本發(fā)明涉及絕緣體上硅(Silicon-On-Insulator，以下簡(jiǎn)稱為SOI)晶圓的制造方法，特別是被稱為FDSOI(Fully Depleted Silicon-On-Insulator：全空乏SOI)，要求有極高SOI層膜厚的均一性的SOI晶圓的制造方法。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有技術(shù)中，作為將SOI層薄膜化的方法之一，進(jìn)行將SOI晶圓以批次式熱處理爐進(jìn)行熱處理，借由氧化SOI表面的Si而使變質(zhì)成氧化膜之后，去除氧化膜的方法。

借由此方法將SOI膜厚度(SOI層的膜厚度)高精度地薄膜化至目標(biāo)值(target值)，必須有正確的調(diào)控使氧化膜厚度達(dá)到目標(biāo)值。然而，由于氧化過(guò)程中的大氣壓的變動(dòng)會(huì)導(dǎo)致氧化率變化的緣故，實(shí)際上正確地調(diào)控經(jīng)熱處理成長(zhǎng)的氧化膜的厚度是件非常困難的事。因此，進(jìn)行借由氧化的薄膜化的情形下，會(huì)采取使薄膜化后的SOI膜厚度比目標(biāo)值稍微較厚而進(jìn)行氧化的薄膜化，之后再另外調(diào)控蝕刻時(shí)間而借由蝕刻(etching)的薄膜化以達(dá)到目標(biāo)值的方法。

作為這種兩階段薄膜化的方法，如專利文獻(xiàn)1所示，采取于去除氧化后的氧化膜之后測(cè)定SOI層的膜厚度，以該值為基礎(chǔ)，設(shè)定下個(gè)階段的蝕刻步驟的加工量的方法。

再者，于借由“氧化”加“蝕刻”的該兩階段薄膜化處理，作為縮短上述處理的方法，提出有：于氧化后氧化膜還在附著的狀態(tài)下測(cè)定SOI層的膜厚度，基于測(cè)定的SOI的值，以氧化膜去除與蝕刻+洗凈工程以洗凈的同一批處理進(jìn)行的方式(專利文獻(xiàn)2)。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

【專利文獻(xiàn)1】日本特開(kāi)2007-266059號(hào)公報(bào)。

【專利文獻(xiàn)2】日本特開(kāi)2010-92909號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

〔發(fā)明所欲解決的問(wèn)題〕

然而，即使是借由這些方法高精度地調(diào)控SOI層的膜厚度，依然會(huì)由于于批次式熱處理的熱處理過(guò)程中產(chǎn)生的氧化膜厚度的分散、蝕刻(批次式洗凈等的洗凈)所致的加工量分散(SOI層的蝕刻量的分散)而于同一批次內(nèi)處理的多個(gè)SOI晶圓的膜厚度中，產(chǎn)生分散(SOI膜厚度的分散)。

圖5顯示，對(duì)1批次25片的SOI晶圓，進(jìn)行以SC1洗凈液(氨水與過(guò)氧化氫溶液的混合水溶液)將SOI層的厚度減少14.5nm程度的批次式洗凈(蝕刻)時(shí)，該洗凈的卡匣內(nèi)的插槽位置與SOI層(Si)的加工量的面內(nèi)平均值的關(guān)系。批次內(nèi)的加工量分散以P-V(Peak to Valley)值(最大值減去最小值)為0.61nm。

圖6顯示，將1批次100片的SOI晶圓以批次式熱處理爐熱氧化時(shí)，爐內(nèi)位置與形成的氧化膜厚度(面內(nèi)平均值)的關(guān)系。

圖6所示的于批次式熱處理中發(fā)生的面內(nèi)平均值的膜厚度分散，如圖5所示，僅以批次式洗凈進(jìn)行蝕刻的情形下無(wú)法調(diào)控、修正，特別是，于FDSOI晶圓，高精度的膜厚度均一性。例如：SOI膜厚度的分散，全點(diǎn)(全晶圓的全測(cè)定點(diǎn))要求控制在目標(biāo)值±0.5nm以內(nèi)，僅以批次式洗凈無(wú)法滿足此要求。再者，因從氧化后至目標(biāo)值的調(diào)整加工量(借由蝕刻的加工量)，即最終階段的膜厚度的調(diào)整加工量為多，與目標(biāo)值的偏差也有變大的傾向。

