本發(fā)明涉及集成電路(IC)卡領(lǐng)域，并且更具體地涉及一種用于IC卡并且在觸點(diǎn)具有填料熱匹配以便減小鍵合接線應(yīng)力的集成電路(IC)模塊。

背景技術(shù)：

IC卡是通常大約正常信用卡大小并且具有嵌入式集成電路(IC)裸片的袖珍卡。該卡通常由軟塑料制成。IC模塊固持住IC裸片并且IC模塊固定在IC卡的表面上。IC裸片包括存儲(chǔ)器和微處理器并且當(dāng)IC卡被插入讀卡器中時(shí)具有連接到讀卡器的多個(gè)電觸點(diǎn)。鍵合接線與IC裸片上對應(yīng)的鍵合焊盤相連接。用于IC卡的IC模塊在其表面上通常包括八個(gè)金屬焊盤或觸點(diǎn)并且每個(gè)焊盤或觸點(diǎn)按照國際標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)，包括例如VCC(電源電壓)、RST(用來使IC卡的微處理器復(fù)位)、CLK(時(shí)鐘信號)、GND(接地)、VPP(編程或?qū)戨妷?、以及I/O(串行輸入/輸出線)。IC卡具有隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)和只讀存儲(chǔ)器(ROM)電路，使用串行接口并且從外部源(例如，讀卡器)接收功率。RAM用作計(jì)算和輸入/輸出通信的臨時(shí)存儲(chǔ)設(shè)備，而ROM包括程序存儲(chǔ)器和芯片操作系統(tǒng)(COS)的指令，通常是“掩模”。

當(dāng)IC卡被插入到讀卡器中時(shí)，金屬焊盤或觸點(diǎn)與讀卡器接觸并且與讀卡器中的金屬銷相連接，從而允許卡和讀卡器進(jìn)行通信。當(dāng)IC卡插入到讀卡器中時(shí)，它們被復(fù)位，從而引起IC卡以發(fā)送“復(fù)位應(yīng)答”(ATR)消息來進(jìn)行響應(yīng)，該消息通知讀卡器控制事務(wù)的通信和處理。

IC裸片通常位于電介質(zhì)支撐層上方并且包括多個(gè)開口。鍵合接線從IC裸片上的對應(yīng)的鍵合焊盤延伸穿過電介質(zhì)支撐層中的相鄰開口到達(dá)相應(yīng)的觸點(diǎn)。鍵合接線通過鍵合焊盤上的“球式”鍵合和通過“針腳式”鍵合(又被稱為楔形鍵合)穿過電介質(zhì)支撐層中的相鄰開口連接至相應(yīng)的觸點(diǎn)。針腳式鍵合通常是使用超聲接線鍵合工藝將細(xì)鍵合接線焊接至電鍍引線框柱或“指狀物”上。針腳式鍵合可以包括接線到下面的鍵合表面的壓縮或超聲鍵合區(qū)域。

模具化合物本體通常位于電介質(zhì)支撐層上方并且包圍IC裸片。模具化合物本體通常由具有與電介質(zhì)支撐層的CTE相比較更低的熱膨脹系數(shù)(CTE)的材料形成，如環(huán)氧化物填充物，在一個(gè)示例中，該電介質(zhì)支撐層由又被稱為帶(tape)的E-玻璃材料形成。兩個(gè)基本上不同的CTE引起的熱失配會(huì)在電介質(zhì)支撐層上方的模具化合物與形成在接觸層處的觸點(diǎn)之間產(chǎn)生高應(yīng)力和在IC裸片上產(chǎn)生額外應(yīng)力，這些高應(yīng)力引起脫層和產(chǎn)生的鍵合接線到觸點(diǎn)的針腳式鍵合牽拉和故障。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

