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能夠測試真空的真空絕緣開關(guān)、開關(guān)組件及測試方法與流程

文檔序號:12142595閱讀:來源:國知局

技術(shù)特征:

1.一種中壓或高壓開關(guān)(10),包括:

-高真空殼體(111);以及

-第一觸頭和第二觸頭(121,122),被安裝成在所述殼體(111)內(nèi)可相對于彼此在斷開位置和閉合位置之間平移運動,所述第一觸頭和所述第二觸頭(121,122)在斷開位置被間隔開,并且所述第一觸頭和所述第二觸頭(121,122)在閉合位置電接觸;

其特征在于,所述開關(guān)(10)還包括導(dǎo)體(210,220,230),所述導(dǎo)體設(shè)置在所述殼體(111)內(nèi)以使至少當所述第一觸頭和所述第二觸頭(121,122)處于閉合位置并且中壓或高壓被施加到所述開關(guān)(10)上時,所述殼體(111)內(nèi)存在所述導(dǎo)體據(jù)以生成局部放電的壓力閾值。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的開關(guān),其中,所述導(dǎo)體(210,220,230)被設(shè)置在所述殼體(111)內(nèi)距開關(guān)元件預(yù)定距離處,至少當所述第一觸頭和所述第二觸頭(121,122)處于閉合位置時,當所述中壓或高壓被施加到所述開關(guān)(10)上時所述開關(guān)元件承受所述中壓或高壓。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的開關(guān)(10),其中,介電材料(211)設(shè)置在所述開關(guān)元件和所述導(dǎo)體之間,所述材料具有比真空的介電常數(shù)大的介電常數(shù)。

4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的開關(guān)(10),其中,所述開關(guān)元件是選自所述第一觸頭和所述第二觸頭(121,122)的觸頭。

5.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的開關(guān)(10),包括放置在所述殼體內(nèi)并且具有浮動的電位的、由導(dǎo)電材料制成的防護件(130),并且其中,所述防護件(130)為所述開關(guān)元件。

6.根據(jù)權(quán)利要求2至5中任一項所述的方法,其中,所述導(dǎo)體(210,220,230)包括至少一個漸縮部,所述至少一個漸縮部優(yōu)選地朝向所述開關(guān)元件逐漸變細。

7.一種中壓或高壓真空絕緣開關(guān)組件(1),所述組件(1)包括根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項所述的開關(guān)(10)和特高頻天線(31),所述特高頻天線被設(shè)置成使得所述殼體(111)內(nèi)生成的局部放電能夠被檢測到。

8.一種對根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項所述的中壓或高壓開關(guān)(10)進行測試的方法,包括以下步驟:

-將所述開關(guān)(10)連接到中壓或高壓;以及

-對表征所述殼體(111)內(nèi)大于所述壓力閾值的壓力的任何局部放電進行檢測。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的測試方法,包括提供特高頻天線(31)的在先步驟,所述特高頻天線(31)被設(shè)置成使得所述殼體(111)內(nèi)生成的局部放電能夠被檢測到,并且其中,對局部放電的存在進行檢測的步驟借助于所述特高頻天線(31)來實施。

10.開關(guān)(10)的制造方法,包括以下步驟:

-限定壓力閾值,

-提供導(dǎo)體(210,220,230),

-提供殼體(111)的至少一部分用以形成所述開關(guān)的殼體,

-將所述導(dǎo)體設(shè)置在所述殼體內(nèi),以使當形成開關(guān)時,當所述殼體內(nèi)的壓力達到壓力閾值、第一觸頭和第二觸頭處于閉合位置并且中壓或高壓被施加到所述開關(guān)上時,所述導(dǎo)體生成局部放電。

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