另一方面，借由單片式的洗凈機(jī)(例如日本特開(kāi)2000-31071號(hào)公報(bào)的圖2的旋轉(zhuǎn)洗凈機(jī))調(diào)整SOI膜厚度，雖以晶圓單位能修正批次內(nèi)的膜厚度分散，因于藥液噴嘴部藥液的溫度變高，而比批次式洗凈機(jī)有較大的晶圓面內(nèi)的加工量分散；若僅以單片式洗凈(蝕刻)進(jìn)行膜厚度的調(diào)整，晶圓面內(nèi)的膜厚度范圍(Range(P-V值))惡化，無(wú)法使全測(cè)定點(diǎn)達(dá)到±0.5nm以下；再者，與僅以批次式洗凈機(jī)相同，自氧化后至目標(biāo)值的最終階段的膜厚度調(diào)整加工量有較多的情形，與目標(biāo)值的偏差有變大的傾向。

圖7顯示，將多片SOI晶圓，僅以批次式洗凈機(jī)與僅以單片式洗凈機(jī)進(jìn)行SC1洗凈，SC1加工量的面內(nèi)平均值與面內(nèi)加工量范圍(P-V值)的比較結(jié)果的示意圖。如圖7所示，相較于批次式洗凈機(jī)，單片式洗凈機(jī)的面內(nèi)的加工量范圍較大；并且，單片式洗凈機(jī)的加工量范圍有隨著SC1加工量的增加而增加的傾向。

本發(fā)明的目的為鑒于上述的問(wèn)題點(diǎn)，提供一種SOI晶圓的制造方法，能夠制造具有優(yōu)越均一性的SOI層的膜厚度的SOI晶圓。

〔解決問(wèn)題的技術(shù)手段〕

為達(dá)成上述的目的，本發(fā)明提供一種SOI晶圓的制造方法，將于絕緣層上形成SOI層的SOI晶圓的該SOI層減少至預(yù)定的厚度，使該SOI層的膜厚度達(dá)到目標(biāo)值，該SOI晶圓的制造方法至少包含下列步驟：

(a)在氧化性氣體氛圍下進(jìn)行熱處理，于該SOI層的表面形成熱氧化膜；

(b)測(cè)定該熱氧化膜形成后的SOI層的膜厚度；

(c)對(duì)該SOI層進(jìn)行批次(batch)式洗凈，該批次式洗凈包括將該SOI層浸泡于對(duì)于該SOI層具蝕刻性的洗凈液，借由因應(yīng)于該步驟(b)所測(cè)定的SOI層的膜厚度來(lái)調(diào)整該SOI層的蝕刻量，而將經(jīng)該批次式洗凈后的SOI層的膜厚度調(diào)整成比該目標(biāo)值較厚；

(d)測(cè)定經(jīng)該批次洗凈后的SOI層的膜厚度；以及

(e)對(duì)該SOI層進(jìn)行單片式洗凈，該單片式洗凈包括將該SOI層浸泡于對(duì)于該SOI層具蝕刻性的洗凈液，借由因應(yīng)于該步驟(d)所測(cè)定的SOI層的膜厚度來(lái)調(diào)整該SOI層的蝕刻量，而將經(jīng)該單片式洗凈后的SOI層的膜厚度調(diào)整成該目標(biāo)值，