一種用于IC卡的集成電路(IC)模塊包括接觸層，該接觸層具有處于并排關(guān)系的多個(gè)IC卡觸點(diǎn)。電介質(zhì)支撐層位于該接觸層上方并且具有在該電介質(zhì)支撐層中的多個(gè)開口。該電介質(zhì)支撐層具有第一熱膨脹系數(shù)(CTE)。IC裸片位于該電介質(zhì)支撐層上方并且包括在該IC裸片的上表面上的多個(gè)鍵合焊盤。包括多條鍵合接線，并且每條鍵合接線從對應(yīng)的鍵合焊盤延伸穿過該電介質(zhì)支撐層中的相鄰開口到達(dá)相應(yīng)的觸點(diǎn)。對應(yīng)的填料本體在該電介質(zhì)支撐層中的每個(gè)開口之內(nèi)。每個(gè)填料本體具有第二CTE。模具化合物本體位于該電介質(zhì)支撐層、這些填料本體上方并且包圍該IC裸片。該模具化合物本體具有第三CTE。第一CTE與接近于第三CTE相比更接近于第二CTE。

第一CTE可以在60至200PPM/℃的范圍內(nèi)。第二CTE可以 在70至200PPM/℃的范圍內(nèi)。第三CTE可以在3至50PPM/℃的范圍內(nèi)。

在實(shí)施例中，每個(gè)填料本體可以將對應(yīng)的開口填充至與該電介質(zhì)支撐層的相鄰部分齊平的水平。該電介質(zhì)支撐層可以具有從該模具化合物本體的相鄰部分橫向地向外延伸的多個(gè)周邊部分。該電介質(zhì)支撐層可以包括E-玻璃。該接觸層可以包括銅，并且該模具化合物可以包括環(huán)氧化物。第一粘合層可以位于該接觸層與該電介質(zhì)支撐層之間，并且第二粘合層可以位于該電介質(zhì)支撐層與該IC裸片之間。

又另一個(gè)方面針對一種用于制作IC卡的集成電路(IC)模塊的方法。該方法可以包括：形成接觸層，該接觸層具有處于并排關(guān)系的多個(gè)IC卡觸點(diǎn)，并且在該接觸層上方形成電介質(zhì)支撐層，該電介質(zhì)支撐層具有在其中的多個(gè)開口，該電介質(zhì)支撐層具有第一熱膨脹系數(shù)(CTE)。該方法可以包括對IC裸片進(jìn)行定位，該IC裸片位于該電介質(zhì)支撐層上方并且包括在該IC裸片的上表面上的多個(gè)鍵合焊盤。該方法可以進(jìn)一步包括將多條鍵合接線耦接至這些IC卡觸點(diǎn)，每條鍵合接線從對應(yīng)的鍵合焊盤延伸穿過該電介質(zhì)支撐層中的相鄰開口到達(dá)相應(yīng)的觸點(diǎn)。該方法還可以包括形成對應(yīng)的填料本體，該對應(yīng)的填料本體在該電介質(zhì)支撐層中的每個(gè)開口之內(nèi)，每個(gè)填料本體具有第二CTE。該方法還可以包括形成模具化合物本體，該模具化合物本體位于該電介質(zhì)支撐層、這些填料本體上方并且包圍該IC裸片。該模具化合物本體具有第三CTE。第一CTE可以與接近于第三CTE相比更接近于第二CTE。

附圖說明

圖1是IC卡的透視圖，示出了現(xiàn)有技術(shù)IC卡本體承載的集成電路(IC)模塊。

圖2是IC模塊的平面圖，示出了現(xiàn)有技術(shù)中以并排關(guān)系安排的IC卡觸點(diǎn)的配置。

圖3是現(xiàn)有技術(shù)IC卡的一部分的截面圖，該部分沒有填料并且示出了從IC裸片上的鍵合焊盤延伸穿過電介質(zhì)支撐層中的相鄰開口并且連接至IC卡觸點(diǎn)上的鍵合接線。

圖4是與圖3相似的截面圖，但根據(jù)本發(fā)明示出了電介質(zhì)支撐層中的每個(gè)開口之內(nèi)的填料本體，該填料本體與電介質(zhì)支撐層的熱膨脹系數(shù)更匹配以減少IC卡觸點(diǎn)處的應(yīng)力。

