本發(fā)明涉及半導(dǎo)體處理技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種用于處理待處理襯底的半導(dǎo)體處理設(shè)備。

背景技術(shù)：

隨著半導(dǎo)體處理技術(shù)的發(fā)展，為完成半導(dǎo)體襯底的處理而需要應(yīng)用到的不同半導(dǎo)體處理工藝數(shù)量越來越多；如在完成LED襯底的Al₂O₃+SiOx鈍化膜層沉積的過程中以及在完成太陽能電池背面的Al₂O₃+SiNx鈍化膜層沉積的過程中，就需要使用原子層沉積(Atomic Layer Deposition,ALD)工藝來完成Al₂O₃層的沉積，以及使用等離子增強化學(xué)氣相沉積(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)工藝來完成SiOx層或SiNx層的沉積。

現(xiàn)有技術(shù)中，為完成上述Al₂O₃+SiOx鈍化膜或Al₂O₃+SiNx鈍化膜層的沉積，需氧提供一臺原子層沉積設(shè)備用于在待處理襯底上完成Al₂O₃層的沉積，然后還需要提供一臺等離子增強化學(xué)沉積設(shè)備用于完成SiOx或SiNx層的沉積。

因此，為完成上述Al₂O₃+SiOx鈍化膜或Al₂O₃+SiNx鈍化膜層的沉積，需要至少兩臺半導(dǎo)體處理設(shè)備，使得完成上述鈍化膜沉積工藝的設(shè)備投入成本高，且多臺設(shè)備將占用較大的空間；同時，在一個沉積設(shè)備中完成沉積后，需要轉(zhuǎn)運到另一設(shè)備再進行沉積處理，轉(zhuǎn)運的過程容易造成對待處理襯底的污染，從而將會降低所述膜層的性能。

事實上，其他需要連續(xù)進行原子層沉積工藝和等離子增強化學(xué)氣相沉積工藝處理的半導(dǎo)體處理過程均將存在上述問題。

因此，有必要提供一種半導(dǎo)體處理設(shè)備，以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

為解決現(xiàn)有技術(shù)中，存在半導(dǎo)體處理設(shè)備投入成本高，占地空間大的技術(shù)問題，本發(fā)明提供一可以降低設(shè)備成本，且體積較少的半導(dǎo)體處理設(shè)備。

為解決上述問題，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體處理設(shè)備，所述半導(dǎo)體處理設(shè)備可以用于進行原子層沉積及等離子增強化學(xué)氣相沉積；

所述半導(dǎo)體處理設(shè)備包括反應(yīng)腔、射頻發(fā)生器和驅(qū)動裝置，所述反應(yīng)腔包括腔體和設(shè)置在所述腔體內(nèi)的氣體分配裝置和襯底托盤；所述襯底托盤與所述氣體分配裝置相對設(shè)置并限定其二者之間反應(yīng)空間；所述射頻發(fā)生器用于在所述反應(yīng)空間形成等離子體；所述驅(qū)動裝置用于驅(qū)動所述襯底托盤相對所述氣體分配裝置移動；所述氣體分配裝置具有面向所述襯底托盤的出氣面，所述出氣面包括多個出氣口；所述多個出氣口包括至少一個第一出氣口和至少一個第二出氣口，所述多個出氣口在所述出氣面的排布，使得所述襯底托盤發(fā)生相對于出氣口的移動時，支撐在所述襯底托盤的襯底依次通過所述第一出氣口和第二出氣口正對的區(qū)域。

當所述半導(dǎo)體處理設(shè)備進行原子層沉積時，第一反應(yīng)氣體通過所述第一出氣口進入所述反應(yīng)空間，第二反應(yīng)氣體通過所述第二出氣口進入所述反應(yīng)空間，所述驅(qū)動裝置驅(qū)動所述襯底托盤發(fā)生相對于氣體分配裝置移動，從而對支撐在襯底托盤上的襯底進行原子層沉積處理；當所述半導(dǎo)體處理設(shè)備進行等離子增強化學(xué)氣相沉積時，反應(yīng)氣體通過所述多個出氣口中的至少一個出氣口進入所述反應(yīng)空間，所述射頻發(fā)生器在所述反應(yīng)空間形成等離子體，從而對支撐在襯底托盤上的襯底進行等離子增強化學(xué)氣相沉積處理。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的半導(dǎo)體處理設(shè)備通過特別的反應(yīng)腔設(shè)計，使得所述反應(yīng)腔既能用于執(zhí)行原子層沉積工藝又能用于執(zhí)行等離子增強化學(xué)氣相沉積工藝，從而可以減少半導(dǎo)體處理設(shè)備的數(shù)量，降低成本，減少設(shè)備的占用空間；同時，由于兩個工藝可以在同一腔室中完成，無需附加的轉(zhuǎn)運過 程，從而可以減少待處理襯底被污染的發(fā)生。

