本發(fā)明涉及半導(dǎo)體形成領(lǐng)域，尤其是涉及一種半導(dǎo)體器件、鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其形成方法。

背景技術(shù)：

隨著集成電路(簡(jiǎn)稱(chēng)IC)制造技術(shù)的飛速發(fā)展，傳統(tǒng)集成電路的工藝節(jié)點(diǎn)逐漸減小，集成電路器件的尺寸不斷縮小，集成電路器件制備工藝不斷革新以提高集成電路器件的性能。

如MOS晶體管中，通過(guò)高K介質(zhì)層和金屬柵極之間形成具有不同功函數(shù)的金屬來(lái)獲得理想的閾值電壓，從而改善器件性能。但隨著特征尺寸的逐漸減小，傳統(tǒng)的平面式MOS晶體管已無(wú)法滿足對(duì)器件性能的需求，如平面式MOS晶體管對(duì)溝道電流的控制能力變?nèi)?，造成?yán)重的漏電流。為此，多柵器件作為常規(guī)器件的替代得到了廣泛的關(guān)注。

鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Fin FET)為所述多柵器件的一種。參考圖1所示，F(xiàn)in FET包括：半導(dǎo)體襯底1；位于半導(dǎo)體襯底1上的鰭3；位于半導(dǎo)體襯底1上的氧化硅層2；依次位于氧化硅層2表面且橫跨鰭3的柵介質(zhì)層(未示出)和柵極4；位于鰭3兩側(cè)的鰭間側(cè)墻6；位于柵極4兩側(cè)的柵極側(cè)墻5；位于柵極4及柵極側(cè)墻5兩側(cè)的鰭3內(nèi)的源/漏極31。

Fin FET的鰭3的頂部以及兩側(cè)的側(cè)壁與柵極相接觸的部分都成為溝道區(qū)，即上述結(jié)構(gòu)使得一個(gè)Fin FET同時(shí)具有多個(gè)柵的功效，從而有利于增大驅(qū)動(dòng)電流，改善器件性能。

然而隨著集成電路技術(shù)不斷發(fā)展，器件的尺寸不斷減小，密度不斷增加，對(duì)于集成電路的性能也提出更高的要求。但現(xiàn)有的Fin FET性能無(wú)法滿足集成電路發(fā)展的需要，為此如何提升Fin FET的性能是本領(lǐng)域技術(shù)人員亟需解決的問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明解決的問(wèn)題是在提供一種半導(dǎo)體器件、鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其形成方法，降低鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏電現(xiàn)象，同時(shí)提高鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的散熱功效，從而提高鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的性能。

為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體器件的形成方法，包括：

提供半導(dǎo)體襯底；

刻蝕半導(dǎo)體襯底形成凸起于所述半導(dǎo)體襯底表面的鰭部；

形成覆蓋所述鰭部側(cè)壁的掩模層；

以所述掩模層為掩模刻蝕半導(dǎo)體襯底形成絕緣層凹槽；

通過(guò)氧化工藝氧化所述絕緣層凹槽側(cè)壁，在所述鰭部下方形成氧化硅層；

通過(guò)氮摻雜工藝向所述氧化硅層內(nèi)摻雜氮，形成第一摻氮的氧化硅層；

在所述絕緣層凹槽內(nèi)填充摻氮的氧化硅，形成第二摻氮的氧化硅層，且所述第二摻氮的氧化硅層和所述第一摻氮的氧化硅層形成絕緣層。

可選地，刻蝕半導(dǎo)體襯底形成絕緣層凹槽的步驟包括：使所述絕緣層凹槽延伸至所述鰭部的下方。

可選地，刻蝕所述半導(dǎo)體襯底形成絕緣層凹槽的步驟包括：

以所述掩模為掩模，進(jìn)行干法刻蝕工藝，在所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成第一凹槽；

以所述掩模為掩模，進(jìn)行濕法刻蝕工藝，使所述第一凹槽延伸至所述鰭部的下方，形成所述絕緣層凹槽。

可選地，所述干法刻蝕工藝包括：以含有CF₄或NF₃的氣體作為刻蝕氣體，刻蝕氣體的流量為10～2000sccm，氣壓為0.01～50mTorr，功率為50～10000w。