其中，于該步驟(a)之后且于該步驟(b)之前，或于該步驟(b)之后且于該步驟(c)之前，去除在該步驟(a)所形成的熱氧化膜。

此SOI晶圓的制造方法，借由利用批次式洗凈與單片式洗凈調(diào)整SOI層的膜厚度，能夠抑制經(jīng)批次式洗凈的膜厚度調(diào)整的批次內(nèi)SOI膜厚分散，及經(jīng)單片式洗凈的膜厚度調(diào)整的面內(nèi)膜厚分散。借此制造有優(yōu)越均一性的SOI層的膜厚度的SOI晶圓。

再者，該步驟(b)的膜厚度的測(cè)定是未去除該步驟(a)所形成的熱氧化膜下進(jìn)行，于該步驟(b)之后且于該步驟(c)之前，在將該步驟(a)所形成的熱氧化膜用含有HF的水溶液以批次式洗凈去除后，以不使該經(jīng)去除熱氧化膜的SOI層的表面干燥而將該SOI層浸泡于對(duì)于該SOI層具蝕刻性的洗凈液之方式進(jìn)行該步驟(c)的批次式洗凈為佳。

此SOI晶圓的制造方法，即使縮短SOI層薄膜化程序也能高精度地進(jìn)行SOI層的膜厚度的調(diào)控，不使SOI層的膜厚度的精度下降并能使SOI層的薄膜化程序整體的成本降低。

再者，該SOI晶圓借由離子注入剝離法所制作為佳，該離子注入剝離法至少包括：將接合具有借由注入離子所形成的微小氣泡層的接合晶圓與作為支持基板的基底晶圓。

如此，本發(fā)明的SOI晶圓的制造方法，能夠適合使用于將進(jìn)行薄膜化的SOI晶圓借由離子注入剝離法制作SOI晶圓的情形。

再者，該批次式洗凈及該單片式洗凈，浸泡于SC1溶液者為佳。

如此，借由浸泡于SC1溶液中更能精確地調(diào)控SOI層的膜厚度。

再者，將該步驟(c)的批次式洗凈后的SOI層的膜厚度的批次內(nèi)平均值，調(diào)控在該目標(biāo)值與該目標(biāo)值+0.5nm之間為佳。

此SOI晶圓的制造方法，借由單片式洗凈使蝕刻的加工量最小化，將SOI膜厚度的面內(nèi)的膜厚度分散抑制在最小限度，并于單片式洗凈調(diào)整膜厚度，故得以修正經(jīng)批次式洗凈所產(chǎn)生的批次內(nèi)的膜厚度分散。

〔對(duì)照現(xiàn)有技術(shù)的功效〕

本發(fā)明的SOI晶圓的制造方法，借由單片式洗凈減低蝕刻的加工量，能將SOI膜厚度的面內(nèi)的膜厚度分散抑制在最小限度，并能以單片式洗凈調(diào)整膜厚度，故能修正經(jīng)批次式洗凈所產(chǎn)生的批次內(nèi)的膜厚度的分散。再者，借由于批次式洗凈后進(jìn)行單片式洗凈，而分段調(diào)整SOI層的膜厚度，能夠比現(xiàn)有的方法有較少的最終階段的膜厚度調(diào)整加工量。借此精確地調(diào)控達(dá)到目標(biāo)值的膜厚度。特別是，本發(fā)明能安定地制造須有高精度的膜厚度均一性(全點(diǎn)在目標(biāo)值±0.5nm以內(nèi))的FDSOI晶圓。