圖5是現(xiàn)有技術(shù)中IC模塊的一部分的局部透視圖，該部分沒有填料并且示出了接觸層和電介質(zhì)支撐層和形成接線鍵合窩(pot)的開口，這些鍵合接線延伸到這些接線鍵合窩中以連接至對應(yīng)的IC卡觸點(diǎn)。

圖6是現(xiàn)有技術(shù)中當(dāng)模具化合物本體延伸穿過開口到達(dá)接觸層時(shí)場應(yīng)力結(jié)果的第一模擬，并且示出了模具化合物本體和接觸層處的高剝離應(yīng)力。

圖7是根據(jù)本發(fā)明依據(jù)非限制性示例當(dāng)對應(yīng)的填料本體在電介質(zhì)支撐層中的每個(gè)開口之內(nèi)延伸時(shí)場應(yīng)力結(jié)果的第二模擬，并且示出了減小的剝離應(yīng)力。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在將參照附圖在下文中更為全面地描述本發(fā)明，在附圖中示出了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。然而，本發(fā)明可以用許多不同的形式體現(xiàn)，并且不應(yīng)當(dāng)被解釋為受到在此所列出的實(shí)施例的限制。相反，提供這些實(shí)施例以便本披露將是徹底和完整的，并且將向本領(lǐng)域技術(shù)人員充分地傳達(dá)本發(fā)明的范圍。貫穿全文相同的數(shù)字指代相同的元件。

圖1中示出了IC卡(或芯片卡)10并且該卡包括如以下更詳細(xì)解釋的IC卡本體12和由該IC卡本體承載并且具有形成在接觸層18處的多個(gè)IC卡觸點(diǎn)16的集成電路(IC)14。在本示例中，IC卡10是大約常規(guī)信用卡大小的袖珍卡并且包括作為IC模塊14的一部分的嵌入式集成電路裸片。IC卡本體12通常由軟塑料材料制成，如 聚氯乙烯、基于聚對苯二甲酸乙二醇酯的聚酯、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯(ABS)或聚碳酸酯。IC卡本體12還可以由不同的卡層形成，這些卡層用高應(yīng)力印刷和層壓，接著是沖裁或裸片切割并且然后嵌入IC裸片。

圖2中示出了IC模塊14的接觸層18，其中以并排關(guān)系形成了多個(gè)IC卡觸點(diǎn)16。圖2中所示的IC卡觸點(diǎn)16還與被稱為IC卡引腳并且按照國際標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)的八個(gè)金屬焊盤相對應(yīng)。例如，作為觸點(diǎn)C1的VCC用于電源電壓。觸點(diǎn)C2與用于使IC卡的微處理器復(fù)位和使卡通信復(fù)位的復(fù)位信號的RST觸點(diǎn)相對應(yīng)。觸點(diǎn)C3是與從其中導(dǎo)出數(shù)據(jù)通信定時(shí)的時(shí)鐘信號相對應(yīng)的CLK觸點(diǎn)。觸點(diǎn)C5與作為參考電壓的接地(GND)相對應(yīng)。觸點(diǎn)C6是與寫電壓相對應(yīng)的VPP。

例如，ISO/IEC 7816-3標(biāo)準(zhǔn)指定編程電壓和到程序持久存儲(chǔ)器(如EEPROM)的更高電壓的輸入?？商娲兀琁SO/IEC 7816-3:2006標(biāo)準(zhǔn)指定用于或者標(biāo)準(zhǔn)用途或者專有用途的SPU作為輸入端和/或輸出端。觸點(diǎn)C7與作為串行輸入/輸出線并且通常是半雙工輸出端的I/O相對應(yīng)。其余的觸點(diǎn)C4和C8是作為AUX1和AUX2的輔助觸點(diǎn)并且可以用于USB接口和其他輔助用途。