可選地，所述濕法刻蝕工藝包括：以稀釋的氫氟酸溶液作為濕法刻蝕劑，稀釋的氫氟酸溶液中氫氟酸與水的體積比為1:300～1:1000。

可選地，所述氮摻雜工藝的步驟包括：對(duì)所述氧化硅層進(jìn)行氮等離子體氣體處理，向所述氧化硅層內(nèi)摻雜氮原子。

可選地，進(jìn)行氮等離子體氣體處理的步驟包括：將N2、NH3或N2H4通入 等離子體氣體發(fā)生器內(nèi)形成等離子體氣體，N₂、NH₃或N₂H₄的流量為20～2000sccm，離子體發(fā)生器中氣壓為0.01～50Torr，功率為50～10000w。

可選地，所述氧化工藝的步驟：以氧氣作為反應(yīng)氣體，控制溫度為100～1000℃，反應(yīng)氣體流量為20～2000sccm，氣壓為0.01～50Torr，功率為50～10000w。

可選地，在所述氮摻雜工藝后，向所述絕緣層凹槽內(nèi)填充摻氮的氧化硅前，所述半導(dǎo)體器件的形成方法還包括：去除所述掩模層。

可選地，所述掩模層為氮化硅，去除所述掩模層的步驟包括：采用濕法刻蝕工藝去除所述掩模層，且所述濕法刻蝕工藝以磷酸為濕法刻蝕劑。

可選地，刻蝕半導(dǎo)體襯底形成凸起于所述半導(dǎo)體襯底表面的鰭部的步驟包括：在所述半導(dǎo)體襯底表面形成多個(gè)鰭部；

形成覆蓋所述鰭部側(cè)壁的掩模層的步驟包括：所述掩模層露出相鄰鰭部之間的半導(dǎo)體襯底表面；

以所述掩模層為掩?？涛g半導(dǎo)體襯底形成絕緣層凹槽的步驟包括：刻蝕相鄰鰭部之間的半導(dǎo)體襯底，以形成多個(gè)所述絕緣層凹槽。

可選地，所述絕緣層的厚度為

本發(fā)明還提供了一種半導(dǎo)體器件，包括：

半導(dǎo)體襯底；

形成于所述半導(dǎo)體襯底中的絕緣層，所述絕緣層的為摻氮的氧化硅層；

位于所述絕緣層上的鰭部。

可選地，所述絕緣層的厚度為

本發(fā)明又提供了一種鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成方法，包括：

如上述的半導(dǎo)體器件的形成方法；

在所述半導(dǎo)體襯底上形成柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)橫跨至少一個(gè)所述鰭部，并覆蓋所述鰭部的側(cè)壁與頂部；

在柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)露出的鰭部?jī)?nèi)摻雜離子，形成源極和漏極

本發(fā)明再提供了一種鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，包括：

半導(dǎo)體襯底；

形成于所述半導(dǎo)體襯底中的絕緣層，所述絕緣層為摻氮的氧化硅層；

位于所述絕緣層上的鰭部；

位于所述半導(dǎo)體襯底上形成柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)橫跨至少一個(gè)所述鰭部，并覆蓋所述鰭部的側(cè)壁與頂部；

位于柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)鰭部中的源極和漏極。

可選地，所述絕緣層的厚度為

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn)：

在本發(fā)明鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管中，在柵極和鰭部的下方形成絕緣層，從而在使用過(guò)程中，抑制源極和漏極的漏電現(xiàn)象，提高鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的性能；此外以摻氮的氧化硅為所述絕緣層材料，可有效提高絕緣層的散熱功效，從而提高鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的散熱功效，進(jìn)而提高鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的性能。

在本發(fā)明半導(dǎo)體器件的形成方法中，在刻蝕半導(dǎo)體襯底，形成凸起于半導(dǎo)體襯底表面的鰭部后，在鰭部的側(cè)壁上形成露出半導(dǎo)體襯底的掩模層，并以所述掩模層為掩?？涛g半導(dǎo)體襯底形成絕緣層凹槽；之后通過(guò)氧化工藝氧化所述絕緣層凹槽側(cè)壁，在所述鰭部下方形成氧化硅層，再通過(guò)氮摻雜工藝向所述氧化硅層內(nèi)摻雜氮，形成第一摻氮的氧化硅層；再向所述絕緣層凹槽內(nèi)填充摻氮的氧化硅，形成第二摻氮的氧化硅層，由所述第一摻氮的氧化硅層和第二摻氮的氧化硅層形成絕緣層。采用上述半導(dǎo)體器件的形成方法應(yīng)用在鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成方法中，可保持鰭部和半導(dǎo)體襯底的一體成型的同時(shí)，在形成的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極和溝道區(qū)下方形成以摻氮的氧化硅為材料的絕緣層，從而在使用過(guò)程中，所述絕緣層可以抑制源極和漏極的漏電現(xiàn)象，而且以摻氮的氧化硅層作為絕緣層，可提高所述絕緣層的散熱功效，從而提高鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的散熱功效，進(jìn)而提高鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的性能。

