1.一種晶圓厚度的測量方法，包括：
步驟S1：提供晶圓，并在所述晶圓上形成膠帶，以保護所述晶圓；
步驟S2：在所述晶圓的邊緣形成凹槽；
步驟S3：測量所述凹槽的深度H1；
步驟S4：對所述晶圓進行研磨打薄，以降低所述晶圓的厚度；
步驟S5：再次測量所述凹槽的深度H2；
步驟S6：根據(jù)所述步驟S3中所述深度H1和所述步驟S5中的所述深度H2計算所述晶圓研磨去除的量。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S1中，在形成所述膠帶之前，還進一步包括對所述晶圓進行預(yù)清洗的步驟。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S2中，對所述晶圓的邊緣進行半切割，以形成所述凹槽。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S2中，所述凹槽的深度H1為400-450um。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S4中，在所述研磨打薄之后還進一步包括對所述晶圓的厚度進行測量的步驟。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S4和所述步驟S5之間，還進一步包括去除所述膠帶的步驟。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S5中，所述凹槽的深度H2為15-35um。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S2中，所述凹槽的開口為4-6um。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S1中，所述晶圓的厚度為700-750um。