本發(fā)明涉及一種具有柵極結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體元件及其制作方法，尤其是涉及一種在形成心軸圖案之前先形成暴露出基底的切割溝槽的制作具有柵極結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體元件的方法以及其所制作出的半導(dǎo)體元件。

背景技術(shù)：

近年來，隨著晶體管元件尺寸持續(xù)地縮小，現(xiàn)有平面(planar)晶體管元件的發(fā)展已面臨制作工藝上的極限。為了克服制作工藝限制，以非平面(non-planar)的晶體管元件，例如鰭狀場效晶體管(fin field effect transistor，F(xiàn)in FET)元件來取代平面晶體管元件已成為目前的主流發(fā)展趨勢。

由于鰭狀場效晶體管元件的制作工藝能與傳統(tǒng)的邏輯元件制作工藝整合，因此具有相當(dāng)?shù)闹谱鞴に囅嗳菪?。更重要的是，由于鰭狀場效晶體管元件的立體結(jié)構(gòu)可增加?xùn)艠O與硅基底的鰭狀結(jié)構(gòu)的接觸面積，因此，可進(jìn)一步增加?xùn)艠O對于載流子通道區(qū)域的控制，從而在同樣的柵極長度下會具有更寬的通道寬度，以獲得更多的漏極電流。

盡管鰭狀場效晶體管元件可在尺寸縮小的情況下獲得較多的漏極電流，但現(xiàn)有鰭狀場效晶體管元件仍然存在一些缺陷。舉例來說，鰭狀場效晶體管元件的絕緣結(jié)構(gòu)也會影響著整個鰭狀場效電極體元件可容納晶體管的數(shù)量。因此如何改良現(xiàn)有鰭狀場效晶體管制作工藝即為現(xiàn)今一重要課題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的之一在于提供一種具有柵極結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體元件以及其制作方法，以降低電極體之間的絕緣結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明的一實施例提供一種具有柵極結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體元件的制作方法。首先，提供一基底、一硬掩模層與一心軸(mandrel)層，其中基底、硬掩模層與心軸層依序堆疊。然后，在心軸層與硬掩模層內(nèi)形成一切割溝槽，使切割溝 槽貫穿心軸層與硬掩模層并暴露出基底。接著，圖案化心軸層，以形成多個心軸圖案，且通過切割溝槽移除基底的一部分，以于基底上形成一第一凹槽。隨后，在心軸圖案的側(cè)壁與第一凹槽的側(cè)壁上形成一間隙壁。接下來，移除心軸層。之后，以間隙壁為一掩模進(jìn)行一蝕刻制作工藝，以于第一凹槽下形成一第二凹槽，其中第一凹槽與第二凹槽形成一臺階結(jié)構(gòu)。隨后，移除間隙壁。接著，在第二凹槽內(nèi)形成一第一絕緣結(jié)構(gòu)，并于第一絕緣結(jié)構(gòu)上形成一柵極結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明的另一實施例提供一種具有柵極結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體元件，包括一基底、一第一絕緣結(jié)構(gòu)以及一柵極結(jié)構(gòu)。基底包括至少兩鰭狀結(jié)構(gòu)，突出于基底的上表面，基底具有一第一凹槽與位于第一凹槽下的一第二凹槽，且第一凹槽與第二凹槽位于鰭狀結(jié)構(gòu)之間，其中第一凹槽的寬度大于第二凹槽的寬度，且第一凹槽與第二凹槽形成一臺階結(jié)構(gòu)。第一絕緣結(jié)構(gòu)填充于第二凹槽內(nèi)。柵極結(jié)構(gòu)設(shè)置于第一絕緣結(jié)構(gòu)上，其中柵極結(jié)構(gòu)與第一絕緣結(jié)構(gòu)填滿第一凹槽與第二凹槽。

本發(fā)明的另一實施例提供一種具有柵極結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體元件的制作方法。首先，形成一基底，包括至少兩鰭狀結(jié)構(gòu)，突出于基底的上表面，基底具有一第一凹槽與位于第一凹槽下的一第二凹槽，且第一凹槽與第二凹槽位于鰭狀結(jié)構(gòu)之間，其中第一凹槽的寬度大于第二凹槽的寬度，且第一凹槽與第二凹槽形成一臺階結(jié)構(gòu)。然后，在第二凹槽內(nèi)形成一第一絕緣結(jié)構(gòu)。接著，在第一絕緣結(jié)構(gòu)上形成一柵極結(jié)構(gòu)，其中柵極結(jié)構(gòu)與第一絕緣結(jié)構(gòu)填滿第一凹槽與第二凹槽。