附圖說(shuō)明

圖1現(xiàn)有鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2～圖11為本發(fā)明半導(dǎo)體器件的形成方法一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖12和13是本發(fā)明鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

正如背景技術(shù)中所述，現(xiàn)由于的Fin FET在性能無(wú)法滿足集成電路的發(fā)展。分析其原因，現(xiàn)有的Fin FET存在較為嚴(yán)重的短溝道效應(yīng)，漏電現(xiàn)象嚴(yán)重，從而降低Fin FET的性能；此外，現(xiàn)有的Fin FET的工作中，會(huì)在器件內(nèi)積聚較大的熱量(即自加熱效應(yīng))，器件的散熱效應(yīng)較差也影響了Fin FET的性能。分析上述兩個(gè)缺陷的成因發(fā)現(xiàn)：

Fin FET漏電現(xiàn)象主要是FinFET的柵極對(duì)于鰭部下方的載流子控制能力較弱而引起的；

而FinFET器件工作中積聚較大熱量，主要是在Fin FET中在半導(dǎo)體襯底上形成氧化硅以作為不同相鄰Fin FET器件溝道的隔離結(jié)構(gòu)材料，但氧化硅的散熱效應(yīng)很差，從而導(dǎo)致Fin FET在使用過(guò)程中，產(chǎn)生的熱量無(wú)法及時(shí)消散。

為此，本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體器件、鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其形成方法。

在本發(fā)明半導(dǎo)體器件的形成方法中，在半導(dǎo)體襯底上形成鰭部后，在鰭部的側(cè)壁上形成掩模層，并以所述掩模層為掩?？涛g半導(dǎo)體襯底形成絕緣層凹槽；之后通過(guò)氧化工藝，氧化所述絕緣層凹槽側(cè)壁，在所述鰭部下方形成氧化硅層，并通過(guò)氮摻雜工藝向所述氧化硅層內(nèi)摻雜氮，形成第一摻氮的氧化硅層；之后再向所述絕緣層凹槽內(nèi)填充摻氮的氧化硅，形成第二摻氮的氧化硅層，由所述第一摻氮的氧化硅層和第二摻氮的氧化硅層形成絕緣層。

采用上述半導(dǎo)體器件的形成方法應(yīng)用在鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成方法中，可保持鰭部和半導(dǎo)體襯底的一體成型的同時(shí)，在形成的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極和溝道區(qū)下方形成以摻氮的氧化硅為材料的絕緣層，抑制源極和漏極漏電。而且以摻氮的氧化硅層作為絕緣層，可提高所述絕緣層的散熱功效，從而提高鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的散熱功效，進(jìn)而提高鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的性能。

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖，以鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成方法為例，對(duì)本發(fā)明半導(dǎo)體器件的形成方法的具 體實(shí)施方式做詳細(xì)的說(shuō)明。

圖2至圖11是本發(fā)明一實(shí)施例提供的半導(dǎo)體器件的形成方法的示意圖。

本實(shí)施例半導(dǎo)體器件的形成方法包括：

先參考圖2，提供半導(dǎo)體襯底10。

本實(shí)施例中的半導(dǎo)體襯底10為硅襯底，但本發(fā)明對(duì)所述半導(dǎo)體襯底的類(lèi)型并不做限定。

在所述半導(dǎo)體襯底10內(nèi)形成有阱區(qū)(圖中未顯示)，所述阱區(qū)可以是N阱也可以是P阱，其根據(jù)所要形成的Fin FET的類(lèi)型確定，本發(fā)明對(duì)此并不做具體限定。

