1.一種光照設備（100），包括：
波長轉(zhuǎn)換層（104），其包括配置成吸收能量以達到激發(fā)狀態(tài)并且發(fā)射第一波長的光的施體（114），以及配置成發(fā)射比所述第一波長更長的第二波長的光的受體（116）；
其中所述施體和所述受體選擇和布置在距彼此的一定距離處，使得發(fā)生從所述施體到所述受體的激發(fā)能量的非輻射轉(zhuǎn)移，從而使得所述受體在所述能量轉(zhuǎn)移之后在所述第二波長處發(fā)射光子；
所述光照設備進一步包括周期性等離子體天線陣列，其嵌入所述波長轉(zhuǎn)換層內(nèi)，并且包括布置在天線陣列平面中的多個單獨天線元件（108），所述等離子體天線陣列配置成在所述第二波長處支持第一晶格共振，其源自所述單獨天線元件中的局部表面等離子體共振向包括所述等離子體天線陣列和波長轉(zhuǎn)換層的系統(tǒng)所支持的光子模的耦合，其中所述等離子體天線陣列配置成包括等離子體共振模，使得從所述等離子體天線陣列發(fā)射的光具有各向異性的角分布。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光照設備，所述受體具有對應于所述第二波長的第一能級EA1和比所述第一能級高的第二能級EA2，并且所述施體具有與所述受體的所述第二能級EA2匹配的能級ED。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光照設備，其中施體濃度和受體濃度選擇成使得從所述施體到所述受體的激發(fā)能量的所述非輻射轉(zhuǎn)移具有高于0.9的效率。
4.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的光照設備，其中施體濃度和受體濃度之間的比率至少是1:1。
5.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的光照設備，其中施體濃度和受體濃度之間的比率在1:1至5:1的范圍中。
6.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的光照設備，其中所述施體和所述受體是選自包括稀土離子、染料分子和量子點的組的點發(fā)射體。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光照設備，其中所述施體是發(fā)射具有從500nm至580nm的波長的綠/黃光的染料分子或量子點。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光照設備，其中所述受體是發(fā)射具有從580nm至630nm的波長的紅光的染料分子或量子點。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光照設備，其中所述施體和/或所述受體是二萘嵌苯染料分子。
10.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的光照設備，其中施體濃度和受體濃度選擇成使得所述波長轉(zhuǎn)換層的消光系數(shù)和/或量子效率高于僅包括所述受體的波長轉(zhuǎn)換層的消光系數(shù)和/或量子效率。
11.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的光照設備，還包括配置成向所述施體提供能量使得所述施體達到所述激發(fā)狀態(tài)的能量源。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的光照設備，其中所述能量源是光子發(fā)射體、電子發(fā)射體、x-射線發(fā)射體、伽馬-射線發(fā)射體或電子-空穴對。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的光照設備，其中所述能量源是發(fā)光二極管或固態(tài)激光器。
14.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的光照設備，其中所述等離子體天線陣列配置成包括平面外非對稱的等離子體共振模。
15.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的光照設備，其中所述天線陣列包括多個截頭角錐體天線元件，其具有110nm至130nm范圍中的頂邊長、135nm至160nm范圍中的底邊長和100nm至160nm范圍中的高度，并且其中所述天線元件布置在具有大約400nm的晶格常數(shù)的正方形陣列中或者具有470nm的晶格常數(shù)的六邊形陣列中。