在本發(fā)明的半導(dǎo)體元件的制作方法中，由于切割溝槽形成于形成心軸圖案的步驟之前，因此第一間隙壁部可形成于第一凹槽的側(cè)壁。如此一來，所形成的第二凹槽的寬度可小于第一凹槽的寬度，使得形成于第二凹槽內(nèi)的第一絕緣結(jié)構(gòu)的寬度可隨之縮小。由此，位于第一絕緣結(jié)構(gòu)兩側(cè)的晶體管可具有較小的間距，進(jìn)而可提升半導(dǎo)體元件的晶體管的密集度。

附圖說明

圖1到圖18為本發(fā)明第一實施例形成具有柵極結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體元件的方法示意圖；

圖19為本發(fā)明第二實施例形成具有柵極結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體元件的方法示意 圖。

主要元件符號說明

100、200 半導(dǎo)體元件 102 基底

102a 第一凹槽 102b 第二凹槽

102c 第三凹槽 102d 第四凹槽

102e 第五凹槽 104 硬掩模層

104a、104c 氧化硅層 104b 氮化硅層

106 心軸層 106a 心軸圖案

108 切割溝槽 110、130 間隙壁

110a 第一間隙壁部 110b 第二間隙壁部

112 圖案化突出物 112a 第一突出部

112b 第二突出部 114 鰭狀結(jié)構(gòu)

114a 鰭狀部 114b 連接部

116 第一光致抗蝕劑圖案 116a 第一條狀開口

118 第二光致抗蝕劑圖案 118a 第二條狀開口

120、202 第一絕緣結(jié)構(gòu) 122 第二絕緣結(jié)構(gòu)

124 襯墊層 126 柵極

128 柵極介電層 132 第一柵極結(jié)構(gòu)

134 第二柵極結(jié)構(gòu) D1 第一方向

D2 第二方向

具體實施方式

為使熟悉本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的一般技術(shù)者能更進(jìn)一步了解本發(fā)明，下文特列舉本發(fā)明的數(shù)個優(yōu)選實施例，并配合所附的附圖，詳細(xì)說明本發(fā)明的構(gòu)成內(nèi)容及所欲達(dá)成的功效。

請參照圖1到圖18，繪示了本發(fā)明第一實施例形成具有柵極結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體元件的方法示意圖，其中圖2繪示了沿著圖1的剖視線A-A’的剖視示意圖，圖4與圖5分別繪示了沿著圖3的剖視線B-B’與剖視線C-C’的剖視示意圖，圖7與圖8分別繪示了沿著圖6的剖視線D-D’與剖視線E-E’的剖視示意圖，圖10與圖11分別繪示了沿著圖9的剖視線F-F’與剖視線G-G’的剖視示意圖，圖17與圖18分別繪示了沿著圖16的剖視線H-H’與剖視線I-I’ 的剖視示意圖。如圖1與圖2所示，首先，提供一基底102?；?02可例如是一硅基底、一含硅基底或一硅覆絕緣(silicon-on-insulator，SOI)基底等半導(dǎo)體基底，但本發(fā)明不限于此。然后，在基底102上依序沉積一硬掩模層104以及一心軸(mandrel)層106，使硬掩模層104與心軸層106依序堆疊于基底100上。在本實施例中，硬掩模層104用于在圖案化心軸層106與形成間隙壁時遮蔽其下方的基底102，以免于蝕刻，其可例如為單層或多層結(jié)構(gòu)。舉例來說，硬掩模層104可包括由氧化硅(silicon oxide)層104a、一氮化硅(silicon nitride)層104b以及一氧化硅層104c依序堆疊所組成的多層結(jié)構(gòu)，但不限于此。另外，心軸層106可例如為一多晶硅層或一非晶硅層等含硅膜層，使得心軸層106與硬掩模層104相對應(yīng)特定蝕刻制作工藝可具有一定的蝕刻選擇比，但本發(fā)明不限于此。接著，進(jìn)行一第一光刻制作工藝以及一第一蝕刻制作工藝，以于心軸層106與硬掩模層104內(nèi)形成一切割溝槽108，使切割溝槽108貫穿心軸層106與硬掩模層104，并暴露出基底102。其中，心軸層106包括兩心軸區(qū)塊，位于切割溝槽108的兩側(cè)。在本實施例中，第一蝕刻制作工藝對硅、氧化硅與氮化硅都可具有蝕刻能力，因此可于第一蝕刻制作工藝中同時移除一部分的心軸層104與一部分的硬掩模層106，但本發(fā)明并不以此為限。在另一實施態(tài)樣中，第一蝕刻制作工藝可包括依序進(jìn)行兩蝕刻步驟，以依序蝕刻心軸層與硬掩模層，以形成切割溝槽?；蛘?，第一蝕刻制作工藝可包括進(jìn)行多道蝕刻步驟，以蝕刻心軸層以及位于心軸層與基底之間的不同材料層。此外，本實施例的切割溝槽108沿著一第一方向D1延伸，但不限于此。