附圖說(shuō)明

圖1是顯示本發(fā)明的SOI晶圓的制造方法的一實(shí)施方式的流程圖。

圖2是顯示本發(fā)明的SOI晶圓的制造方法的另一實(shí)施方式的流程圖。

圖3是顯示實(shí)施例的洗凈卡匣內(nèi)的插槽位置與SOI層膜厚度值的關(guān)系的顯示圖。

圖4是顯示比較例1的洗凈卡匣內(nèi)的插槽位置與SOI層膜厚度值的關(guān)系的顯示圖。

圖5是顯示進(jìn)行批次式洗凈時(shí)，洗凈卡匣內(nèi)插槽位置與SOI層(Si)的加工量面內(nèi)平均值的關(guān)系的顯示圖。

圖6是顯示以批次式熱處理爐熱氧化一批次100片的晶圓時(shí)的爐內(nèi)位置與形成的氧化膜厚度(面內(nèi)平均值)的關(guān)系的顯示圖。

圖7是顯示僅以批次式洗凈機(jī)與僅以單片式洗凈機(jī)對(duì)復(fù)數(shù)片的SOI晶圓進(jìn)行SC1洗凈，比較SC1加工量的面內(nèi)平均值與面內(nèi)的加工量范圍(P-V值)的結(jié)果的顯示圖。

具體實(shí)施方式

以下對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更詳細(xì)地說(shuō)明。

如同上述，求取一種SOI晶圓的制造方法，能夠制造SOI層的膜厚度的均一性優(yōu)越的SOI晶圓。

本申請(qǐng)的發(fā)明人為達(dá)成上述目的努力進(jìn)行研究的結(jié)果，發(fā)現(xiàn)一種SOI晶圓的制造方法，將自熱處理形成熱氧化膜后的SOI晶圓，于批次式洗凈(例如：HF洗凈+SC1洗凈)將膜厚度調(diào)整成比目標(biāo)的SOI膜厚度(目標(biāo)值)稍厚(例如：目標(biāo)值+0～+0.5nm以下)后，更借由單片式洗凈的蝕刻將膜厚度調(diào)整成最終的目標(biāo)值，此方法能夠解決上述的問(wèn)題，而完成本發(fā)明。

以下關(guān)于本發(fā)明的實(shí)施例參考圖式進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明，而本發(fā)明則不限定于此。

圖1、2是顯示本發(fā)明的晶圓的制造方法的一實(shí)施方式的流程圖。

首先，如圖1(1)、圖2(1)所示，準(zhǔn)備于絕緣層上形成SOI層的SOI晶圓。

在此準(zhǔn)備的SOI晶圓可以是具有于絕緣層上形成SOI層的SOI構(gòu)造的晶圓。例如，具有于單晶硅等的支持層上形成絕緣層(埋入絕緣層)，于此埋入絕緣層上形成SOI層的構(gòu)造的晶圓。

另外，本說(shuō)明書(shū)中的SOI層為“絕緣層上的硅層(Silicon on Insulator)”之意。

雖未特別限定SOI晶圓的制作方法，例如，將準(zhǔn)備的SOI晶圓借由離子注入剝離法所制作成SOI晶圓者為佳。該離子注入剝離法包括：將具有借由注入離子所形成的微小器泡層的接合晶圓與作為支持基板的基底晶圓透過(guò)絕緣膜而相接合，以及以該為小氣泡層為邊界剝離接合晶圓而于基底晶圓上形成薄膜。

再者，本發(fā)明無(wú)論是上述的離子注入剝離法(也就是Smart法)與rT-CCP法(溫式機(jī)械剝離法，也被稱為SiGen法)，或是SIMOX法(Separation by Implanted Oxygen法)等的SOI晶圓的制造法皆能適用。

下一步，如圖1(2)、圖2(2)所示，以氧化性氣體氛圍下進(jìn)行熱處理，于SOI層的表面形成熱氧化膜(步驟(a))。此熱氧化膜經(jīng)SOI層靠近表面部分的硅氧化變質(zhì)成氧化膜。作為氧化性氣體氛圍例如Pyrogenic氛圍。

下一步，如圖1(3)、圖2(4)所示，測(cè)定熱氧化膜形成后的SOI層的膜厚度(步驟(b))。雖未特別限定SOI層厚度的測(cè)定方法，較佳地可利用橢圓偏光計(jì)(ellipsometer)的測(cè)定方法而可精確測(cè)定SOI層厚度。

