1.一種GaN增強(qiáng)型遂穿HEMT，其特征在于包括主要由第一半導(dǎo)體和第二半導(dǎo)體組成的異質(zhì)結(jié)構(gòu)以及源、漏、柵電極，所述第二半導(dǎo)體形成于第一半導(dǎo)體表面，并具有寬于第一半導(dǎo)體的帶隙，所述源、漏電極經(jīng)形成于所述異質(zhì)結(jié)構(gòu)內(nèi)的二維電子氣電連接，所述柵電極設(shè)置于源電極和漏電極之間，所述源電極與第二半導(dǎo)體之間形成肖特基接觸，所述漏電極與二維電子氣形成歐姆接觸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN增強(qiáng)型遂穿HEMT，其特征在于所述柵電極與第二半導(dǎo)體之間還分布有柵介質(zhì)層，且所述柵電極與柵介質(zhì)層之間形成肖特基接觸。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的GaN增強(qiáng)型遂穿HEMT，其特征在于：
所述柵介質(zhì)層的材料包括SiO2、Al2O3和氮化硅中的任一種或兩種以上的組合；
優(yōu)選的，所述柵介質(zhì)層的厚度為20nm-100nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的GaN增強(qiáng)型遂穿HEMT，其特征在于，當(dāng)柵電極電壓小于或等于0，而漏電極電壓大于設(shè)定電壓時(shí)，漏電極與源電極形成反向的肖特基結(jié)構(gòu)，所述HEMT處于關(guān)斷狀態(tài)，而當(dāng)柵電極電壓大于閾值電壓時(shí)，因量子遂穿效應(yīng)形成導(dǎo)電通道使所述HEMT處于開啟狀態(tài)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的GaN增強(qiáng)型遂穿HEMT，其特征在于所述柵電極與源電極在水平方向上的距離大于或等于0，在垂直方向上的高度差大于0。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的GaN增強(qiáng)型遂穿HEMT，其特征在于：所述第一半導(dǎo)體的材料選自GaN；和/或，所述第二半導(dǎo)體的材料選自AlxGa(1-x)N(0＜x≤1)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的GaN增強(qiáng)型遂穿HEMT，其特征在于所述源電極下端直接與第二半導(dǎo)體表面接觸或穿入第二半導(dǎo)體。
8.一種通過(guò)自對(duì)準(zhǔn)實(shí)現(xiàn)GaN增強(qiáng)型遂穿HEMT的方法，其特征在于包括：
在襯底上生長(zhǎng)形成主要由第一半導(dǎo)體和第二半導(dǎo)體組成的異質(zhì)結(jié)構(gòu)，其中所述第二半導(dǎo)體形成于第一半導(dǎo)體表面，并具有寬于第一半導(dǎo)體的帶隙；
在第二半導(dǎo)體上生長(zhǎng)形成柵介質(zhì)層，
刻蝕除去與漏電極對(duì)應(yīng)區(qū)域的柵介質(zhì)層，并制作漏電極，且使漏電極與形成于異質(zhì)結(jié)構(gòu) 中的二維電子氣形成歐姆接觸；
采用自對(duì)準(zhǔn)工藝進(jìn)行柵、源電極的制作，使源電極和柵電極分別與第二半導(dǎo)體和柵介質(zhì)層形成肖特基接觸。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于包括：
在完成漏電極的制作后，于柵介質(zhì)層上沉積柵電極材料，且使柵電極材料與柵介質(zhì)層形成肖特基接觸，
在柵電極材料上方設(shè)置掩膜，并利用所述掩膜至少對(duì)與源電極對(duì)應(yīng)區(qū)域的柵介質(zhì)層或柵介質(zhì)層及柵電極材料進(jìn)行刻蝕，直至到達(dá)第二半導(dǎo)體層表面或第二半導(dǎo)體層的設(shè)定深度處，之后再利用所述掩膜沉積源電極材料而制作形成源電極，實(shí)現(xiàn)源電極和柵電極的自對(duì)準(zhǔn)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于包括：在完成漏電極的制作后，于所形成的器件上設(shè)置圖形化掩膜，并利用所述圖形化掩膜沉積柵電極材料，且使柵電極材料與柵介質(zhì)層形成肖特基接觸。