附圖說明

圖1是本發(fā)明半導(dǎo)體處理設(shè)備第一實施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2顯示第一實施方式半導(dǎo)體處理設(shè)備使用另外一種射頻發(fā)生器時的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3是圖1所示氣體分配裝置出氣面的表面結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4是本發(fā)明半導(dǎo)體處理設(shè)備第二實施方式的出氣面的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖5是本發(fā)明半導(dǎo)體處理設(shè)備第三實施方式的出氣面的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖6是本發(fā)明半導(dǎo)體處理設(shè)備第四實施方式的出氣面的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)中，在同一待處理襯底上完成原子層沉積和等離子增強化學(xué)氣相沉積工藝過程中，需要使用兩臺不同的半導(dǎo)體處理設(shè)備，從而造成設(shè)備投入成本高，且占用空間大等技術(shù)問題。為解決現(xiàn)有技術(shù)半導(dǎo)體處理設(shè)備中的技術(shù)問題，本發(fā)明提出一種半導(dǎo)體處理設(shè)備，所述半導(dǎo)體處理設(shè)備可以用于進行原子層沉積及等離子增強化學(xué)氣相沉積；所述半導(dǎo)體處理設(shè)備包括反應(yīng)腔、射頻發(fā)生器和驅(qū)動裝置，所述反應(yīng)腔包括腔體和設(shè)置在所述腔體內(nèi)的氣體分配裝置和襯底托盤；所述襯底托盤與所述氣體分配裝置相對設(shè)置并限定反應(yīng)空間；所述射頻發(fā)生器用于在所述反應(yīng)空間形成等離子體；所述驅(qū)動裝置用于驅(qū)動所述襯底托盤相對所述氣體分配裝置移動；所述氣體分配裝置具有面向所述襯底托盤的出氣面，所述出氣面包括多個出氣口；所述多個出氣口包括至少一個第一出氣口和至少一個第二出氣口，所述多個出氣口在所述出氣面的排布，使得所述襯底托盤移動時，支撐在所述襯底托盤上的襯底依次通過所述第一出氣口和第二出氣口正對的區(qū)域，當所 述半導(dǎo)體處理設(shè)備進行原子層沉積時，，第一反應(yīng)氣體通過所述第一出氣口進入所述反應(yīng)空間，第二反應(yīng)氣體通過所述第二出氣口進入所述反應(yīng)空間，所述驅(qū)動裝置驅(qū)動所述襯底托盤移動，從而對支撐在襯底托盤上的襯底進行原子層沉積處理；當所述半導(dǎo)體處理設(shè)備進行等離子增強化學(xué)氣相沉積時，反應(yīng)氣體通過所述多個出氣口中的至少部分出氣口進入所述反應(yīng)空間，所述射頻發(fā)生器在所述反應(yīng)空間形成等離子體，從而對支撐在襯底托盤上的襯底進行等離子增強化學(xué)氣相沉積處理。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的半導(dǎo)體處理設(shè)備通過特別的反應(yīng)腔設(shè)計，使得所述反應(yīng)腔既能用于執(zhí)行原子層沉積工藝又能用于執(zhí)行等離子增強化學(xué)氣相沉積工藝，從而可以減少半導(dǎo)體處理設(shè)備的數(shù)量，降低成本，減少設(shè)備的占用空間；同時，由于兩個工藝可以在同一腔室中完成，無需附加的轉(zhuǎn)運過程，從而可以減少待處理襯底被污染的發(fā)生。

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施方式做詳細的說明。

在下面的描述中闡述了很多具體細節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來實施，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實施例的限制。