繼續(xù)參考圖2，在所述半導(dǎo)體襯底10上形成第一掩模層11。

本實(shí)施例中，所述第一掩模層11的材料為氮化硅，形成工藝包括：先在所述半導(dǎo)體襯底上形成氮化硅材料層，之后在所述氮化硅材料層上形成光刻膠掩模，并以所述光刻膠掩模為掩模刻蝕所述氮化硅材料層，以形成所述第一掩模層11。所述第一掩模層11的形成工藝為現(xiàn)有工藝，在此不再贅述。

但在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，所述第一掩模層11的材料還可以是氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、無(wú)定形碳中的一種或多種組合。本發(fā)明對(duì)所述第一掩模層11的材料并不做限定。

參考圖3，以所述第一掩模層11為掩?？涛g所述半導(dǎo)體襯底10，形成凸起于半導(dǎo)體襯底10表面的鰭部12。

本實(shí)施例中，可采用干法刻蝕工藝刻蝕所述半導(dǎo)體襯底10以形成所述鰭部12，具體地可采用含有四氟化碳(CF₄)或三氟化氮(NF₃)等氟基氣體作為干法刻蝕氣體。刻蝕所述半導(dǎo)體襯底10以形成鰭部12的工藝為現(xiàn)有工藝，在此不再贅述。

本實(shí)施例中，在所述半導(dǎo)體襯底10上形成多個(gè)鰭部12，且相鄰鰭部12之間所形成凹槽的寬度可以相同或是不同。所述鰭部12的結(jié)構(gòu)以及相鄰鰭部12之間凹槽結(jié)構(gòu)根據(jù)具體情況設(shè)定，本發(fā)明對(duì)此并不做限定。

接著參考圖4和圖5，在所述半導(dǎo)體襯底10上形成覆蓋所述鰭部12側(cè)壁 的第二掩模層131，且所述第二掩模層131露出相鄰鰭部12之間的所述半導(dǎo)體襯底10。

本實(shí)施例中，所述第二掩模層131的材料為氮化硅(SiN)。

形成所述第二掩模層131的具體步驟包括：

先參考圖4，在所述半導(dǎo)體襯底10上形成保型覆蓋所述鰭部12的氮化硅層13。所述氮化硅層13的形成方法為化學(xué)氣相沉積(Chemical Vapor Deposition，簡(jiǎn)稱(chēng)CVD)，但本發(fā)明對(duì)所述氮化硅層13的形成工藝并不做具體限定。

接著參考圖5，采用自對(duì)準(zhǔn)刻蝕工藝刻蝕所述氮化硅層13，以去除相鄰鰭部12之間的半導(dǎo)體襯底10上的氮化硅層，露出相鄰鰭部12之間的半導(dǎo)體襯底表面，且保留位于所述鰭部12側(cè)壁上的氮化硅層，并以剩余的氮化硅層作為所述第二掩模層131。

采用自對(duì)準(zhǔn)刻蝕工藝刻蝕所述氮化硅層13的工藝為本領(lǐng)域現(xiàn)有技術(shù)，在此不再贅述。

接著結(jié)合參考圖6和圖7，以所述第一掩模層11和第二掩模層131為掩模，刻蝕所述半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成絕緣層凹槽15，所述絕緣層凹槽15用于形成絕緣層。

可選地，所述絕緣層凹槽15延伸至所述鰭部12下方，以更利于后續(xù)在所述鰭部12下方形成絕緣層。

本實(shí)施例中，所述絕緣層凹槽15的形成步驟包括：

先參考圖6，以所述第一掩模層11和第二掩模層131為掩模，進(jìn)行干法刻蝕工藝刻蝕所述半導(dǎo)體襯底10，在所述半導(dǎo)體襯底10內(nèi)，位于相鄰鰭部12之間形成第一凹槽14。

可選地，所述干法刻蝕工藝具體包括：

以含有CF₄或NF₃的氣體作為刻蝕氣體，刻蝕氣體的流量為10～2000sccm，氣壓為0.01～50mTorr，功率為50～10000w。但本發(fā)明對(duì)所述干法刻蝕并不做限定。

形成所述第一凹槽14后，結(jié)合參考圖7，繼續(xù)以所述第一掩模層11和第二掩模層131為掩模，采用濕法刻蝕工藝?yán)^續(xù)刻蝕所述半導(dǎo)體襯底10，以拓寬所述第一凹槽14，因?yàn)樗鰸穹涛g工藝為各向同性刻蝕，濕法刻蝕工藝中，使得第一凹槽14延伸至所述鰭部12的下方，形成所述絕緣層凹槽15。