本發(fā)明如圖2(3)所示，于該步驟(a)之后且于該步驟(b)之前，或者，如圖1(4)所示，于該步驟(b)之后且于該步驟(c)之前，去除在該步驟(a)所形成的熱氧化膜。熱氧化膜能利用含有HF的水溶液去除。

例如，如圖2(3)所示，可于步驟(b)前進(jìn)行熱氧化膜的去除洗凈。在此情形下，能于將熱氧化膜去除后的SOI晶圓干燥之后測(cè)定SOI層的膜厚度。

再者，如圖1所示，步驟(b)中，可在未去除步驟(a)所形成的熱氧化膜下進(jìn)行膜厚度的測(cè)定。借此，可保護(hù)測(cè)定時(shí)SOI層的表面，降低傷痕與不純物污染等的危險(xiǎn)性，最終可提升SOI晶圓的質(zhì)量及制造的產(chǎn)率。

再者，此時(shí)測(cè)定的SOI層的厚度不包含表面的熱氧化膜厚度。這情形下，可于步驟(b)之后且于該步驟(c)之前，將該步驟(a)所形成的熱氧化膜去除，特別如圖1(4)所示，利用含有HF的水溶液以批次式洗凈去除，可以將此熱氧化膜的去除與后述步驟(c)的SOI層的蝕刻作為連續(xù)的處理進(jìn)行。

下一步，如圖1(5)及圖2(5)所示，對(duì)SOI層進(jìn)行批次式洗凈(步驟(c))，批次式洗凈包括將SOI層浸泡于對(duì)于SOI層具蝕刻性的洗凈液，借由因應(yīng)于步驟(b)所測(cè)定的SOI層的膜厚度來(lái)調(diào)整SOI層的蝕刻量，而將經(jīng)批次式洗凈后的SOI層的膜厚度調(diào)整成比目標(biāo)值較厚。作為此調(diào)整的方法，可為調(diào)控蝕刻時(shí)間的方法、變更洗凈液的組成及溫度的條件的方法。

步驟(c)中，可將經(jīng)批次式洗凈后的SOI層的膜厚度調(diào)整成比目標(biāo)值較厚，例如，將步驟(c)的批次式洗凈后的SOI層的膜厚度的批次內(nèi)平均值，控制于目標(biāo)值與目標(biāo)值+0.5nm之間為佳。借此，可使經(jīng)后續(xù)步驟的單片式洗凈所致的蝕刻的加工量最小化，將SOI膜厚度的面內(nèi)膜厚度分散抑制在最小限度，并且單片式洗凈中可依每片調(diào)整膜厚度而修正批次內(nèi)的膜厚度分散。再者，比現(xiàn)有的方法有較少的最終階段的膜厚度調(diào)整加工量，能精確地調(diào)控達(dá)目標(biāo)值的膜厚度。此外，批次內(nèi)平均值是同一批次內(nèi)經(jīng)洗凈的多個(gè)SOI晶圓的SOI層的膜厚度的平均值。

作為對(duì)于該SOI層具蝕刻性的洗凈液，例如SC1溶液(氨水及過(guò)氧化氫溶液的混和水溶液)。

以上述顯示于圖1(4)的方法去除熱氧化膜的情形下，未使該經(jīng)去除熱氧化膜的SOI層的表面干燥而將該SOI層浸泡于對(duì)于該SOI層具蝕刻性的洗凈液之方式進(jìn)行該步驟(c)的批次式洗凈為佳。亦即，進(jìn)行熱氧化膜去除及SOI層蝕刻以連續(xù)的處理為佳。借此縮短全體SOI層薄膜化處理并可降低處理的成本。

下一步，如圖1(6)及圖2(6)所示，測(cè)定經(jīng)該批次洗凈后的SOI層的膜厚度(步驟(d))。SOI層的膜厚度的測(cè)定方法是利用橢圓偏光計(jì)(Ellipsometer)的測(cè)定方法。

