1.一種形成發(fā)光器件的方法，所述方法包括：
在襯底上形成緩沖層；
在所述緩沖層上形成p型覆層；
在所述p型覆層上形成電子阻擋層；
在所述電子阻擋層上形成有源層；并且
在所述有源層上形成n型覆層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述襯底是c-面襯底。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中所述緩沖層包括涂覆在所述襯底上的成核層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的方法，其中所述緩沖層包括無意摻雜的氮化鎵層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的方法，
其中所述p型覆層包括p型摻雜氮化鎵層、p型摻雜氮化鋁鎵層、p型摻雜氮化銦鎵層或p型摻雜氮化鋁鎵銦層；
其中所述電子阻擋層包括p型摻雜氮化鋁鎵層；
其中所述n型覆層包括n型摻雜氮化鎵層、n型摻雜氮化鋁鎵層、n型摻雜氮化銦鎵層或n型摻雜氮化鋁鎵銦層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的方法，其中，形成所述有源層包括形成夾在量子勢壘層之間的一個或多個量子阱層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，
其中所述一個或多個量子阱層包括氮化銦鎵，
其中所述量子勢壘層包括氮化鎵。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，
其中所述量子阱層包括在0％至100％的范圍內(nèi)的銦成分。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項所述的方法，進一步包括：
在所述n型覆層上形成金屬接觸層；
在所述金屬接觸層上形成光反射層；并且
在所述光反射層上形成種子金屬層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，進一步包括：
將金屬襯底附接在所述種子金屬層上。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至10中任一項所述的方法，進一步包括：
通過UV激光剝離以去除襯底。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，進一步包括：
通過干法刻蝕去除保持附著到p型覆層的緩沖層，以便暴露p型覆層。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，進一步包括：
將金屬接觸層附接到暴露的p型覆層。
14.根據(jù)權(quán)利要求1至13中任一項所述的方法，其中
使用金屬有機化學氣相沉積或分子束外延形成所述緩沖層、所述p型覆層、所述電子阻擋層、所述有源層和所述n型覆層中的一個或多個。
15.一種形成發(fā)光器件的方法，所述方法包括：
在襯底上形成緩沖層；
在所述緩沖層上形成n型覆層；
在所述n型覆層上形成有源層；
在所述有源層上形成極性反轉(zhuǎn)層；
在所述極性反轉(zhuǎn)層上形成電子阻擋層；并且
在所述電子阻擋層上形成p型覆層。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中所述襯底是c-面襯底。
17.根據(jù)權(quán)利要求15或16所述的方法，其中所述極性反轉(zhuǎn)層包括氮化鎂。
18.根據(jù)權(quán)利要求15至17中任一項所述的方法，其中所述極性反轉(zhuǎn)層形成為具有在1nm至2nm范圍內(nèi)的厚度。
19.根據(jù)權(quán)利要求15至18中任一項所述的方法，其中所述緩沖層包括涂覆在所述襯底上的成核層。
20.根據(jù)權(quán)利要求15至19中任一項所述的方法，其中所述緩沖層包括無意摻雜的氮化鎵層。
21.根據(jù)權(quán)利要求15至20中任一項所述的方法，
其中所述n型覆層包括n型摻雜氮化鎵層、n型摻雜氮化鋁鎵層、n型摻雜氮化銦鎵層或n型摻雜氮化鋁鎵銦層；
其中所述電子阻擋層包括p型摻雜氮化鋁鎵層；
