技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開一種半導(dǎo)體元件及其制作方法。該半導(dǎo)體元件的制作方法為，首先提供一基底，該基底上設(shè)有至少一鰭狀結(jié)構(gòu)，其中鰭狀結(jié)構(gòu)包含一上半部以及一下半部。然后形成一柵極結(jié)構(gòu)于鰭狀結(jié)構(gòu)上，形成一遮蓋層于柵極結(jié)構(gòu)未覆蓋的鰭狀結(jié)構(gòu)的上半部上方，進(jìn)行一退火制作工藝將遮蓋層內(nèi)的鍺原子趨入鰭狀結(jié)構(gòu)的上半部，去除遮蓋層，最后再形成一外延層于鰭狀結(jié)構(gòu)的上半部周圍。

技術(shù)研發(fā)人員：童宇誠(chéng);劉恩銓
受保護(hù)的技術(shù)使用者：聯(lián)華電子股份有限公司
文檔號(hào)碼：201510311866
技術(shù)研發(fā)日：2015.06.09
技術(shù)公布日：2016.12.21