請參閱圖1，圖1是本發(fā)明半導(dǎo)體處理設(shè)備第一實施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。所述半導(dǎo)體處理設(shè)備1可以用于執(zhí)行原子層沉積工藝，同時，所述半導(dǎo)體處理設(shè)備1還可以用于執(zhí)行等離子增強化學(xué)沉積工藝及襯底在位表面處理。所述半導(dǎo)體處理設(shè)備1包括反應(yīng)腔(未標示)、射頻發(fā)生器17、驅(qū)動裝置13、加熱裝置16和襯底偏壓裝置18。

所述反應(yīng)腔包括腔體(未標示)以及設(shè)置在所述腔體內(nèi)的氣體分配裝置11和襯底托盤15。所述氣體分配裝置11和所述襯底托盤15相對設(shè)置并限定兩 者之間的反應(yīng)空間。所述射頻發(fā)生器17用于在所述反應(yīng)空間形成等離子體。所述驅(qū)動裝置13用于驅(qū)動所述襯底托盤15相對所述氣體分配裝置11旋轉(zhuǎn)和/或者改變氣體分配裝置11到襯底托盤15的距離。所述加熱裝置16用于加熱所述襯底托盤16從而加熱支撐在所述襯底托盤15上的襯底14。所述襯底偏壓裝置18用于在襯底托盤15上產(chǎn)生負電壓。

所述襯底托盤15包括面向所述氣體分配裝置11的承載面，襯底14支撐在所述承載面。

所述氣體分配裝置11包括面向所述襯底托盤15的出氣面12；反應(yīng)氣體從所述出氣面12噴出至所述反應(yīng)空間。請同時參閱圖3，圖3是圖1所示氣體分配裝置11出氣面12的表面結(jié)構(gòu)示意圖。所述出氣面13包括多個出氣口。在本實施方式中，所述多個出氣口至少包括一個第一出氣口121、一個第二出氣口122、和第三出氣口123。所述第一出氣口121、第二出氣口122和所述第三出氣口123在所述出氣面12呈放射狀排列，且所述第三出氣口123在沿所述盤狀氣體分配裝置11的周向，設(shè)置在所述第一出氣口121和第二出氣口122之間，從而當所述驅(qū)動裝置13驅(qū)動所述襯底托盤15轉(zhuǎn)動時，承載在所述襯底托盤15上的襯底14能夠依次通過所述第一出氣口121、第三出氣口123和所述第二出氣口122正對的區(qū)域。優(yōu)選的，所述出氣面12還可以包括更多的第一出氣口121、更多的第二出氣口122和更多的第三出氣口123，所述多個第一出氣口121和所述多個第二出氣口122在所述氣體分配裝置41的周向相互間隔設(shè)置，且每個相鄰的第一出氣口121和第二出氣口122之間設(shè)置一個所述第三出氣口123。

優(yōu)選的，在本實施方式中所述第一出氣口121可以是窄縫或是在帶狀區(qū)域分布的多個窄縫或出氣孔。所述第二出氣口122可以是窄縫或是在帶狀區(qū)域分布的多個窄縫或出氣孔。所述在第三出氣口123也可以是窄縫或是在帶狀區(qū)域分布的多個窄縫或出氣孔。所述第一出氣口121、所述第二出氣口122和所述在第三出氣口123在所述出氣面12上呈放射排布，從而當所述驅(qū)動裝置13驅(qū)動 所述襯底托盤15轉(zhuǎn)動時，承載在所述襯底托盤15上的襯底14能夠依次通過所述第一出氣口121、所述第三出氣口123和所述第二出氣口122正對的區(qū)域。在本實施方式中，所述第一出氣口121、所述第二出氣口122和所述第三出氣口123沿所述圓盤狀氣體分配裝置11的徑向延伸，如此，可以減少所述第一出氣口121、所述第二出氣口122和所述第三出氣口123的長度，降低加工難度。優(yōu)選的，所述第一出氣口121、所述第二出氣口122和所述在第三出氣口123沿所述圓盤狀氣體分配裝置11的徑向向所襯底托盤15的轉(zhuǎn)動方向A一側(cè)傾斜延伸，如此，從第一出氣口121、第二出氣口122和第三出氣口123噴出到襯底托盤15的反應(yīng)氣體和第三氣體能夠在所述襯底托盤15的帶動下盡量分別沿著所述從第一出氣口121、第二出氣口122和第三出氣口123的延伸方向流動，減少不同出氣口噴出的氣體在襯底托盤15的帶動下相互穿插串擾。進一步優(yōu)選的，所述第一出氣口121、所述第二出氣口122和所述在第三出氣口123在所述出氣面12上呈旋風狀排布，其旋轉(zhuǎn)方向與所述襯底托盤15的轉(zhuǎn)動方向相反，從而進一步減少不同出氣口噴出的氣體在襯底托盤15的帶動下相互穿插串擾。

