1.一種磁阻元件，包括：
第一磁層；
在所述第一磁層上的非磁層；以及
在所述非磁層上的第二磁層；
其中，所述第一磁層和所述第二磁層之一包括：Co和Fe之一、以及具有比Co和Fe更高的標準電極電勢的材料。
2.如權(quán)利要求1所述的元件，其中，具有更高的標準電極電勢的材料是Mo或W。
3.如權(quán)利要求1所述的元件，其中，所述第一磁層是存儲層，所述第二磁層是參考層，所述非磁層是隧道勢壘層。
4.如權(quán)利要求1所述的元件，其中，所述第一磁層和所述第二磁層的每一個還包含B。
5.如權(quán)利要求4所述的元件，其中，B和具有更高的標準電極電勢的材料的總成分是1到30at％。
6.如權(quán)利要求1所述的元件，其中，所述第一磁層和所述第二磁層兩者都包括具有比Co和Fe更高的標準電極電勢的材料，所述第一磁層中的具有更高的標準電極電勢的材料的成分高于所述第二磁層中的成分。
7.如權(quán)利要求1所述的元件，其中，所述第一磁層和所述第二磁層兩者都包括具有比Co和Fe更高的標準電極電勢的材料，所述第二磁層中的具有更高的標準電極電勢的材料的成分高于所述第一磁層中的成分。
8.如權(quán)利要求2所述的元件，其中，所述隧道勢壘層是MgO。
9.一種磁阻元件，包括：
第一磁層；
在所述第一磁層上的第一非磁層；
在所述第一非磁層上的第二磁層；
在所述第二磁層上的第二非磁層；以及
在所述第二非磁層上的第三磁層；
其中，所述第一磁層和所述第二磁層之一包括：Co和Fe之一、以及具有比Co和Fe更高的標準電極電勢的材料。
10.如權(quán)利要求9所述的元件，其中，具有更高的標準電極電勢的材料是Mo或W。
11.如權(quán)利要求9所述的元件，其中，所述第一磁層是存儲層，所述第一非磁層是隧道勢壘層，所述第二磁層是參考層，所述第二非磁層是間隔層，所述第三磁層是偏移消除層。
12.如權(quán)利要求9所述的元件，其中，所述第一磁層和所述第二磁層的每一個還包含B。
13.如權(quán)利要求12所述的元件，其中，B和具有更高的標準電極電勢的材料的總成分是1到30at％。
14.如權(quán)利要求9所述的元件，其中，所述第一磁層和所述第二磁層兩者都包括具有比Co和Fe更高的標準電極電勢的材料，所述第一磁層中的具有更高的標準電極電勢的材料的成分高于所述第二磁層中的成分。
15.如權(quán)利要求9所述的元件，其中，所述第一磁層和所述第二磁層兩者都包括具有比Co和Fe更高的標準電極電勢的材料，所述第二磁層中的具有更高的標準電極電勢的材料的成分高于所述第一磁層中的成分。
16.如權(quán)利要求10所述的元件，其中，所述隧道勢壘層是MgO，所述間隔層是Ru。
17.如權(quán)利要求10所述的元件，其中，所述偏移消除層具有其中磁性材料膜和非磁性材料膜層疊的晶格層結(jié)構(gòu)。
18.一種非易失性半導(dǎo)體存儲器，包括：
在半導(dǎo)體基板的表面部分上的開關(guān)晶體管；
在所述半導(dǎo)體基板上的層間絕緣膜，連接到所述晶體管的源極和漏極之一的接觸孔在所述層間絕緣膜中；
在所述層間絕緣膜的所述接觸孔中的下部電極，所述下部電極連接到所述晶體管的源極和漏極之一；以及
在所述下部電極上的磁阻元件，采用其中非磁層被夾在第一磁層和第二磁層之間的層狀結(jié)構(gòu)；
其中，所述第一磁層和所述第二磁層之一包括：Co和Fe之一、以及具有比Co和Fe更高的標準電極電勢的材料。