下一步，如圖1(7)及圖2(7)所示，對(duì)該SOI層進(jìn)行單片式洗凈(步驟(e))，包括將SOI層浸泡于對(duì)于SOI層具蝕刻性的洗凈液。此步驟借由因應(yīng)于步驟(d)所測(cè)定的SOI層的膜厚度來(lái)調(diào)整該SOI層的蝕刻量，而將該單片式洗凈后的SOI層的膜厚度調(diào)整成目標(biāo)值。此調(diào)整方法可為調(diào)控蝕刻時(shí)間的方法及改變洗凈液的組成與溫度的條件的方法。特別是為了抑制于步驟(c)生成的批次內(nèi)的SOI膜厚度分散，依各SOI晶圓調(diào)控蝕刻時(shí)間為佳。

如同上述，利用SC1溶液作為洗凈液。步驟(c)的批次式洗凈及步驟(e)的單片式洗凈以包括浸泡于SC1溶液的洗凈，能夠進(jìn)行更良好精確度的SOI的膜厚度的調(diào)控。另外，實(shí)施這些洗凈時(shí)雖至少將SOI層浸泡于洗凈液就足夠，但也可浸泡晶圓整體。

如此一來(lái)，借由于進(jìn)行批次式洗凈之后進(jìn)行單片式洗凈，階段地調(diào)整SOI層的膜厚度，能夠減少單片式洗凈的膜厚度調(diào)整加工量。借此能夠有良好精確度地達(dá)到目標(biāo)值的膜厚度調(diào)控。

經(jīng)由如同以上步驟的SOI晶圓的制造方法，借由組合批次式洗凈與單片式洗凈，可調(diào)控且修正基于批次式熱處理中發(fā)生的氧化膜分散所產(chǎn)生的SOI層的面內(nèi)平均值的膜厚度分散。特別是進(jìn)行批次式洗凈后，借由進(jìn)行單片式洗凈，可減少經(jīng)單片式洗凈的SOI層的蝕刻量。借此，面內(nèi)的加工量分散變小，改善晶圓面內(nèi)的膜厚度范圍(P-V值)。本發(fā)明分別借由批次式洗凈的膜厚度調(diào)整與單片式洗凈的膜厚度調(diào)整，抑制批次內(nèi)的SOI膜厚度分散與面內(nèi)的膜厚度分散，特別是能安定地制造須有極高SOI層膜厚的均一性(全點(diǎn)在目標(biāo)值±0.5nm以內(nèi))的FDSOI晶圓。

實(shí)施例

以下借由實(shí)施例與比較例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更具體的說(shuō)明，而本發(fā)明則不限定于此實(shí)施例。

(實(shí)施例)

準(zhǔn)備46片借由離子注入剝離法制作的直徑300mm的SOI晶圓(SOI膜厚度150nm)，分別置入兩個(gè)批次式洗凈卡匣(卡匣-01、卡匣-02)并將實(shí)施的例子顯示于表1。

具體為，首先對(duì)上述的SOI晶圓，以950℃、2小時(shí)、Pyrogenic氛圍進(jìn)行熱處理，于SOI層的表面形成熱氧化膜(步驟(a))。之后使用橢圓偏光計(jì)測(cè)定形成熱氧化膜后的SOI層的膜厚度(步驟(b))。此時(shí)，與測(cè)定SOI膜厚度同時(shí)測(cè)定表面氧化膜厚度。之后利用含有15％HF的水溶液進(jìn)行批次式洗凈100秒，去除此熱氧化膜后不將SOI層的表面干燥，而進(jìn)行將SOI層浸漬于SC1溶液的批次式洗凈，將SOI層的膜厚度調(diào)整成較目標(biāo)值厚(步驟(c))。此時(shí)，SC1條件(組成，液溫)為NH₄OH：H₂O₂：H₂O＝1：1：5，液溫76℃。另外，考慮步驟(b)測(cè)定的SOI層的膜厚度，洗凈時(shí)間為140秒。