所述驅(qū)動裝置13用于驅(qū)動所述襯底托盤15旋轉(zhuǎn)，從而支撐在所述襯底托盤15上的襯底14依次通過所述第一出氣口121，所述第三出氣口123和所述第二出氣口122正對的區(qū)域。所述驅(qū)動裝置13包括旋轉(zhuǎn)驅(qū)動裝置，所述旋轉(zhuǎn)驅(qū)動裝置用于驅(qū)動所述襯底托盤15相對所述氣體分配裝置旋轉(zhuǎn)，優(yōu)選的，所述旋轉(zhuǎn)驅(qū)動裝置能夠調(diào)節(jié)所述襯底托盤15的轉(zhuǎn)速。優(yōu)選的，所述驅(qū)動裝置13還包括一升降裝置，所述升降裝置用于推動所述襯底托盤15靠近或遠離所述氣體分配裝置11；從而調(diào)節(jié)所述襯底托盤15到所述出氣面12之間的距離。

所述加熱裝置16用于加熱所述襯底托盤15。本實施方式中，所述加熱裝置16設(shè)置在所述襯底托盤15背離所述氣體分配裝置11的一側(cè)。所述加熱裝置16通過熱輻射的方式對所述襯底托盤15進行加熱。所述加熱裝置16還可以是鑲嵌在所述襯底托盤15中。如，所述加熱裝置16為鑲嵌在所述襯底托盤15中 的電熱絲。所述加熱裝置16還可以是設(shè)置在反應(yīng)腔腔體外的電磁加熱線圈。其通過電磁輻射的方式對所述襯底托盤15進行加熱。

所述射頻發(fā)生器17用于在氣體分配裝置11與所述襯底托盤15之間形成等離子體。在本實施方式中，所述射頻發(fā)生器17包括設(shè)置在氣體分配裝置11上方的射頻線圈。其中所述射頻線圈可以設(shè)置在所述反應(yīng)腔的腔體內(nèi)或設(shè)置在腔體外。請參閱圖2，圖2顯示本實施方式半導(dǎo)體處理設(shè)備使用另外一種射頻發(fā)生器時的結(jié)構(gòu)示意圖，所述射頻發(fā)生器17還可以是包括分別設(shè)置在所述氣體分配裝置11和襯底托盤15上的一對電極和向所述一對電極輸出射頻電壓的射頻源。

所述托盤電壓偏置裝置18使襯底托盤15產(chǎn)生負的電壓，所述偏置裝置18放置在反應(yīng)腔體的外部并與所述襯底托盤15連接。其可以是產(chǎn)生射頻電壓的射頻源，或者是產(chǎn)生脈沖電壓的脈沖電源。

應(yīng)用本實施方式的半導(dǎo)體處理設(shè)備1進行襯底在位表面處理工藝時：

所述襯底偏壓裝置18工作并使所述襯底14產(chǎn)生負電壓；襯底在位表面處理的反應(yīng)氣體通過所述多個出氣口中的至少一個出氣口進入所述反應(yīng)空間，所述射頻發(fā)生器17在所述反應(yīng)空間形成等離子體，從而對支撐在襯底托盤15上的襯14底進行在位表面處理。