如圖3到圖5所示，在形成切割溝槽108之后，圖案化心軸層106的心軸區(qū)塊，以形成多個心軸圖案106a。由于切割溝槽108暴露出基底102，因此在圖案化心軸層106時，也會移除暴露出的基底102的一部分，以于暴露出的基底102上形成一第一凹槽102a，使第一凹槽102a的底部低于基底102的上表面。由于圖案化心軸層106的步驟不會蝕刻硬掩模層104，因此對應(yīng)心軸區(qū)塊且未被心軸圖案106a遮蔽的硬掩模層104會被暴露出。在本實施例中，心軸圖案106a為條狀圖案，并從切割溝槽108的兩側(cè)沿著第二方向D2延伸，但本發(fā)明不限于此。此外，本實施例圖案化心軸層106的步驟可僅利用一第二光刻制作工藝以及一第二蝕刻制作工藝，但本發(fā)明不限于此。在另一實施態(tài)樣中，圖案化心軸層的步驟也可利用一雙重曝光(double patterning)或多重曝光(multiple patterning)制作工藝，并且以顯影-顯影-蝕刻(photolithography-photolithography-etch，2P1E)或是顯影-蝕刻-顯影-蝕刻(photolithography-etch-photolithography-etch，2P2E)的操作方式進(jìn)行，但不以此為限。

接著，沉積一間隙壁材料層，以覆蓋心軸圖案106a、暴露出的硬掩模層104以及暴露出的基底102。隨后，全面性進(jìn)行一第一回蝕刻制作工藝，移除位于心軸圖案106a上的間隙壁材料層，以于心軸圖案106a的側(cè)壁與第一凹槽102a的側(cè)壁上形成一間隙壁110。其中，間隙壁110的寬度小于心軸圖案106a于第一方向D1上的寬度，優(yōu)選地間隙壁110的寬度小于光刻機(jī)臺可達(dá)到的最小寬度。在本實施例中，間隙壁110可區(qū)分為一第一間隙壁部110a以及多個第二間隙壁部110b。第一間隙壁部110a設(shè)置于第一凹槽102a的側(cè)壁與心軸圖案106a面對第一凹槽102a的側(cè)壁上。各第二間隙壁部110b設(shè)置于各心軸圖案106a的其他側(cè)壁上。值得一提的是，由于切割溝槽108形成于形成心軸圖案106a的步驟之前，因此可于形成間隙壁110之前先形成第一凹槽102a，使得第一間隙壁部110a可形成于第一凹槽102a的側(cè)壁。

