1.一種半導(dǎo)體器件的制備方法，包括：
步驟S1：提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上形成有若干鰭片；
步驟S2：在所述鰭片底部的側(cè)壁上形成無定型硅的間隙壁，以覆蓋所述鰭片底部，形成臺(tái)階形鰭片。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S2中，所述無定型硅的間隙壁從所述鰭片的中間部位延伸至底部。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟S2包括：
步驟S21：在所述半導(dǎo)體襯底上和所述鰭片的表面上形成無定型硅層，以覆蓋所述鰭片；
步驟S22：蝕刻去除位于所述半導(dǎo)體襯底、所述鰭片頂部以及所述鰭片上部側(cè)壁上的所述無定型硅層，以在所述鰭片底部的側(cè)壁上形成所述間隙壁。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還進(jìn)一步包括：
步驟S3：在所述臺(tái)階形鰭片的表面形成襯墊氧化物層，以覆蓋所述臺(tái)階形鰭片的表面；
步驟S4：沉積隔離材料層并平坦化，以填充所述臺(tái)階形鰭片之間的間隙并覆蓋所述臺(tái)階形鰭片；
步驟S5：回蝕刻所述隔離材料層，以露出部分所述臺(tái)階形鰭片至目標(biāo)高度。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，在所述步驟S3中，所述襯墊氧化物層通過原位水蒸氣氧化的方法形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，在所述步驟S4中，所述隔離材料層選用氧化物。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述氧化物通過流動(dòng)式化學(xué)氣相沉積法形成。
8.一種如權(quán)利要求1至7之一所述的方法制備得到的半導(dǎo)體器件。
9.一種電子裝置，包括權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件。