之后使用橢圓偏光計(jì)測(cè)定批次式洗凈步驟后的SOI層的膜厚度(步驟(d))。此時(shí)也計(jì)算批次內(nèi)的SOI膜厚度的平均值。之后進(jìn)行將SOI層浸漬于SC1溶液的單片式洗凈(借由旋轉(zhuǎn)洗凈機(jī)的SC1洗凈)，將SOI層的膜厚度調(diào)整成目標(biāo)值(步驟(e))。SC1條件(組成，液溫)與上述條件相同。另外，考慮步驟(d)測(cè)定的SOI層的膜厚度，洗凈時(shí)間依照各個(gè)SOI晶圓分別為20～60秒。

(比較例1)

比較例1是僅以批次式洗凈機(jī)進(jìn)行氧化后的氧化膜去除及膜厚度調(diào)整洗凈。于比較例1中的氧化膜去除洗凈及批次式膜厚度調(diào)整洗凈，同時(shí)將22片已熱氧化處理的晶圓做為一批次置入同一個(gè)卡匣(卡匣-01)并進(jìn)行批處理。之后利用含有15％HF的水溶液進(jìn)行批次式洗凈100秒，并于去除熱氧化膜后不將SOI層的表面干燥，將SOI層浸漬于SC1溶液且進(jìn)行批次式洗凈180秒。SC1條件(組成，液溫)與實(shí)施例的條件相同。

(比較例2)

再者，比較例2是僅以單片式洗凈進(jìn)行氧化后的氧化膜去除及膜厚度調(diào)整洗凈。具體為，首先與實(shí)施例相同進(jìn)行至步驟(b)。之后去除SiO₂(熱氧化膜)。之后將SOI層浸漬于SC1溶液，依各個(gè)SOI晶圓分別以160～200秒進(jìn)行單片式洗凈(借由旋轉(zhuǎn)洗凈機(jī)的SC1洗凈)。SC1條件(組成，液溫)與實(shí)施例的條件相同。

表1顯示實(shí)施例及比較例的各步驟的條件與測(cè)定結(jié)果。另外，表1的批次內(nèi)范圍顯示批次內(nèi)各晶圓的面內(nèi)平均膜厚度的分散(P-V值)。再者，圖3是顯示實(shí)施例的洗凈卡匣內(nèi)的插槽位置與SOI層膜厚度值的關(guān)系顯示圖。圖4是顯示比較例1的洗凈卡匣內(nèi)的插槽位置與SOI層膜厚度值的關(guān)系顯示圖。

表1

如表1及圖4所示，僅以批次式洗凈機(jī)做膜厚度調(diào)整的情況(比較例1)下，批次內(nèi)平均值亦比實(shí)施例較差，再者因無(wú)法修正批次內(nèi)的膜厚度分散，超過(guò)目標(biāo)值±0.5nm的膜厚度的晶圓的比例比實(shí)施例大許多。

再者，如表1所示，僅以單片式洗凈機(jī)做膜厚度調(diào)整的情況(比較例2)下，批次內(nèi)平均值亦比實(shí)施例較差，再者因面內(nèi)的膜厚度的惡化，全部的晶圓皆超過(guò)目標(biāo)值±0.5nm的膜厚度。

另一方面，如表1及圖3所示，組合批次式洗凈及單片式洗凈的本實(shí)施例中，能夠有良好精確度地調(diào)整各晶圓的平均值至目標(biāo)值(12nm)，再者亦能夠借由單片式洗凈機(jī)而抑制面內(nèi)的膜厚度分散的惡化，故近乎全數(shù)的晶圓(96％)滿足目標(biāo)值±0.5nm的條件。

另外，本發(fā)明不限定于上述的實(shí)施例。上述實(shí)施例為示例，凡擁有和記載于申請(qǐng)專利范圍內(nèi)相同的技術(shù)思想與實(shí)質(zhì)上同樣的構(gòu)成，產(chǎn)生相同的作用效果者，不論為何物皆包含在本發(fā)明的技術(shù)范圍內(nèi)。