如圖1和圖2中所示的IC卡通常包括隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)和只讀存儲(chǔ)器(ROM)并且采用串行接口。在大多數(shù)示例中，它們從外部源(例如，讀卡器)接收功率。RAM用作計(jì)算和輸入/輸出通信的臨時(shí)存儲(chǔ)設(shè)備，而ROM包括程序存儲(chǔ)器和芯片操作系統(tǒng)(COS)的指令，大多數(shù)情況下作為“掩?！?。某些IC卡可以具有8-位對稱密鑰(基于文件)EEPROM以及使用數(shù)學(xué)協(xié)處理器加密的8、16和32-位公開密鑰。IC卡操作系統(tǒng)或芯片操作系統(tǒng)可以包括固定文件結(jié)構(gòu)或具有不同的加密能力(如對稱密鑰或非對稱密鑰(公開密鑰))的動(dòng)態(tài)應(yīng)用系統(tǒng)。某些卡具有高達(dá)八千字節(jié)的RAM和346千字節(jié)的ROM和256千字節(jié)的可編程ROM以及16-位微處理器。這些值可以取決于卡設(shè)計(jì)而變化。

通常，如圖2中所示的形成這多個(gè)IC卡觸點(diǎn)16的接觸層18具有大約一平方厘米(0.16平方英寸)的接觸面積作為形成在銅接觸層上方的八個(gè)鍍金接觸焊盤。如圖1中所示的IC卡10的矩形尺寸通常與常規(guī)信用卡的那些矩形尺寸相似。例如，ISO/IEO 7810標(biāo)準(zhǔn)的ID-1將IC卡限定在大于85.60×53.98毫米(3.370英寸×2.125英寸)。IC卡10的另一個(gè)普遍尺寸是ID-000，其標(biāo)稱為大約25×15毫米(0.984英寸×0.591英寸)并且常用于SIM卡中。通常，IC卡大約0.76毫米(0.030英寸)厚。這些值當(dāng)然可以取決于IC卡設(shè)計(jì)要求而變化。通常，存在防篡改安全系統(tǒng)(如安全密碼處理器)和安全文件系統(tǒng)。

當(dāng)IC卡10被插入到讀卡器中時(shí)，金屬焊盤(即，IC卡觸點(diǎn)16)與讀卡器接觸并且與讀卡器中的金屬銷相連接，從而允許卡和讀卡器進(jìn)行通信。當(dāng)IC卡10插入到讀卡器中時(shí)，該卡被復(fù)位，從而引起IC卡以發(fā)送“復(fù)位應(yīng)答”(ATR)消息來進(jìn)行響應(yīng)，該消息通知讀卡器控制事務(wù)的通信和處理。

圖3是與圖1和圖2中所示的IC卡類似的常規(guī)IC卡10的局部截面圖，并且示出了IC卡本體12和該本體所承載的IC模塊14。IC模塊14包括前述形成處于并排關(guān)系的多個(gè)IC卡觸點(diǎn)16的接觸層18。接觸層18通常由銅形成，但可以使用其他導(dǎo)電材料。經(jīng)常，薄金箔層附接至銅上以形成每個(gè)IC卡觸點(diǎn)16的外表面。

電介質(zhì)支撐層20位于接觸層18上方并且包括如展示的多個(gè)開口22。這些開口22經(jīng)常被本領(lǐng)域的技術(shù)人員稱為接線鍵合窩。圖5中示出了作為開口22的接線鍵合窩的示例，該圖在本示例中展示了六個(gè)開口用于六個(gè)觸點(diǎn)C1-C3和C5-C7，而沒有示出如圖2中所示的輔助觸點(diǎn)C4和C8。在電介質(zhì)支撐層20下方展示了接觸層18，并且IC裸片24定位在該電介質(zhì)支撐層上方。在本示例中，電介質(zhì)支撐層20由E-玻璃形成，在許多示例中，該玻璃是堿性氧化物小于1％至2％w/w的硼硅酸鋁玻璃。該玻璃因?yàn)槠涑跏茧姎鈶?yīng)用而被認(rèn)為是“E”型玻璃并且基本上是無堿的，盡管其可能在某種程度上易 受到氯離子侵蝕。E-玻璃不熔化，但變軟。因?yàn)橥ǔＥcIC模塊14一起使用的E-玻璃類型，其具有低至大約60PPM/℃到高達(dá)大約200PPM/℃的熱膨脹系數(shù)(CTE)。

