(fù)合層包括交替的導(dǎo)電層和絕緣層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電夾盤，進一步包括中間層，插入在所述復(fù)合層和所述第二層之間，所述中間層被配置用于促進在所述復(fù)合層和所述第二層之間的鍵合。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電夾盤，其中，所述第三層包括頂表面，被配置用于容納物體以用于夾持。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電夾盤，其中，多個突節(jié)位于所述第三層的頂表面上，所述多個突節(jié)被配置用于容納物體以用于夾持。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電夾盤，其中，所述第一層包括多個溝槽，被配置用于形成所述多個流體通道。
9.一種器件制造方法，所述方法包括：
在第一層和第二層之間形成多個流體通道，所述多個流體通道被配置用于輸送熱調(diào)節(jié)流體；
在第三層上布置復(fù)合層，所述復(fù)合層包括交替的導(dǎo)電層和絕緣層；以及
將所述第三層耦合至所述第二層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，形成所述多個流體通道包括：
在所述第一層的頂表面上形成多個溝槽；
拋光所述第二層的底表面；
將所述第一層的頂表面直接鍵合至所述第二層的底表面以形成所述第一層和所述第二層的鍵合結(jié)構(gòu)；以及
退火所述鍵合結(jié)構(gòu)。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述第一層、所述第二層和所述第三層包括相同的超低膨脹材料。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，布置所述復(fù)合層包括：
在所述第三層的底表面上布置金屬層；
圖形化所述金屬層；
在所述圖形化的金屬層和所述第三層的底表面上布置電介質(zhì)層；以及
圖形化所述電介質(zhì)層。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，將所述第三層耦合至所述第二層包括：
在所述復(fù)合層上布置中間層；以及
將所述中間層直接鍵合至所述第二層的頂表面。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，進一步包括，在所述第三層的頂表面上形成多個突節(jié)，所述多個突節(jié)被配置用于容納物體以用于夾持。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，形成所述多個突節(jié)包括：
在所述第三層的頂表面上形成聚合物層；以及
圖形化所述聚合物層。
16.一種光刻設(shè)備，包括：
卡盤；以及
靜電夾盤，耦合至所述卡盤，所述靜電夾盤被配置用于可釋放地保持圖形化裝置，所述靜電夾盤包括：
第一層，具有相對的第一表面和第二表面；
第二層，具有相對的第三表面和第四表面，所述第四表面耦合至所述第一表面；
通道的陣列，位于所述第一表面和所述第四表面之間；以及
第三層，具有相對的第五表面和第六表面，所述第六表面耦合至所述第三表面。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的光刻設(shè)備，其中，所述通道的陣列被配置用于輸送熱調(diào)節(jié)流體。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的光刻設(shè)備，進一步包括多個突節(jié)，位于所述第五表面上，所述多個突節(jié)被配置用于容納所述圖形化裝置。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的光刻設(shè)備，其中，所述第一層、所述第二層和所述第三層包括具有基本上為零的熱膨脹系數(shù)的相同材料。
20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的光刻設(shè)備，其中，所述第一層直接鍵合至所述卡盤，所述卡盤具有被配置用于輸送熱調(diào)節(jié)流體的多個通道。