可選地，所述濕法刻蝕工藝具體包括：

以稀釋的氫氟酸溶液作為濕法刻蝕劑，稀釋的氫氟酸溶液中氫氟酸與水的體積比為1:300～1:1000，控制濕法刻蝕劑的溫度為0～100℃。

接著參考圖8，進(jìn)行氧化工藝，以氧化所述絕緣層凹槽15側(cè)壁，從而在所述鰭部12下方形成氧化硅層16。

本實(shí)施例中，所述氧化工藝具體步驟包括：以氧氣作為反應(yīng)氣體，控制溫度為100～1000℃，反應(yīng)氣體流量為20～2000sccm，氣壓為0.01～50Torr，功率為50～10000w。

結(jié)合參考圖9，再進(jìn)行氮摻雜工藝，向所述氧化硅層16內(nèi)摻雜氮，形成第一摻氮的氧化硅層(SiON層)17。

本實(shí)施例中，所述氮摻雜工藝的步驟包括：對(duì)所述第一摻氮的氧化硅層16進(jìn)行氮等離子體氣體處理，從而向所述氧化硅層16內(nèi)摻雜氮原子。

本實(shí)施例中，所述氮等離子體氣體處理的步驟包括：將N₂、NH₃或N₂H₄通入等離子體氣體發(fā)生器內(nèi)形成等離子體氣體，控制N₂、NH₃或N₂H₄的流量為20～2000sccm，氣壓為0.01～50Torr，功率為50～10000w。

在形成所述第一摻氮的氧化硅層17之后，再向所述絕緣層凹槽15內(nèi)填充摻氮的氧化硅，以形成第二摻氮的氧化硅層。

參考圖10，本實(shí)施例中，在所述向所述絕緣層凹槽15內(nèi)填充摻氮的氧化硅前，先去除所述第二掩模層131。

本實(shí)施例中，所述第二掩模層131的材料為氮化硅，去除所述第二掩模層131的過(guò)程中，會(huì)損傷摻氮的氧化硅。為此，在向所述絕緣層凹槽15內(nèi)填充摻氮的氧化硅前，先去除所述第二掩模，從而減小去除所述第二掩模131過(guò)程中，造成半導(dǎo)體襯底10上摻氮的氧化硅材料損傷，以提高后續(xù)形成的絕 緣層性能。

本實(shí)施例中，去除所述第二掩模層131的步驟包括：采用濕法刻蝕工藝去除所述第二掩模層131，且所述濕法刻蝕工藝以磷酸為濕法刻蝕劑。

值得注意的是，在去除所述第二掩模層131過(guò)程中，會(huì)去除部分或全部的所述第一掩模層11，但在該步驟中，所述第一掩模層11的消耗與否并不影響本發(fā)明的目的實(shí)現(xiàn)。

結(jié)合參考圖11，去除所述第二掩模層131后，在所述絕緣層凹槽15內(nèi)填充摻氮的氧化硅，形成第二摻氮的氧化硅層18；所述第二摻氮的氧化硅層18和所述第一摻氮的氧化硅層17形成所述絕緣層19。所述鰭部12露出于所述絕緣層19。

本實(shí)施例中，在所述絕緣層凹槽15內(nèi)填充摻氮的氧化硅的方法為化學(xué)氣相沉積(Chemical Vapor Deposition，簡(jiǎn)稱(chēng)CVD)。

本實(shí)施例中，在所述半導(dǎo)體襯底10上形成有多個(gè)鰭部12，在所述半導(dǎo)體襯底10內(nèi)形成有多個(gè)絕緣層凹槽15；在進(jìn)行氧化工藝和氮摻雜工藝后，在所述半導(dǎo)體襯底10內(nèi)形成有多個(gè)并列排列的第一摻氮的氧化硅層17，且在向各絕緣層凹槽15內(nèi)填充摻氮的氧化硅后，形成多個(gè)第二摻氮的氧化硅層18，一個(gè)第二摻氮的氧化硅層18連接相鄰的兩個(gè)第一氮化硅層17，使得各第一摻氮的氧化硅層17和第二摻氮的氧化硅層18間隔連接，從而形成所述絕緣層19。

