技術(shù)特征：

1.一種鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在于，包括：

提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底具有P型區(qū)域和N型區(qū)域，所述P型區(qū)域的半導(dǎo)體襯底表面具有第一鰭部和橫跨第一鰭部的第一柵極結(jié)構(gòu)，所述第一柵極結(jié)構(gòu)覆蓋部分第一鰭部的頂部表面和側(cè)壁，所述N型區(qū)域的半導(dǎo)體襯底表面具有第二鰭部和橫跨第二鰭部的第二柵極結(jié)構(gòu)，所述第二柵極結(jié)構(gòu)覆蓋部分第二鰭部的頂部表面和側(cè)壁；

對(duì)第一柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的第一鰭部進(jìn)行第一輕摻雜注入，形成第一輕摻雜區(qū)；

對(duì)第二柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的第二鰭部進(jìn)行第二輕摻雜注入，形成第二輕摻雜區(qū)；

在第一柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)側(cè)壁表面形成第一側(cè)墻，第一側(cè)墻覆蓋部分第一輕摻雜區(qū)；

在第一柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的第一鰭部表面形成第一源漏區(qū)，第一源漏區(qū)緊鄰第一側(cè)墻的側(cè)壁；

形成第一源漏區(qū)后，在第二柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)側(cè)壁表面形成第二側(cè)墻，第二側(cè)墻覆蓋部分第二輕摻雜區(qū)，第二側(cè)墻的厚度小于第一側(cè)墻的厚度；

在第二柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的第二鰭部表面形成第二源漏區(qū)，第二源漏區(qū)緊鄰第二側(cè)墻的側(cè)壁；

對(duì)第二輕摻雜區(qū)進(jìn)行修復(fù)處理。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在于，形成所述第一側(cè)墻的方法包括：形成覆蓋P型區(qū)域和N型區(qū)域的第一側(cè)墻材料層；形成覆蓋N型區(qū)域的第一阻擋層，所述第一阻擋層位于N型區(qū)域的第一側(cè)墻材料層表面；以第一阻擋層為掩膜刻蝕P型區(qū)域的第一側(cè)墻材料層，在P型區(qū)域的第一柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)形成第一側(cè)墻。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在于，第一側(cè)墻材料層的材料為氮化硅；第一阻擋層的材料為光刻膠。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在于，形成第一源漏區(qū)的方法包括：以第一阻擋層為掩膜刻蝕去除第一柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的部分第一鰭部，使得第一鰭部的高度降低；去除第一阻擋層；在刻蝕后 的第一鰭部表面外延生長(zhǎng)第一源漏區(qū)材料層；對(duì)第一源漏區(qū)材料層摻雜第一離子。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在于，在外延生長(zhǎng)所述第一源漏區(qū)材料層的同時(shí)原位摻雜第一離子。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在于，形成所述第二側(cè)墻的方法為：去除N型區(qū)域的第一側(cè)墻材料層；形成覆蓋P型區(qū)域和N型區(qū)域的第二側(cè)墻材料層；形成覆蓋P型區(qū)域的第三阻擋層，第三阻擋層位于P型區(qū)域的第二側(cè)墻材料層的表面；以第三阻擋層為掩膜刻蝕N型區(qū)域的第二側(cè)墻材料層，在N型區(qū)域的第二柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)形成第二側(cè)墻。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在于，去除N型區(qū)域的第一側(cè)墻材料層的方法為：形成覆蓋P型區(qū)域的第二阻擋層；以第二阻擋層為掩膜，采用干法刻蝕去除第一側(cè)墻材料層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在于，采用干法刻蝕去除第一側(cè)墻材料層的具體工藝參數(shù)為：采用的氣體包括CH₃F和O₂，CH₃F的流量為50sccm～400sccm，O₂的流量為5sccm～50sccm，射頻源功率為100瓦～600瓦，偏置電壓100V～600V，刻蝕腔室壓強(qiáng)為40mtorr～200mtorr。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在于，第二阻擋層的材料為光刻膠。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在于，還包括：去除第一側(cè)墻材料層后，去除第二阻擋層。

11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在于，采用各向異性干法刻蝕工藝刻蝕N型區(qū)域的第二側(cè)墻材料層，形成第二側(cè)墻，具體的工藝參數(shù)為：采用的氣體包括CH₃F和O₂，CH₃F的流量為50sccm～400sccm，O₂的流量為5sccm～50sccm，射頻源功率為100瓦～600瓦，偏置電壓100V～600V，刻蝕腔室壓強(qiáng)為40mtorr～200mtorr。

12.根據(jù)權(quán)利要求6所述的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在于，所述 第二側(cè)墻材料層的材料為氮化硅；所述第三阻擋層的材料為光刻膠。

13.根據(jù)權(quán)利要求6所述的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在于，形成第二源漏區(qū)的方法包括：以第三阻擋層為掩膜刻蝕去除第二柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的部分第二鰭部，使得第二鰭部的高度降低；去除第三阻擋層；在刻蝕后的第二鰭部表面外延生長(zhǎng)第二源漏區(qū)材料層；對(duì)第二源漏區(qū)材料層摻雜第二離子。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在于，在外延生長(zhǎng)所述第二源漏區(qū)材料層的同時(shí)原位摻雜第二離子。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在于，所述第一側(cè)墻的厚度為20nm～35nm。

16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在于，所述第二側(cè)墻的厚度為10nm～20nm。

17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在于，所述第一側(cè)墻的材料為氮化硅；所述第二側(cè)墻的材料為氮化硅。

18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在于，所述第一輕摻雜注入采用的離子為BF₂，注入能量范圍為2KeV～8KeV，注入劑量范圍為5E13atom/cm²～5E15atom/cm²，注入角度為0度～20度。

19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在于，所述第二輕摻雜注入采用的離子為As，注入能量范圍為2KeV～10KeV，注入劑量范圍為5E13atom/cm²～5E15atom/cm²，注入角度為0度～20度。

20.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在于，所述修復(fù)處理為尖峰退火處理，退火溫度為950攝氏度～1050攝氏度，采用的氣體為N₂。