如圖6到圖8所示，接下來，移除心軸層106。然后，以間隙壁110作為掩模進(jìn)行一第三蝕刻制作工藝，以于第一凹槽102a下形成一第二凹槽102b，并將間隙壁110的圖案轉(zhuǎn)移到基底102，進(jìn)而形成一圖案化突出物112。其中，圖案化突出物112的圖案約略具有間隙壁110的圖案，因此圖案化突出物112包括對應(yīng)第一間隙壁部110a的一第一突出部112a以及分別對應(yīng)第二間隙壁部110b的多個第二突出部112b。具體來說，位于第一凹槽102a的底部且未被第一間隙壁部110a遮蔽的基底102會被移除，以形成第二凹槽102b，且同時，未被第二間隙壁部110b與第一間隙壁部110a遮蔽的硬掩模層104與基底102也會被移除，而形成一第三凹槽102c以及多個第四凹槽102d，使基底102具有第二凹槽102b、第三凹槽102c與第四凹槽102d。其中，第一突出部112a圍繞第二凹槽102b，各第二突出部112b與第一突出部112a的一部分圍繞出各第四凹槽102d，且第三凹槽102c圍繞圖案化突出物112。由于第一凹槽102a的底部在進(jìn)行第三蝕刻制作工藝之前低于第一凹槽102a外的基底102的上表面，因此通過第三蝕刻制作工藝所形成第三凹槽102c的深度或第四凹槽102d的深度會小于第二凹槽102b的深度與第一凹槽的深度的總和。

在本實施例中，第三蝕刻制作工藝對硅、氧化硅與氮化硅都可具有蝕刻能力，因此可于第三蝕刻制作工藝中同時移除一部分的硬掩模層104與一部分的基底102，但本發(fā)明并不以此為限。在另一實施態(tài)樣中，第三蝕刻制作工藝可包括依序進(jìn)行兩蝕刻步驟，以依序蝕刻硬掩模層與基底?；蛘?，第三蝕刻制作工藝可包括進(jìn)行多道蝕刻步驟，以蝕刻硬掩模層與基底。

值得一提的是，由于第一間隙壁部110a在進(jìn)行第三蝕刻制作工藝之前設(shè)置于第一凹槽102a的側(cè)壁上，因此位于第一間隙壁部110a下方的基底102并不會被移除，使得所形成的第二凹槽102b的寬度小于第一凹槽102a的寬度。因此，第二凹槽102b的底部與側(cè)壁以及第一凹槽102a的底部可形成一臺階結(jié)構(gòu)。再者，由于第一間隙壁部110a的外側(cè)設(shè)置有部分硬掩模層104與部分基底102，因此本實施例在進(jìn)行第三蝕刻制作工藝時可通過控制蝕刻的條件，例如：蝕刻時間或蝕刻速度，在第一間隙壁部110a的外側(cè)側(cè)壁上留下一部分的基底102，且優(yōu)選地，可另留下一部分的硬掩模層104。

如圖9至圖11所示，在第三蝕刻制作工藝之后，移除間隙壁110。隨后，進(jìn)行一鰭狀結(jié)構(gòu)切割制作工藝，以移除圖案化突出物112的一部分，并形成多個鰭狀結(jié)構(gòu)114。在本實施例中，各鰭狀結(jié)構(gòu)114包括兩鰭狀部114a以及一連接部114b，且于各鰭狀結(jié)構(gòu)114中，連接部114b連接各鰭狀部114a的一端，使各鰭狀結(jié)構(gòu)114形成為約略“π”字形。其中，鰭狀部114a為第二突出部110b經(jīng)過鰭狀結(jié)構(gòu)切割制作工藝所形成，連接部114b則為第一突出部110a經(jīng)過鰭狀結(jié)構(gòu)切割制作工藝所形成。

具體來說，本實施例的鰭狀結(jié)構(gòu)切割制作工藝可如下所述。如圖12所示，在移除間隙壁110之后可進(jìn)行一第三光刻制作工藝，以形成一第一光致抗蝕劑圖案116于部分硬掩模層104與部分圖案化突出物112上，使第一光致抗蝕劑圖案可用于移除一部分不需要的圖案化突出物112，特別是沿著第二方向D2延伸的部分。在本實施例中，第一光致抗蝕劑圖案116具有多個第一條狀開口116a，且各第一條狀開口116a沿著第二方向D2延伸。在形成第一光致抗蝕劑圖案116之后，進(jìn)行一第四蝕刻制作工藝，以移除第一條狀開口116a所暴露出的硬掩模層104與圖案化突出物112，并使第一凹槽102a與第三凹槽102c相連。