第一粘合層26(如環(huán)氧化物粘合劑，作為非限制性示例)位于接觸層18與電介質(zhì)支撐層20之間以將接觸層18粘附于該電介質(zhì)支撐層上。電介質(zhì)支撐層20還被稱為“帶”，因?yàn)槠浣?jīng)常作為薄片應(yīng)用，與帶類似。IC裸片24位于電介質(zhì)支撐層20上方，并且第二粘合層28(如環(huán)氧化物層)位于電介質(zhì)支撐層20與IC裸片24之間并且將該IC裸片粘附于該電介質(zhì)支撐層上。如所展示的，IC裸片24在上表面32上包括多個(gè)鍵合焊盤30。展示了該多條鍵合接線34，并且每條鍵合接線從對應(yīng)的鍵合焊盤30延伸穿過電介質(zhì)支撐層20中的相鄰開口22到達(dá)相應(yīng)的觸點(diǎn)16。通常，鍵合接線34通過到鍵合焊盤30上的“球式”鍵合36和通過“針腳式”鍵合38(又被稱為楔形鍵合)穿過電介質(zhì)支撐層20中的相鄰開口22連接至相應(yīng)的IC卡觸點(diǎn)16。針腳式鍵合38通常是使用超聲接線鍵合工藝將細(xì)鍵合接線焊接至電鍍引線框柱或“指狀物”上并且可以包括接線到下面的鍵合表面的壓縮或超聲鍵合區(qū)域。

球式鍵合工藝通常包括由金、銅或鈀制成的并且直徑通常從15-50um的鍵合接線。實(shí)際直徑將取決于接線長度、器件功率和接線環(huán)路高度以及特定于IC卡設(shè)計(jì)的其他因素。接線鍵合工藝對位于IC裸片24的上表面上的鍵合焊盤30使用球式鍵合工藝并且需要首先在鍵合接線的一端形成球并且然后將所形成的那個(gè)球焊接到鍵合焊盤30上。鍵合接線34橫跨IC裸片24的頂部結(jié)環(huán)并且進(jìn)入電介質(zhì)支撐層20中的相鄰開口22中。針腳式鍵合工藝將鍵合接線34鍵合至相應(yīng)的IC卡觸點(diǎn)16上。針腳式鍵合38通常具有與鍵合接線的直徑相關(guān)的特殊針腳寬度，并且在一個(gè)示例中，典型的最小要求鍵合面積測量針對15um接線直徑大約是90×90um，并且針對50um接線直徑大約是300×300um，并且針對25um接線直徑大約是150×150um。