應(yīng)用本實施方式的半導(dǎo)體處理設(shè)備1進行原子層沉積工藝時：

所述驅(qū)動裝置13驅(qū)動所述襯底托盤15旋轉(zhuǎn)，從而帶動支撐在所述襯底托盤15上的襯底14依次通過所述第一出氣口121、所述第三出氣口123和所述第二出氣口122正對的區(qū)域。所述加熱裝置16將所述襯底托盤15進行加熱，優(yōu)選的，將所述襯底托盤15加熱到大于等于50℃小于等于1000℃，如在進行Al2O3層沉積過程中，將所述襯底托盤加熱到200℃。原子層沉積工藝中的第一反應(yīng)氣體從所述第一出氣口121輸出到所述反應(yīng)空間中，從而到達所述襯底14表 面。原子層沉積工藝中的第二反應(yīng)氣體從所述第二出氣口122輸出到所述反應(yīng)空間中。所述第三出氣口123用于向所述反應(yīng)空間輸出與所述第一反應(yīng)氣體和第二反應(yīng)器氣體均不會發(fā)生反應(yīng)的第三氣體。所述第三出氣口123由于設(shè)置在所述第一出氣口121與所述第二出氣口122之間，其輸送的所述的第三氣體在所述第一出氣口121和第二出氣口122之間形成氣墻，從而使得從所述第一出氣口121輸送的第一反應(yīng)氣體和從所述第二出氣口122輸送的第二反應(yīng)氣體相互隔離，防止兩種反應(yīng)氣體之間相互串擾。所述襯底14在所述襯底托盤15的帶動下依次通過所述第一出氣口121、所述第三出氣口123和所述第二出氣口122正對的區(qū)域，從而完成原子層沉積工藝。優(yōu)選的，在進行原子層沉積工藝過程中，所述襯底托盤15應(yīng)該具有一個較低的轉(zhuǎn)速，以減少反應(yīng)氣體在所述襯底托盤15的帶動下相互串擾。具體的，在通過原子層沉積工藝進行進行Al2O3層沉積時，所述第一反應(yīng)氣體為TMAl或TEAl與氫氣或者氮氣或者氬氣的混合物；所述第二反應(yīng)氣體為水蒸氣、氨氣和臭氧中至少一種，或水蒸氣、氨氣和臭氧中至少一種與氮氣或者氬氣或者氫氣中至少一種的混合氣體；所述第三氣體為氮氣、氫氣或惰性氣體中至少一種；所述襯底14為單晶硅、多晶硅、非晶硅、玻璃、氮化鎵或藍寶石中的一種。

優(yōu)選的，在進行原子層沉積工藝過程中，襯底托盤15與所述氣體分配裝置11的出氣面12之間的間隙應(yīng)該大于等于0.5mm，從而使得對所述半導(dǎo)體處理裝置1的部件機械制造精度和對傳動裝置13傳動精度的要求大為降低，進而降低所述半導(dǎo)體處理裝置1的制造成本。進一步優(yōu)選的，所述襯底托盤15與所述氣體分配裝置11的出氣面12之間的間隙應(yīng)該小于等于10mm，從而保證所述第三出氣口123噴出的第三氣體對第一和第二反應(yīng)氣體的隔離效果，同時，可以減少未能到達待處理襯底14表面的反應(yīng)氣體的量，提高反應(yīng)氣體的利用率。

應(yīng)用本實施方式的半導(dǎo)體處理設(shè)備1進行等離子增強化學(xué)氣相沉積工藝時：

等離子增強化學(xué)氣相沉積工藝的反應(yīng)氣體從所述多個出氣口中的至少部分出氣口中噴出到所述反應(yīng)空間。所述射頻發(fā)生器17工作并在所述反應(yīng)空間中形成等離子體。從而對支撐在所述襯底托盤15上的襯底14進行等離子增強化學(xué)氣相沉積處理。其中，所述等離子增強化學(xué)氣相沉積工藝的多種反應(yīng)氣體可以在所述氣體分配裝置11中先混合再輸出到所述反應(yīng)空間中，也可以分別通過不同的出氣口輸出到所述反應(yīng)空間再進行混合均勻；所述反應(yīng)氣體可以只從所述第一出氣口121、所述二出氣口122或所述第三出氣口123輸出，也可以從其中的任意兩種出氣口輸出；優(yōu)選的，所述反應(yīng)氣體從上述所有一出氣口121、所述二出氣口122輸出和所述第三出氣口123同時輸出，以增加反應(yīng)氣體分布的均勻性。所述加熱裝置16用于對所述襯底托盤15進行加熱，優(yōu)選的，將所述襯底托盤15加熱到大于等于200℃小于等于800℃，如在進行SiO₂層或進行SiN₂層的等離子增強化學(xué)氣相沉積過程中，將所述襯底托盤加熱到400℃。具體的，在通過等離子增強化學(xué)氣相沉積工藝進行SiOx或SiNx層沉積時，所述反應(yīng)氣體包括兩種反應(yīng)氣體，其中一種包括SiH4，SiHCl4或者和SiH₂Cl₂中的一種或者SiH₄，SiHCl₄和SiH₂Cl₂中的一種與氮氣或者氬氣的混合氣體，另一種包括氨氣、N₂O和O₂中的一種或者氨氣、N₂O和O₂中的一種與氮氣或者氬氣的混合氣體，所述襯底14為單晶硅、多晶硅、非晶硅、玻璃、氮化鎵或藍寶石中的一種。