如圖13所示，在第四蝕刻制作工藝之后，移除第一光致抗蝕劑圖案116，并于部分硬掩模層104與部分圖案化突出物112上形成一第二光致抗蝕劑圖 案118，使第二光致抗蝕劑圖案118可用于移除另一部分不需要的圖案化突出物112，特別是沿著第一方向D1延伸的部分。在本實施例中，第二光致抗蝕劑圖案118具有多個第二條狀開口118a，且各第二條狀開口118a沿著第一方向D1延伸。然后，進(jìn)行一第五蝕刻制作工藝，以移除第二條狀開口118a所暴露出的硬掩模層104與圖案化突出物112，進(jìn)而形成鰭狀結(jié)構(gòu)114，并使第三凹槽102c與第四凹槽102d連接成一淺溝槽102e。

本發(fā)明的鰭狀結(jié)構(gòu)切割制作工藝并不以上述為限。在另一實施態(tài)樣，形成第一光致抗蝕劑圖案與形成第二光致抗蝕劑圖案的步驟可互換?；蛘?，鰭狀結(jié)構(gòu)切割制作工藝也可利用一雙重曝光(double patterning)或多重曝光(multiple patterning)制作工藝，于同一光致抗蝕劑圖案中形成第一條狀開口與第二條狀開口，然后才進(jìn)行蝕刻制作工藝，以形成鰭狀結(jié)構(gòu)。

如圖14與圖15所示，在形成鰭狀結(jié)構(gòu)114之后，在鰭狀結(jié)構(gòu)114的硬掩模層104與基底102上全面性覆蓋一絕緣材料，且絕緣材料填滿第一凹槽102a、第二凹槽102b與淺溝槽102e。在本實施例中，絕緣材料優(yōu)選是利用一流動是化學(xué)氣相沉積(flowable chemical vapor deposition，F(xiàn)CVD)制作工藝，使其可輕易填入第一凹槽102a、第二凹槽102b與淺溝槽102e內(nèi)。然后，可以硬掩模層104作為掩模，全面性進(jìn)行一第二回蝕刻制作工藝，以移除位于第一凹槽102a、第二凹槽102b與淺溝槽102e外的絕緣材料，并于第二凹槽102b內(nèi)形成一第一絕緣結(jié)構(gòu)120，以及于淺溝槽102e內(nèi)形成一第二絕緣結(jié)構(gòu)122，即所謂淺溝槽隔離(shallow trench isolation，STI)結(jié)構(gòu)。在本實施例中，通過控制蝕刻時間與蝕刻速度，移除絕緣材料的步驟可進(jìn)行到絕緣材料的上表面介于基底102的上表面與第一凹槽102a的底部之間才停止，因此第一絕緣結(jié)構(gòu)120的上表面介于基底102的上表面與第一凹槽102a的底部。此外，在形成第一絕緣結(jié)構(gòu)120與第二絕緣結(jié)構(gòu)122之前，可選擇性于第一凹槽102a、第二凹槽102b與淺溝槽102e的側(cè)壁與底部的基底102內(nèi)形成一襯墊層124。其中，襯墊層124可例如是單層或多層結(jié)構(gòu)，優(yōu)選是包含氧化硅或適用的高介電常數(shù)材料等介電材質(zhì)。襯墊層124的形成方式例如包含利用一臨場蒸氣產(chǎn)生技術(shù)(in situ steam generation，ISSG)，以在暴露出的基底102表面形成均勻分布的襯墊層124，但不以此為限。在另一實施態(tài)樣中，襯墊層也可選擇利用沉積的方式形成，因此襯墊層是形成在第一凹槽、第二凹槽與淺溝槽的側(cè)壁與底部上。此時，襯墊層可為單層或多層結(jié)構(gòu)，且多層 結(jié)構(gòu)可包括不同介電材質(zhì)。并且，位于第一絕緣結(jié)構(gòu)與第二絕緣結(jié)構(gòu)上的襯墊層可與絕緣材料同時在第二回蝕刻制作工藝中被移除，但不以此為限。或者，襯墊層是選擇包含其他介電材質(zhì)。

