技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了一種VDMOS器件及其制作方法，其中方法包括：在基底上表面由下至上依次形成柵氧化層、多晶硅層、第一保護(hù)層；刻蝕多晶硅層和第一保護(hù)層，形成第一凹槽，在第一凹槽下方的基底內(nèi)形成第一離子注入層，在第一離子注入層內(nèi)形成第二離子注入層，在第一保護(hù)層表面、第一凹槽的側(cè)面和第一凹槽的底面形成第二保護(hù)層，第二保護(hù)層包括第二凹槽，第二凹槽位于所述第一凹槽內(nèi)部，刻蝕第二凹槽的底面直至將第二離子注入層刻穿，形成接觸孔和間隔層，本發(fā)明的VDMOS器件及其制作方法利用自對(duì)準(zhǔn)的方式形成了接觸孔，因此不會(huì)造成接觸孔的偏移，即避免了接觸孔與多晶硅層的連通，提升了器件的產(chǎn)出良率。

技術(shù)研發(fā)人員：馬萬(wàn)里;任春紅
受保護(hù)的技術(shù)使用者：北大方正集團(tuán)有限公司;深圳方正微電子有限公司
文檔號(hào)碼：201510324248
技術(shù)研發(fā)日：2015.06.12
技術(shù)公布日：2017.01.04