優(yōu)選的，所述襯底托盤15到所述出氣面12之間的距離大于進行原子層沉積工藝時，所述襯底托盤15到所述出氣面12之間的距離，進一步優(yōu)選的，所述底托盤15到所述出氣面12的距離大于等于10mm小于等于40mm；從而保證反應(yīng)氣體能夠在所述襯底14表面分布均勻，同時，可以減少未能到達待處理襯底14表面的反應(yīng)氣體的量，提高反應(yīng)氣體的利用率。其中，所述襯底托盤16與所述出氣面12之間的間距可以通過所述升降裝置進行調(diào)節(jié)。

優(yōu)選的，所述驅(qū)動裝置13可以驅(qū)動所述襯底托盤16旋轉(zhuǎn)，從而使得反應(yīng)氣體在所述襯底14表面分布更加均勻。進一步優(yōu)選的，所述襯底托盤15的轉(zhuǎn)速大于進行原子層沉積工藝時，所述襯底托盤15轉(zhuǎn)速用以保證反應(yīng)氣體在所述襯底14表面分布均勻。

以上所述的本發(fā)明第一實施方式的半導(dǎo)體處理設(shè)備1中，所述出氣面12上的出氣口還可以不包括所述設(shè)置在第一出氣口121和第二出氣口122之間的第三出氣口123，從而，在進行原子層沉積工藝時，所述氣體分配裝置11不會向所述反應(yīng)空間輸出所述第三氣體從而隔離所述第一和第二反應(yīng)氣體。如此，在進行原子層沉積工藝時，所述第一反應(yīng)氣體和第二反應(yīng)氣體雖然可能發(fā)生部分串擾，但不會影響對襯底14進行的原子層沉積處理；優(yōu)選的，為控制所述反應(yīng)氣體的串擾在一個較小的范圍之內(nèi)，在進行原子層沉積工藝時，所述襯底托盤15到所述出氣面12的距離應(yīng)小于等于3mm；進一步優(yōu)選的，在進行原子層沉積工藝時，所述襯底托盤15到所述出氣面12的距離應(yīng)大于等于0.5mm。

與現(xiàn)有技術(shù)相比較，本發(fā)明的半導(dǎo)體處理設(shè)備1通過特別的反應(yīng)腔設(shè)計，使得所述反應(yīng)腔既能用于執(zhí)行原子層沉積工藝又能用于執(zhí)行等離子增強化學(xué)氣相沉積工藝，同時還能夠執(zhí)行襯底在位表面處理工藝，從而可以減少半導(dǎo)體處理設(shè)備的數(shù)量，降低成本，減少設(shè)備的占用空間；同時，由于多個工藝可以在同一腔室中完成，無需附加的轉(zhuǎn)運過程，從而可以減少待處理襯底被污染的發(fā)生。

請參閱圖4，圖4是本發(fā)明半導(dǎo)體處理設(shè)備第二實施方式的出氣面的結(jié)構(gòu)示意圖。所述第二實施方式的半導(dǎo)體處理設(shè)備與所述第一實施方式的半導(dǎo)體處理設(shè)備1基本相同，其區(qū)別在于：所述第一出氣口221和所述第二出氣口222均可以為在呈扇形區(qū)域內(nèi)排布的多個出氣孔或窄縫，即所述帶狀的區(qū)域為一扇形區(qū)域；所述第三出氣口223可以是窄縫狀，或在帶狀區(qū)域分布的多個出氣孔，所述第三出氣口223也可以是在呈扇形區(qū)域內(nèi)排布的多個出氣孔或窄縫； 優(yōu)選的，所述扇形的第一出氣口221、所述第二出氣口222和第三出氣口223緊密排列，從而布滿所述出氣面22，從而使得所述出氣面22的表面利用率達到最大。使得所述半導(dǎo)體處理設(shè)備更加緊湊。可選的，本實施方式中，也可以如第一實施方式中所述，所述多個出氣口也可以不包括所述第三出氣口223。所述扇形的第一出氣口221和所述第二出氣口222和緊密排列，從而布滿所述出氣面22。

