1.一種具有特殊耐壓環(huán)的高壓功率器件，包括工作區(qū)(1)和終端區(qū)(2)；所述工作區(qū)(1)和終端區(qū)(2)的襯底(3)上表面設(shè)有外延層(4)；其特征在于：所述終端區(qū)(2)自所述外延層(4)的上表面向下開設(shè)有耐壓環(huán)溝槽(21)；所述耐壓環(huán)溝槽(21)的深度小于所述外延層(4)的厚度，其內(nèi)部填充有輕摻雜的P型GaN材料且填充后的所述P型GaN材料的上表面與所述外延層(4)的上表面平齊；同時(shí)，所述耐壓環(huán)溝槽(21)內(nèi)填充的所述P型GaN材料上表面還覆蓋有一層邊緣鈍化層(5)。
2.如權(quán)利要求1所述的具有特殊耐壓環(huán)的高壓功率器件，其特征在于：所述邊緣鈍化層(5)采用的是SiN介電層。
3.如權(quán)利要求1所述的具有特殊耐壓環(huán)的高壓功率器件，其特征在于：所述耐壓環(huán)溝槽(21)是通過(guò)光刻刻蝕工藝開設(shè)于所述終端區(qū)(2)的外延層(4)。
4.如權(quán)利要求1所述的具有特殊耐壓環(huán)的高壓功率器件，其特征在于：所述高壓功率器件包括絕緣柵雙極型晶體管IGBT、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOSFET和快恢復(fù)二極管FRD。
5.如權(quán)利要求1至4任一所述的具有特殊耐壓環(huán)的高壓功率器件，其特征在于：所述高壓功率器件的中部區(qū)域?yàn)楣ぷ鲄^(qū)(1)，位于所述工作區(qū)(1)周圍的區(qū)域?yàn)樗鼋K端區(qū)(2)。