其中所述p型覆層包括p型摻雜氮化鎵層、p型摻雜氮化鋁鎵層、p型摻雜氮化銦鎵層或p型摻雜氮化鋁鎵銦層。
22.根據(jù)權(quán)利要求15至21中任一項所述的方法，其中形成所述有源層包括形成夾在量子勢壘層之間的一個或多個量子阱層。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，
其中所述一個或多個量子阱層包括氮化銦鎵，
其中所述量子勢壘層包括氮化鎵。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其中所述量子阱層包括在0％至100％范圍內(nèi)的銦成分。
25.根據(jù)權(quán)利要求15至24中任一項所述的方法，進一步包括：
在所述p型覆層上形成金屬接觸層。
26.根據(jù)權(quán)利要求15至25中任一項所述的方法，進一步包括：
通過UV激光剝離以去除襯底。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的方法，進一步包括：
通過干法刻蝕去除保持附著到n型覆層的緩沖層，以便暴露n型覆層。
28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，進一步包括：
將金屬接觸層附接到暴露的n型覆層。
29.根據(jù)權(quán)利要求15至28中任一項所述的方法，其中
使用金屬有機化學氣相沉積或分子束外延來形成緩沖層、n型覆層、有源層、極性反轉(zhuǎn)層、電子阻擋層和p型覆層中的一個或多個。
30.一種發(fā)光器件，包括：
有源層，該有源層具有第一表面和與所述第一表面相對的第二表面；
形成在所述有源層的第一表面上的n型覆層；
形成在所述有源層的第二表面上極性反轉(zhuǎn)層；
形成在所述極性反轉(zhuǎn)層上并與所述有源層相對的電子阻擋層；和
形成在電子阻擋層上并與極性反轉(zhuǎn)層相對的p型覆層。
31.根據(jù)權(quán)利要求30所述的發(fā)光器件，其中所述極性反轉(zhuǎn)層包括氮化鎂。
32.根據(jù)權(quán)利要求31或32所述的發(fā)光器件，其中所述極性反轉(zhuǎn)層具有在1nm至2nm范圍內(nèi)的厚度。
33.一種形成發(fā)光器件的方法，所述方法包括：
在負c-面襯底上形成緩沖層；
在所述緩沖層上形成n型覆層；
在所述n型覆層上形成有源層；
在所述有源層上形成電子阻擋層；并且
在所述電子阻擋層上形成p型覆層。
34.根據(jù)權(quán)利要求33所述的方法，其中所述緩沖層包括涂覆在所述襯底上的成核層。
35.根據(jù)權(quán)利要求33或34所述的方法，其中所述緩沖層包括無意摻雜的氮化鎵層。
36.根據(jù)權(quán)利要求33至35中任一項所述的方法，
其中所述n型覆層包括n型摻雜氮化鎵層、n型摻雜氮化鋁鎵層、n型摻雜氮化銦鎵層或n型摻雜氮化鋁鎵銦層；
其中所述電子阻擋層包括p型摻雜氮化鋁鎵層；
其中所述p型覆層包括p型摻雜氮化鎵層、p型摻雜氮化鋁鎵層、p型摻雜氮化銦鎵層或p型摻雜氮化鋁鎵銦層。
37.根據(jù)權(quán)利要求33至36中任一項所述的方法，其中形成所述有源層包括形成夾在量子勢壘層之間的一個或多個量子阱層。
38.根據(jù)權(quán)利要求37所述的方法，
其中所述一個或多個量子阱層包括氮化銦鎵，
其中所述量子勢壘層包括氮化鎵。
39.根據(jù)權(quán)利要求38所述的方法，
其中所述量子阱層包括在0％至100％的范圍內(nèi)的銦成分。
40.根據(jù)權(quán)利要求33至39中任一項所述的方法，進一步包括：
在所述p型覆層上形成金屬接觸層。
41.根據(jù)權(quán)利要求33至40中任一項所述的方法，進一步包括：
通過UV激光剝離以去除襯底。
42.根據(jù)權(quán)利要求41所述的方法，進一步包括：
通過干法刻蝕去除保持附著到n型覆層的緩沖層，以便暴露n型覆層。
43.根據(jù)權(quán)利要求42所述的方法，進一步包括：
將金屬接觸層附接到暴露的n型覆層。
44.根據(jù)權(quán)利要求33至43中任一項所述的方法，其中
使用金屬有機化學氣相沉積或分子束外延來形成緩沖層、n型覆層、有源層、電子阻擋層和p型覆層中的一個或多個。