本實(shí)施例中，所述絕緣層19的厚度為

在進(jìn)行上述各步驟后，形成的半導(dǎo)體器件包括：

半導(dǎo)體襯底10，位于所述半導(dǎo)體襯底10表面的絕緣層19，以及位于所述絕緣層19上的鰭部12。而且，所述絕緣層19的材料為摻氮的氧化硅。

所述鰭部12與半導(dǎo)體襯底10一體成型。

可選地，所述絕緣層19的厚度為

在形成所述絕緣層后，本實(shí)施例半導(dǎo)體器件的形成方法還包括：在所述半導(dǎo)體襯底10上形成柵極結(jié)構(gòu)，且所述柵極結(jié)構(gòu)橫跨至少一個(gè)所述鰭部，并覆蓋所述鰭部的側(cè)壁與頂部；

之后，再向所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)露出的鰭部?jī)?nèi)摻雜離子，以形成源極和漏極，從而形成鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

上述柵極結(jié)構(gòu)，以及源極和漏極的形成方法為現(xiàn)有技術(shù)，在此不再贅述。

本實(shí)施例提供的半導(dǎo)體器件的形成方法中，

在刻蝕半導(dǎo)體襯底，形成凸起于半導(dǎo)體襯底表民的鰭部后，在所述鰭部的側(cè)壁上形成掩模層，之后以所述掩模層為掩?？涛g所述半導(dǎo)體襯底形成絕緣層凹槽；之后通過(guò)氧化工藝，氧化所述絕緣層凹槽側(cè)壁，在所述鰭部下方形成氧化硅層，再向所述氧化硅層內(nèi)摻雜氮，形成第一摻氮的氧化硅層；之后再向所述絕緣層凹槽內(nèi)填充摻氮的氧化硅，形成第二摻氮的氧化硅層，由所述第一摻氮的氧化硅層和第二摻氮的氧化硅層形成絕緣層。采用上述半導(dǎo)體器件的形成方法應(yīng)用在鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成方法中，可保持鰭部和半導(dǎo)體襯底的一體成型的同時(shí)，在形成的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極和溝道區(qū)下方形成以摻氮的氧化硅為材料的絕緣層，從而在使用過(guò)程中，所述絕緣層可以抑制器件短溝道效應(yīng)，減少源極和漏極的漏電流；而且以摻氮的氧化硅層作為絕緣層，可提高所述絕緣層的散熱功效，從而提高鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的散熱功效，進(jìn)而提高鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的性能。

相應(yīng)地，本發(fā)明還提供了一種鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

結(jié)合參考圖12和圖13，圖12為本實(shí)施例提供的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖，圖13為圖12中沿A-A’向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。

本實(shí)施例中，所述鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管包括：

半導(dǎo)體襯底20。

位于所述半導(dǎo)體襯底20上的絕緣層21；

位于所述絕緣層21上的鰭部22；

位于所述半導(dǎo)體襯底的柵極結(jié)構(gòu)23，所述柵極結(jié)構(gòu)23橫跨至少一個(gè)所述鰭部22，并覆蓋所述鰭部22的側(cè)壁與頂部；

位于柵極結(jié)構(gòu)23兩側(cè)鰭部22中的源極和漏極221。

可選地，所述絕緣層21為摻氮的氧化硅層，可選地，所述摻氮的氧化硅 層的厚度為

所述鰭部22內(nèi)，位于所述源極和漏極221之間，且被所述柵極結(jié)構(gòu)23所覆蓋的部分鰭部形成鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的溝道。

與現(xiàn)有的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)相比，在本發(fā)明鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管中，在柵極和鰭部的下方形成有以摻氮的氧化硅為材料的絕緣層，從而在使用過(guò)程中，所述絕緣層可抑制器件短溝道效應(yīng)，減少源極和漏極的漏電流，提高鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的性能。

此外，以摻氮的氧化硅作為所述絕緣層21的材料，可有效提高絕緣層21的散熱功效，從而提高鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的散熱功效，進(jìn)而提高鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的性能。

本發(fā)明雖然已以較佳實(shí)施例公開(kāi)如上，但其并不是用來(lái)限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案做出可能的變動(dòng)和修改，因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化及修飾，均屬于本發(fā)明技術(shù)方案的保護(hù)范圍。