如圖3中所示，模具化合物本體50位于電介質(zhì)支撐層20上方并且包圍IC裸片24并且形成IC模塊14。通常，模具化合物本體50由環(huán)氧化物形成并且可以包括非熔化無機(jī)材料的填充物和加速固化反應(yīng)的催化劑。最終的模具材料還可以包括顏料或著色劑并且包括阻燃劑、助粘劑、離子阱和應(yīng)力減輕劑。環(huán)氧化物模具化合物本體中許多包括熔融石英。這些不同組成部分(包括填充物)被選擇為減少模具化合物的熱膨脹系數(shù)(CTE)并且最小化或減小內(nèi)部應(yīng)力。增加填充物填載(如熔融石英)通常減小CTE，因?yàn)槿廴谑⒌腃TE是環(huán)氧化物的大約10％。因?yàn)樵黾犹畛湮锖靠赡芙档湍＞呋衔锊牧系牧鲃?dòng)和模量，環(huán)氧化物可以包括多種配方來通過降低聚合物熔化粘性來保持流動(dòng)和模量。環(huán)氧化物和填充物含量可以基于所期望的芯片設(shè)計(jì)、封裝設(shè)計(jì)、模具工藝、測試要求和配方來選擇。模具化合物本體中的形成IC裸片的封料的某些模具化合物本體基于甲酚醛環(huán)氧化物與酚醛環(huán)氧化物的反應(yīng)。環(huán)氧化物將使許多高張力合成表面變濕并且形成到金屬氧化物的強(qiáng)力、穩(wěn)定鍵合。這種類型的模具化合物本體50不僅良好地粘附于IC裸片24上，而且還良好地粘附于由E-玻璃形成的電介質(zhì)支撐層20上和由銅形成的接觸層18上。模具化合物主體50可以具有通常低于大約50PPM/℃的熱膨脹系數(shù)，并且因此范圍可以從大約3或5PPM/℃到高達(dá)大約50PPM/℃。電介質(zhì)支撐層20通常具有比模具化合物主體50大得多的熱膨脹系數(shù)，并且模具化合物本體與IC卡觸點(diǎn)16之間在電介質(zhì)支撐層處在開口22中可能發(fā)生脫層。因?yàn)槟＞邚?fù)合物本體50與電介質(zhì)支撐層20之間在如圖3中的豎直箭頭A所示的Z方向上存在熱失配，所以針腳式鍵合可能削弱。

如所展示的，電介質(zhì)支撐層20具有從模具化合物本體50的相鄰部分橫向地向外延伸的多個(gè)周邊部分52。這些部分52幫助將IC模塊14定位和支撐在例如圖5中所示形成在IC卡本體12中的IC卡模塊接納區(qū)域54中。為了幫助相對于IC卡本體12保持IC模塊14，熱熔性粘合劑56可以被定位在從模具化合物本體50的相鄰部 分橫向地向外延伸的周邊部分52與IC卡本體12之間?？梢允褂闷渌牧?，但已經(jīng)發(fā)現(xiàn)熱熔性粘合劑是有利的。

為了減輕模具化合物本體與形成在接觸層處的IC卡觸點(diǎn)之間的應(yīng)力，根據(jù)非限制性實(shí)施例，對應(yīng)的填料本體位于電介質(zhì)支撐層中的每個(gè)開口中以幫助減輕如圖4中所展示的這些應(yīng)力。填料本體將對應(yīng)的開口填充至與電介質(zhì)支撐層的相鄰部分齊平的水平。為了描述目的，賦予圖4中所展示的IC卡多個(gè)100系列的參考數(shù)字，其中那些常見元件具有與圖3中引用的較低數(shù)字系列相同的100系列。

圖4中所展示的，根據(jù)填料的非限制性示例，IC卡110包括IC卡本體112和由其承載的IC模塊114，并且該IC模塊包括多個(gè)觸點(diǎn)116和接觸層118以及具有多個(gè)開口122的電介質(zhì)支撐層120，這些開口形成被稱為接線鍵合窩的事物。IC裸片124位于電介質(zhì)支撐層120上方并且在其上表面上132上包括多個(gè)IC鍵合焊盤130，其中鍵合接線134從對應(yīng)的鍵合焊盤延伸穿過電介質(zhì)支撐層120中的相鄰開口122到達(dá)相應(yīng)的IC卡觸點(diǎn)116。對應(yīng)的填料本體在160進(jìn)行了展示，位于電介質(zhì)支撐層120中的每個(gè)開口122內(nèi)。每個(gè)填料本體160具有大約70到大約200的第二CTE。此CTE與電介質(zhì)支撐層120(具有大約60至200PPM/℃的CTE)的第一CTE類似或者與接近于模具化合物150的第三CTE相比更接近于該第一CTE，如以上解釋的，該第三CTE通常要低得多(例如，3到50PPM/℃)。模具化合物150位于電介質(zhì)支撐層120和填料本體160上方并且包圍IC裸片124，并且此模具化合物150具有第三CTE。第一CTE與接近于第三CTE相比更接近于第二CTE。在從模具化合物本體150的相鄰部分橫向地向外延伸的周邊部分152與IC卡本體122之間還包括第一粘合層126和第二粘合層128以及熱熔性粘合劑156。