如圖16至圖18所示，接著，在形成第一絕緣結(jié)構(gòu)132與第二絕緣結(jié)構(gòu)134之后，剩下的硬掩模層104可依據(jù)晶體管元件的結(jié)構(gòu)特性的不同選擇性被移除。隨后，進(jìn)行一柵極制作工藝，依序在鰭狀結(jié)構(gòu)114上形成一柵極介電材料層，例如是包含氧化硅等絕緣材質(zhì)，以及一柵極層，再圖案化柵極層及柵極介電材料層，以形成柵極126與柵極介電層128。接著，在柵極126與柵極介電層128的側(cè)壁上分別形成一間隙壁130，以在鰭狀結(jié)構(gòu)114上形成一第一柵極結(jié)構(gòu)132以及多個第二柵極結(jié)構(gòu)134，第一柵極結(jié)構(gòu)132與各第二柵極結(jié)構(gòu)134可分別包括柵極126與柵極介電層128。至此已完成本實施例的具有柵極結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體元件100。在本實施例中，第一柵極結(jié)構(gòu)132與第二柵極結(jié)構(gòu)134的柵極可例如為多晶硅柵極，但不限于此，且可視實際所需而定。間隙壁130可例如是包含是氮化硅、氮氧化硅(silicon oxynitride)或氮碳化硅(silicon carbonitride)等材質(zhì)。在其他實施例中，形成間隙壁之后，可進(jìn)一步進(jìn)行一源極/漏極選擇性外延成長(selective epitaxial growth，SEG)制作工藝、金屬硅化物制作工藝、接觸洞停止蝕刻層(contact etch stop layer，CESL)制作工藝或是金屬柵極置換(replacement metal gate，RMG)等制作工藝，由于上述相關(guān)步驟與傳統(tǒng)制作晶體管的步驟類似，因此在此不多加贅述。

在本實施例中，第一柵極結(jié)構(gòu)132覆蓋于第一凹槽102a與第二凹槽102b上，并延伸至覆蓋鰭狀結(jié)構(gòu)114的連接部114b，用以避免鰭狀結(jié)構(gòu)114受到后續(xù)制作工藝影響，例如是源極/漏極外延成長制作工藝，而導(dǎo)致結(jié)構(gòu)變形、漏電流或破壞整體電性表現(xiàn)。并且，各第二柵極結(jié)構(gòu)134橫跨各鰭狀結(jié)構(gòu)114的各鰭狀部114b，可用以作為晶體管的柵極。

值得一提的是，由于第二凹槽102b的寬度小于第一凹槽102a的寬度，因此形成于第二凹槽102b內(nèi)的第一絕緣結(jié)構(gòu)120的寬度也隨之縮小，使得位于第一絕緣結(jié)構(gòu)120兩側(cè)的晶體管可具有較小的間距，進(jìn)而可提升半導(dǎo)體元件100的晶體管的密集度。

本發(fā)明的具有柵極結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體元件及其制作方法并不以上述實施例為限。下文將繼續(xù)揭示本發(fā)明的其它實施例或變化型，然而為了簡化說明并突顯各實施例或變化型之間的差異，下文中使用相同標(biāo)號標(biāo)注相同元件，并 不再對重復(fù)部分作贅述。

請參照圖19，且一并參照圖1到圖13。圖19繪示了本發(fā)明第二實施例形成具有柵極結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體元件的方法示意圖。如圖19所示，相較于第一實施例，本實施例的半導(dǎo)體元件200的制作方法于移除絕緣材料的步驟中可進(jìn)行到絕緣材料的上表面介于第一凹槽102a的底部與第二凹槽102b的底部之間才停止，因此第一絕緣結(jié)構(gòu)202的上表面介于第一凹槽102a的底部與第二凹槽102b的底部。由于本實施例于移除絕緣材料之前的步驟與第一實施例相同，如圖1到圖13所示，且本實施例于移除絕緣材料之后也與第一實施例相同，因此在此不多贅述。

綜上所述，在本發(fā)明的半導(dǎo)體元件的制作方法中，由于切割溝槽形成于形成心軸圖案的步驟之前，因此第一間隙壁部可形成于第一凹槽的側(cè)壁。如此一來，所形成的第二凹槽的寬度可小于第一凹槽的寬度，使得形成于第二凹槽內(nèi)的第一絕緣結(jié)構(gòu)的寬度可隨之縮小。由此，位于第一絕緣結(jié)構(gòu)兩側(cè)的晶體管可具有較小的間距，進(jìn)而可提升半導(dǎo)體元件的晶體管的密集度。

以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例，凡依本發(fā)明權(quán)利要求所做的均等變化與修飾，都應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。