請參閱圖5，圖5是本發(fā)明半導(dǎo)體處理設(shè)備第三實施方式的出氣面的結(jié)構(gòu)示意圖。所述第三實施方式的半導(dǎo)體處理設(shè)備與所述第一實施方式的半導(dǎo)體處理設(shè)備1基本相同，其區(qū)別在于：所述出氣面32上的多個出氣口除包括所述第一出氣口321、所述第二出氣口322和所述第三出氣口323外，還包括設(shè)置在所述述第一出氣口321、所述第二出氣口322和所述第三出氣口323之間的出氣面32區(qū)域上的多個出氣孔324。在進行原子層沉積工藝時，所述多個出氣口324可以向所述反應(yīng)空間輸出所述第三氣體，也可以不輸出氣體；在進行等離子增強化學(xué)氣相沉積工藝時，所述多個出氣口324與所述第一出氣口321、所述第二出氣口322和所述第三出氣口323同時向所述反應(yīng)空間輸出反應(yīng)氣體，從而使得所述反應(yīng)氣體的在襯底表面分布更加均勻；可選的，在進行等離子增強化學(xué)氣相沉積工藝時，所述反應(yīng)氣體可以只從所述多個出氣孔324輸出到反應(yīng)空間，如此，可以防止兩種沉積工藝中的工藝氣體相互污染?？蛇x的，本實施方式中，也可以如第一實施方式中所述，所述多個出氣口也可以不包括所述第三出氣口323。

請參閱圖6，圖6是本發(fā)明半導(dǎo)體處理設(shè)備第四實施方式的出氣面的結(jié)構(gòu)示意圖。所述第四實施方式的半導(dǎo)體處理設(shè)備與所述第一實施方式的半導(dǎo)體處理設(shè)備1基本相同，其區(qū)別在于：所述第一出氣口421、所述第二出氣口422和所述第三出氣口423不是呈放射狀排列，而是在所述出氣面42上相互平行排列，所述第三出氣口423設(shè)置在第一出氣口421和第二出氣口422之 間；當所述多個出氣口包括多個第一出氣口、多個第二出氣口422和多個第三出氣口423時，所述多個第一出氣口421和多個第二出氣口422相互間隔設(shè)置，每個所述第三出氣口423設(shè)置在相鄰的第一出氣口421和第二出氣口422之間。可選的，本實施方式中，也可以如第一實施方式中所述，所述多個出氣口也可以不包括所述第三出氣口323，所述第一出氣口421和第二出氣口422相互間隔設(shè)置。

雖然本發(fā)明己以較佳實施例披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。如上述第四實施方式中，所述驅(qū)動裝置也可以不是驅(qū)動所述襯底托盤轉(zhuǎn)動，而是驅(qū)動所述襯底托盤相對所述氣體分配裝置作往復(fù)的水平移動，且所述移動使得襯底面向所述氣體分配裝置一側(cè)全部面積都能依次通過所述第一出氣口和第二出氣口正對的區(qū)域。如上述各個實施方式中，所述半導(dǎo)體處理設(shè)備還可以是不包括所述襯底偏壓裝置，所述半導(dǎo)體處理設(shè)備可以不能夠進行襯底在位表面處理工藝；如此，在一個反應(yīng)腔中，能夠完成兩種半導(dǎo)體處理工藝，也能減少半導(dǎo)體處理設(shè)備的數(shù)量；如上述各個實施方式中，所述多個出氣口也可以只包括一個第一出氣口和一個第二出氣口，所述驅(qū)動裝置驅(qū)動所述襯底依次通過所述第一出氣口和所述第二出氣口。

雖然本發(fā)明己以較佳實施例披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與修改，因此本發(fā)明的保護范圍應(yīng)當以權(quán)利要求所限定的范圍為準。