位于電介質(zhì)支撐層120中的每個(gè)開口122內(nèi)的對應(yīng)的填料本體160可以由具有不同填充物的粘合劑形成，以產(chǎn)生更接近于該電介質(zhì)支撐層的熱膨脹系數(shù)并且可以具有類似范圍的熱膨脹系數(shù)。例如，該熱膨脹系數(shù)范圍可以從大約70到大約200。結(jié)果是，觸點(diǎn)116處 的應(yīng)力更低，同時(shí)還減小裸片應(yīng)力，因?yàn)殒I合接線134可以不受牽拉，從而允許IC模塊114的和還有相對于IC卡110的更大的穩(wěn)定性。

圖5是圖3的一部分的透視圖，示出了接觸層18和電介質(zhì)支撐層20并且展示了電介質(zhì)支撐層中的形成接線鍵合窩并且形成圖3的示例中的模具化合物本體50與接觸層18之間的接口的多個(gè)開口22，其中每個(gè)開口之內(nèi)沒有填料而僅有模具化合物本體。

圖6和圖7展示了現(xiàn)有技術(shù)的模擬結(jié)果，其中圖6中的結(jié)果與當(dāng)模具化合物本體50包封IC裸片24并且延伸進(jìn)入形成接線鍵合窩的電介質(zhì)支撐層開口22中時(shí)相對應(yīng)。這些結(jié)果示出了接觸層18中的IC卡觸點(diǎn)16的周邊邊緣上的高剝離應(yīng)力16.5MPa。圖7示出了根據(jù)本發(fā)明當(dāng)填料本體160在圖4中的每個(gè)開口122內(nèi)延伸時(shí)的模擬結(jié)果，并且示出了在開口中使用填料代替模具化合物本體時(shí)僅4.6MPa的減小應(yīng)力。為了說明目的，不同應(yīng)力被標(biāo)記為從最低-4.153 A直至最高16.475MPa I并且示出了應(yīng)力區(qū)域。

另一方面涉及一種可以包括IC卡本體和由其承載的IC卡集成電路(IC)模塊的IC卡。又另一個(gè)方面針對一種用于制作IC卡的集成電路(IC)模塊的方法。該方法可以包括：形成接觸層，該接觸層具有處于并排關(guān)系的多個(gè)IC卡觸點(diǎn)，并且在該接觸層上方形成電介質(zhì)支撐層，該電介質(zhì)支撐層具有在其中的多個(gè)開口，該電介質(zhì)支撐層具有第一熱膨脹系數(shù)(CTE)。該方法可以包括對IC裸片進(jìn)行定位，該IC裸片位于該電介質(zhì)支撐層上方并且包括在該IC裸的上表面上的多個(gè)鍵合焊盤。該方法可以進(jìn)一步包括將多條鍵合接線耦接至這些IC卡觸點(diǎn)，每條鍵合接線從對應(yīng)的鍵合焊盤延伸穿過該電介質(zhì)支撐層中的相鄰開口到達(dá)相應(yīng)的觸點(diǎn)。該方法還可以包括在該電介質(zhì)支撐層中的每個(gè)開口之內(nèi)形成對應(yīng)的填料本體，每個(gè)填料本體具有第二CTE。該方法還可以包括形成位于該電介質(zhì)支撐層、這些填料本體上方并且包圍該IC的模具化合物本體。該模具化合物本體具有第三CTE。第一CTE可以與接近于第三CTE相比更接近于 第二CTE。

本發(fā)明的許多修改和其他實(shí)施例對于受益于前面的描述和附圖中呈現(xiàn)的教導(dǎo)的本領(lǐng)域技術(shù)人員來說將是顯而易見的。因此，應(yīng)當(dāng)理解本發(fā)明不限于所披露的具體實(shí)施例，并且那些修改及實(shí)施例旨在被包括于所附權(quán)利要求書的范圍內(nèi)。